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講演検索結果
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 25件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2022-08-09
11:50
ONLINE オンライン開催に変更 現地開催(北海道大学百年記念会館)は中止 極低温MOSFETにおける閾値増大現象のTCADシミュレーション解析
浅井栄大稲葉 工服部淳一福田浩一岡 博史森 貴洋産総研SDM2022-47 ICD2022-15
 [more] SDM2022-47 ICD2022-15
pp.60-63
SDM 2021-11-12
11:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]セルオートマトン法によるGaN HEMTの移動度の温度依存のモデリング
福田浩一服部淳一浅井栄大産総研)・矢板潤也小谷淳二富士通SDM2021-62
GaN HEMTの移動度の温度依存モデリングにセルオートマトン法を適用した。分布関数をテーブルで持ち微小時間ステップごと... [more] SDM2021-62
pp.47-52
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2021-08-17
10:15
ONLINE オンライン開催 [招待講演]誤り訂正大規模量子コンピュータに実装可能な高速かつ低ばらつきなシリコンスピン量子ビット動作を実現する埋め込み型微小磁石の集積技術
飯塚将太加藤公彦八木下淳史浅井栄大上田哲也岡 博史服部淳一池上 努福田浩一森 貴洋産総研SDM2021-30 ICD2021-1
シリコンスピン量子ビットの高速操作と高い製造ばらつき耐性を同時に実現可能な埋め込み微小磁石の集積構造を提案し、TCADベ... [more] SDM2021-30 ICD2021-1
pp.1-6
SDM 2020-11-20
16:40
ONLINE オンライン開催 [招待講演]第一原理バンド計算を基盤とした原子層チャネルトンネルトランジスタのTCADシミュレーション
浅井栄大産総研)・黒田龍哉阪大)・福田浩一服部淳一池上 努産総研)・森 伸也阪大SDM2020-34
 [more] SDM2020-34
pp.58-62
SDM 2019-11-08
09:30
東京 機械振興会館 [招待講演]強誘電体電界効果トランジスタの動的挙動のデバイスシミュレーション
服部淳一池上 努福田浩一太田裕之右田真司浅井栄大産総研SDM2019-74
ゲート・スタックに有する強誘電体膜の特性を利用する強誘電体電界効果トランジスタについて,その非定常状態における振る舞いを... [more] SDM2019-74
pp.27-32
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-07
14:15
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 二次元チャネルFETの電流電圧特性におけるフリンジ電界効果のTCAD解析
浅井栄大張 文馨岡田直也福田浩一入沢寿史産総研SDM2019-37 ICD2019-2
遷移金属ダイカルコゲナイド (TMDC)に代表される層状材料を用いた二次元チャネルFET は、究極のスケーリン
グを実... [more]
SDM2019-37 ICD2019-2
pp.7-10
SDM 2019-01-29
09:30
東京 機械振興会館 [招待講演]強誘電体負性容量のマルチドメイン動力学とトランジスタ特性特性への影響
太田裕之池上 努福田浩一服部淳一浅井栄大遠藤和彦右田真司産総研)・鳥海 明東大SDM2018-81
本研究では,マルチドメイン分極を考慮した強誘電体負性容量トランジスタの動的特性を内製TCADモジュールにより明らかにした... [more] SDM2018-81
pp.1-4
SDM 2018-11-09
14:20
東京 機械振興会館 [招待講演]強誘電体の負性容量を用いたトランジスタのデバイスシミュレーション
服部淳一池上 努福田浩一太田裕之右田真司浅井栄大産総研SDM2018-74
ゲート絶縁膜の一つに強誘電体膜を持ち,その負性容量状態を利用する負性容量トランジスタについて,その振る舞いをシミュレーシ... [more] SDM2018-74
pp.47-52
SDM 2018-01-30
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]過渡解析TCADシミュレーションによる強誘電体負性容量FinFETトランジスタの考察
太田裕之右田真司池上 努服部淳一浅井栄大福田浩一産総研)・鳥海 明東大SDM2017-91
 [more] SDM2017-91
pp.1-4
SDM 2017-11-09
15:40
東京 機械振興会館 [招待講演]深いトラップを含むGaN MOSキャパシタ容量のシミュレーション
福田浩一浅井栄大服部淳一清水三聡産総研)・橋詰 保北大SDM2017-66
深いトラップ準位を含むGaN MOSキャパシタの容量をtransientモードで解析する手法を検証し,周波数分散など各非... [more] SDM2017-66
pp.27-32
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2017-07-31
12:00
北海道 北海道大学情報教育館 ドレインオフセット構造を持った相補型TFET回路のTCADシミュレーション
浅井栄大森 貴洋服部淳一福田浩一遠藤和彦松川 貴産総研SDM2017-35 ICD2017-23
我々はSi チャネルトンネルトランジスタ(TFET)からなる相補型論理回路のTCAD シミュレーションを行い、ドレインオ... [more] SDM2017-35 ICD2017-23
pp.21-24
SDM 2017-02-06
13:35
東京 東京大学/本郷 [招待講演]モノリシック三次元インバータにおける積層トランジスタの電気的結合とその層間絶縁膜厚依存性
服部淳一福田浩一入沢寿史太田裕之前田辰郎産総研SDM2016-143
モノリシック三次元インバータについて,積み重なったトランジスタの電気的結合が性能に与える影響をTCAD(technolo... [more] SDM2016-143
pp.23-28
SDM 2017-01-30
10:00
東京 機械振興会館 [招待講演]等電子トラップ技術によるオン電流増大に伴う相補型トンネルトランジスタ回路の性能向上
森 貴洋浅井栄大服部淳一福田浩一大塚慎太郎森田行則大内真一更田裕司右田真司水林 亘太田裕之松川 貴産総研SDM2016-130
我々は等電子トラップ(IET)技術を用いて,シリコントンネルトランジスタ(TFET)による相補的回路の性能を改善した.I... [more] SDM2016-130
pp.1-4
SDM 2017-01-30
11:30
東京 機械振興会館 [招待講演]サブ10 nm世代負性容量FinFETのデバイスシミュレーション
太田裕之池上 勉服部淳一福田浩一右田真司産総研)・鳥海 明東大SDM2016-133
サブ10nm 世代の負性容量FinFET(NC-FinFET)のデバイス特性を新開発のtechnology comput... [more] SDM2016-133
pp.13-16
SDM 2016-06-29
10:40
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 [依頼講演]強誘電体絶縁膜の負性容量を利用した急峻スイッチング実現のためのSOI-FET設計指針
太田裕之右田真司服部淳一福田浩一産総研)・鳥海 明東大SDM2016-34
本研究では負性容量を用いて急峻なサブスレショルド係数(SS)を実現するための完全空乏型silicon-on-insula... [more] SDM2016-34
pp.9-13
SDM 2016-01-28
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]トンネルトランジスタにおけるBTIの理解
水林 亘森 貴洋福田浩一石川由紀森田行則右田真司太田裕之柳 永勛大内真一塚田順一山内洋美松川 貴昌原明植遠藤和彦産総研SDM2015-122
Siチャネルp型トンネルFETs(pTFETs)のNBTIを系統的に調べた。pTFETsのNBTI劣化機構はpFETsと... [more] SDM2015-122
pp.9-12
SDM 2015-01-27
15:30
東京 機械振興会館 [招待講演]n型トンネルトランジスタにおけるPBTI寿命の正確な予測
水林 亘森 貴洋福田浩一柳 永勛松川 貴石川由紀遠藤和彦大内真一塚田順一山内洋美森田行則右田真司太田裕之昌原明植産総研SDM2014-143
high-kゲート絶縁膜を有するn型トンネルFinFETs(TFETs)のPBTI特性を系統的に調べた。n型TFETsの... [more] SDM2014-143
pp.33-36
SDM 2015-01-27
16:20
東京 機械振興会館 [招待講演]非晶質金属ゲート電極FinFETによるばらつき・低周波ノイズ抑制とアナログ・デジタル回路のスケーリング限界の改善
松川 貴福田浩一柳 永勛塚田順一山内洋美石川由紀遠藤和彦大内真一右田真司水林 亘森田行則太田裕之昌原明植産総研SDM2014-145
 [more] SDM2014-145
pp.41-44
SDM 2015-01-27
16:45
東京 機械振興会館 [招待講演]Si CMOSプラットフォームにおけるp-n相補型トンネルFinFETの急峻サブスレッショルド・スイングおよび超低オフ電流の実証
森田行則森 貴洋福田浩一水林 亘右田真司松川 貴遠藤和彦大内真一柳 永勛昌原明植太田裕之産総研SDM2014-146
FinFET型チャネルを持つトンネル電界効果トランジスタ(トンネルFinFET)をSi CMOSプラットフォームにおいて... [more] SDM2014-146
pp.45-48
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
13:05
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]急峻スイッチング素子の研究動向とTFETにおけるオン電流向上策
森 貴洋森田行則右田真司水林 亘福田浩一宮田典幸安田哲二昌原明植太田裕之産総研SDM2014-67 ICD2014-36
低電圧動作可能な急峻スイッチング素子が注目を集めている。本論文では急峻スイッチング素子の研究動向を概観する。その中でも最... [more] SDM2014-67 ICD2014-36
pp.29-34
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