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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
OPE, LQE, OCS
(共催)
2018-10-18
11:25
佐賀 佐賀県教育会館 第1会議室 SOA搭載光スイッチにおける8×32-Gbaud 16-QAM WDM信号伝送
鴻池遼太郎鈴木恵治郎井上 崇産総研)・松本 武倉橋輝雄植竹理人高林和雅秋山 傑関口茂昭富士通研)・並木 周河島 整池田和浩産総研OCS2018-32 OPE2018-68 LQE2018-57
4チャネルInP-SOAをフリップチップ実装により搭載した4×4シリコンフォトニクススイッチを用いて、8 ch., 32... [more] OCS2018-32 OPE2018-68 LQE2018-57
pp.25-28
LQE 2018-07-12
14:20
北海道 北海道大学 シリコン光プラットフォーム上のInP-SOAハイブリッド実装技術
松本 武倉橋輝雄富士通研)・鴻池遼太郎鈴木恵治郎谷澤 健産総研)・植竹理人高林和雅富士通研)・池田和浩河島 整産総研)・秋山 傑関口茂昭富士通研LQE2018-23
光パスネットワーク実現のキーデバイスである大規模Si光スイッチのオンチップ光損失を補償するため、光半導体増幅器 (SOA... [more] LQE2018-23
pp.13-16
OPE, LQE, CPM, EMD, R
(共催)
2013-08-30
11:55
北海道 サンリフレ函館 側面格子導波路を有するPIN型シリコン変調器の高速・高効率動作の検討
秋山 傑馬場 威今井雅彦光電子融合基盤技研)・平山直紀産総研)・高橋博之光電子融合基盤技研)・埜口良二堀川 剛産総研)・臼杵達哉光電子融合基盤技研R2013-53 EMD2013-59 CPM2013-78 OPE2013-82 LQE2013-52
 [more] R2013-53 EMD2013-59 CPM2013-78 OPE2013-82 LQE2013-52
pp.123-128
LQE 2011-12-16
15:55
東京 機械振興会館 温調フリー光送信器の実現に向けたシリコン細線外部共振器レーザ
鄭 錫煥田中信介関口茂昭倉橋輝雄羽鳥伸明秋山 傑臼杵達哉山本剛之田中 有森戸 健富士通研LQE2011-132
CMOS電子回路と融合可能なシリコンフォトニクス光源は大容量の光インターコネクトの実現に向けて重要な構成要素である。我々... [more] LQE2011-132
pp.43-47
OPE 2010-12-17
18:20
東京 機械振興会館地下3階2号室 カスケード接続リング共振器を用いたスローライトSi変調器
秋山 傑光電子融合基盤技研/PECST/富士通研)・倉橋輝雄富士通研)・馬場 威臼杵達哉山本剛之光電子融合基盤技研/PECST/富士通研OPE2010-143
シリコン変調器の小型・低消費電力化に対して、光共振器の導入により、変調効率を高めることは有効な手段である。我々は、このよ... [more] OPE2010-143
pp.65-70
LQE 2007-12-07
10:30
東京 機械振興会館 地下3階6号室 AlGaInAs系電界吸収型変調器集積λ/4シフトDFBレーザの高出力10Gb/s動作
高田 幹秋山 傑松田 学奥村滋一江川 満山本剛之富士通研LQE2007-114
光出力が高く長距離伝送が可能で、かつ安定な単一モード発振が得られる光通信用光源を目的として、レーザ部と変調器部の活性層に... [more] LQE2007-114
pp.7-10
LQE, OCS, OPE
(共催)
2004-11-04
17:30
福岡 九州工業大学 容量装荷型進行波電極によるInP系マッハツェンダ変調器の高速・低電圧動作の検討
秋山 傑伊藤浩明竹内辰也廣瀬真一渡辺孝幸関口茂昭倉又朗人山本剛之富士通研
コンパクトかつチャーピング制御可能という利点を有するInPマッハツェンダ変調器において、近年、進行波電極の導入による高速... [more] OCS2004-92 OPE2004-157 LQE2004-101
pp.51-56
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