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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, IEE-BMS, IEE-MSS
(連催)
2022-08-18
14:55
東京 機械振興会館 (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン) イオン液体供給型物理リザバーデバイスにおける学習精度の雰囲気依存性
米澤雅陽東京理科大/産総研)・島 久産総研)・松尾拓真東京理科大/産総研)・内藤泰久秋永広幸産総研)・伊藤敏幸豊田理研)・野上敏材鳥取大)・小林正和東京理科大/長瀬産業)・木下健太郎東京理科大ED2022-20
(ご登録済みです.開催日以降に掲載されます) [more] ED2022-20
pp.13-16
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-08
09:00
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 [招待講演]酸化物材料を用いた抵抗変化素子の研究動向 ~ 不揮発性メモリとニューロモルフィック素子への応用 ~
島 久高橋 慎内藤泰久秋永広幸産総研SDM2018-36 ICD2018-23
 [more] SDM2018-36 ICD2018-23
pp.59-64
ICD 2018-04-19
13:50
東京 機械振興会館 [招待講演]アナログ型抵抗変化ニューロデバイス・システムのソフト・ハード一体型研究開発
秋永広幸島 久内藤泰久産総研)・浅井哲也北大ICD2018-5
我々は、アナログ型抵抗変化デバイス(Resistive Analog Neuro Device; RAND)を用いて、消... [more] ICD2018-5
p.15
ICD 2008-04-18
15:20
東京 機械振興会館 [招待講演]二元系酸化物RRAM特性の電極材料依存性
玉井幸夫シャープ)・島 久秋永広幸産総研)・細井康成大西茂夫粟屋信義シャープICD2008-15
Ta/CoO/Pt構造のRRAMにて、20ns高速スイッチング、100$\mu$A程度の低リセット電流および良好な書換え... [more] ICD2008-15
pp.79-82
ICD 2007-04-13
13:00
大分 大分県・湯布院・七色の風 [招待講演]高速ユニポーラスイッチングRRAM技術
細井康成玉井幸夫大西哲也石原数也渋谷隆広井上雄史山崎信夫中野貴司大西茂夫粟屋信義シャープ)・井上 公島 久秋永広幸高木英典赤穂博司産総研ICD2007-14
プログラム,消去ともに数十ナノ秒以下の同一極性電圧パルスで動作可能なRRAMデバイスをTiONを用いて実現した.このデバ... [more] ICD2007-14
pp.77-82
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