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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ICD (共催) |
2011-08-25 10:50 |
富山 | 富山県民会館 | ナノスケールMOSFETにおけるプラズマドーピングとレーザーアニールを適用した急峻SDEの検討 ○杉崎絵美子・宮田俊敬・大島康礼・外園 明・安達甘奈・宮野清孝・辻井秀二・川中 繁・稲葉 聡・井谷孝治・飯沼俊彦・豊島義明（東芝）  SDM2011-75 ICD2011-43 |
ナノスケール世代のMOSFETのスケーリングにおいては、ソースドレインエクステンション（SDE）不純物プロファイル設計の... [more] | SDM2011-75 ICD2011-43 pp.23-27 |
| SDM, ICD (共催) |
2011-08-26 09:00 |
富山 | 富山県民会館 | Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価 ○水谷朋子・Anil Kumar（東大）・西田彰男・竹内 潔・稲葉 聡・蒲原史朗（MIRAI-Selete）・寺田和夫（広島市大）・最上 徹（MIRAI-Selete）・平本俊郎（東大/MIRAI-Selete） SDM2011-83 ICD2011-51 |
[more] | SDM2011-83 ICD2011-51 pp.65-68 |
| SDM, ICD (共催) |
2011-08-26 09:25 |
富山 | 富山県民会館 | 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析 ○Anil Kumar・水谷朋子（東大）・西田彰男・竹内 潔・稲葉 聡・蒲原史朗（MIRAI-Selete）・寺田和夫（広島市大）・最上 徹（MIRAI-Selete）・平本俊郎（東大/MIRAI-Selete） SDM2011-84 ICD2011-52 |
[more] | SDM2011-84 ICD2011-52 pp.69-73 |
| ICD, SDM (共催) |
2010-08-27 16:00 |
北海道 | 札幌エルプラザ内男女共同参画センター | 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析 ○水谷朋子（東大）・角村貴昭（MIRAI-Selete）・Anil Kumar（東大）・西田彰男・竹内 潔・稲葉 聡・蒲原史朗（MIRAI-Selete）・寺田和夫（広島市大）・最上 徹（MIRAI-Selete）・平本俊郎（東大/MIRAI-Selete） SDM2010-150 ICD2010-65 |
大規模DMA-TEGにより65nm技術で作製したMOSトランジスタの電流ばらつきを測定し、電流ばらつきがしきい値電圧ばら... [more] | SDM2010-150 ICD2010-65 pp.143-148 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-16 15:50 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とTinvスケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン 後藤正和・○川中 繁・犬宮誠治・楠 直樹・齋藤真澄・辰村光介・木下敦寛・稲葉 聡・豊島義明（東芝） SDM2009-107 ICD2009-23 |
Tinvスケーリングとチャネル内キャリア移動度劣化のトレードオフに関し、極微細MOSFETを用いた実験データに基づき解析... [more] | SDM2009-107 ICD2009-23 pp.53-56 |
| SDM, VLD (共催) |
2006-09-26 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | 3次元プロセスデバイスシミュレーションによるBulk-FinFETの駆動電流の改善 ○金村貴永・泉田貴士・青木伸俊・近藤正樹・伊藤早苗・遠田利之・岡野王俊・川崎博久・八木下淳史・金子明生・稲葉 聡・中村光利・石丸一成・須黒恭一・江口和弘（東芝） |
3次元プロセス/デバイスシミュレーションを用いてbulk-FinFETの構造とイオン注入条件の最適化を検討した。チャネル... [more] | VLD2006-43 SDM2006-164 pp.25-29 |
| ICD, SDM (共催) |
2006-08-18 11:40 |
北海道 | 北海道大学 | hp32 nm ノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk FinFETで構成されたSRAM技術について 川崎博久（東芝アメリカ電子部品）・○稲葉 聡・岡野王俊・金子明生（東芝）・八木下淳史（東芝アメリカ電子部品）・泉田貴士・金村貴永・佐々木貴彦・大塚伸朗・青木伸俊・須黒恭一・江口和弘・綱島祥隆（東芝）・石丸一成（東芝アメリカ電子部品）・石内秀美（東芝） |
[more] | SDM2006-147 ICD2006-101 pp.127-132 |
| ICD, SDM (共催) |
2005-08-19 14:40 |
北海道 | 函館国際ホテル | FinFETを用いたhp22nm node SRAMのロバストなデバイス設計 ○岡野王俊・石田達也・佐々木貴彦・泉田貴士・近藤正樹・藤原 実・青木伸俊・稲葉 聡・大塚伸朗・石丸一成・石内秀美（東芝） |
FinFETを用いたhp22nm nodeのSRAMの実現可能性について、Static Noise Margin(SNM... [more] | SDM2005-154 ICD2005-93 pp.67-72 |
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