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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-25
16:05
ONLINE オンライン開催 r面サファイア基板上への高温アニールa面AlN膜作製における基板オフ角依存性
渋谷康太上杉謙次郎肖 世玉正直花奈子窪谷茂幸秋山 亨三宅秀人三重大ED2021-25 CPM2021-59 LQE2021-37
 [more] ED2021-25 CPM2021-59 LQE2021-37
pp.51-54
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-25
16:30
ONLINE オンライン開催 高温アニールAlNテンプレートを用いた220 nm帯発光AlGaN量子井戸の成長
石原頌也窪谷茂幸正直花奈子上杉謙次郎肖 世玉三宅秀人三重大ED2021-26 CPM2021-60 LQE2021-38
 [more] ED2021-26 CPM2021-60 LQE2021-38
pp.55-58
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-26
15:20
ONLINE オンライン開催 AlNテンプレート上へのAlGaNチャネルHEMT作製と電気的特性評価
森 隆一上杉謙次郎窪谷茂幸正直花奈子三宅秀人三重大ED2021-33 CPM2021-67 LQE2021-45
スパッタ法と高温アニール処理を組み合わせて作製した低転位密度のAlNテンプレート上に,MOVPE法を用いてチャネル膜厚1... [more] ED2021-33 CPM2021-67 LQE2021-45
pp.83-86
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
15:00
ONLINE オンライン開催 高電子移動度トランジスタのための原子層平滑なAlNテンプレート上へのGaN成長
白土達也上杉謙次郎窪谷茂幸正直花奈子三宅秀人三重大ED2020-11 CPM2020-32 LQE2020-62
本研究では,低転位で良好な表面平坦性を有するアニール処理スパッタAlNテンプレート上にMOVPE法を用いて膜厚10–80... [more] ED2020-11 CPM2020-32 LQE2020-62
pp.41-44
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-27
15:20
ONLINE オンライン開催 ナノストライプパターン加工した低転位密度AlNテンプレート上へのMOVPE成長と結晶性評価
伊庭由季乃正直花奈子窪谷茂幸上杉謙次郎肖 世玉三宅秀人三重大ED2020-24 CPM2020-45 LQE2020-75
Face-to-face配置でアニールしたスパッタAlNテンプレート(FFA Sp-AlN)に周期300 nmと深さ12... [more] ED2020-24 CPM2020-45 LQE2020-75
pp.91-94
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-27
16:00
ONLINE オンライン開催 AlNテンプレート上歪み緩和AlGaN成長のためのAlN/GaN超格子層導入
稲森崇文窪谷茂幸石原頌也白土達也上杉謙次郎正直花奈子三宅秀人三重大ED2020-26 CPM2020-47 LQE2020-77
 [more] ED2020-26 CPM2020-47 LQE2020-77
pp.99-102
SDM, ED, CPM
(共催)
2017-05-26
10:45
愛知 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) N-polar GaN MIS-HEMTs with Flat Interface Grown by Optimized MOVPE
Kiattiwut PrasertsukTomoyuki TanikawaTakeshi KimuraShigeyuki KuboyaTetsuya SuemitsuTakashi MatsuokaTohoku Univ.ED2017-26 CPM2017-12 SDM2017-20
 [more] ED2017-26 CPM2017-12 SDM2017-20
pp.59-64
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