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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
14:55
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]待機電力重視アプリケーション向け90nm三端子MRAM混載不揮発マイクロコントローラ
崎村 昇辻 幸秀根橋竜介本庄弘明森岡あゆ香石原邦彦NEC)・木下啓藏深見俊輔東北大)・三浦貞彦NEC)・笠井直記遠藤哲郎大野英男羽生貴弘東北大)・杉林直彦NECSDM2014-69 ICD2014-38
 [more] SDM2014-69 ICD2014-38
pp.39-44
ICD 2013-04-11
16:20
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター スピン論理集積回路における基本ゲートの高信頼化技術
辻 幸秀根橋竜介崎村 昇森岡あゆ香本庄弘明徳留圭一三浦貞彦NEC)・鈴木哲広ルネサス エレクトロニクス)・深見俊輔木下啓藏羽生貴弘遠藤哲郎笠井直記大野英男東北大)・杉林直彦NECICD2013-9
磁壁移動型スピン素子を用いた不揮発性論理ゲートにおいてゲート内でスピン素子を冗長化させることで、1スピン素子に起こるエラ... [more] ICD2013-9
pp.41-46
ICD 2012-04-24
10:50
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [依頼講演] 3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリ
根橋竜介崎村 昇辻 幸秀NEC)・深見俊輔東北大)・本庄弘明齊藤信作三浦貞彦石綿延行NEC)・木下啓蔵羽生貴弘遠藤哲郎笠井直記大野英男東北大)・杉林直彦NECICD2012-10
3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリを開発した。90nmのCMOSプロセスを用いて作製した... [more] ICD2012-10
pp.49-54
ICD 2008-04-18
13:55
東京 機械振興会館 共有書き込みトランジスタセルとリーク電流複製読み出し方式を用いた4-Mb MRAMマクロ
根橋竜介崎村 昇杉林直彦本庄弘明齊藤信作加藤有光笠井直記NECICD2008-12
我々は、面積効率が高い混載向けMRAMマクロを提案する。このマクロに導入された、2T1MTJ-MRAMセル技術に基づく共... [more] ICD2008-12
pp.63-68
ICD 2008-04-18
14:20
東京 機械振興会館 半ピッチシフト方式とビット線分離型2T1MTJセルを用いた混載向け250MHz,1Mb-MRAMマクロ
崎村 昇杉林直彦根橋竜介本庄弘明斉藤信作加藤有光笠井直記NECICD2008-13
0.15um、1.5V CMOS技術を用いた1Mbit MRAMマクロにおいて不揮発メモリとして最高速の250MHz動作... [more] ICD2008-13
pp.69-74
ICD 2007-04-12
09:00
大分 大分県・湯布院・七色の風 混載向け高速MRAMセル技術
崎村 昇杉林直彦根橋竜介本庄弘明志村健一笠井直記NECICD2007-1
我々は、次世代のシステムLSIへ混載可能な新しい高速MRAMセル技術を開発した。このセル技術は、?書き込み動作速度を飛躍... [more] ICD2007-1
pp.1-5
ICD 2006-04-14
09:30
大分 大分大学 4MbMRAMとその応用
杉林直彦本田雄士崎村 昇永原聖万三浦貞彦志村健一辻 清孝福本能之本庄弘明鈴木哲広加藤有光齋藤信作笠井直記沼田秀昭大嶋則和NEC
開発した4MbMRAMのセル技術、回路技術、試作結果及び応用提案について報告する。メモリセルはトグルセルであり、0.24... [more] ICD2006-12
pp.63-67
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