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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2013-07-12
15:45
東京 中央大学 大容量/高速ストレージを実現する3次元相変化メモリ
小林 孝木下勝治笹子佳孝日立MR2013-11
次世代の大容量ストレージ向けに、3次元縦型チェインセル相変化メモリを開発した。本メモリは積層された複数のゲートを一括加工... [more] MR2013-11
pp.31-34
ICD, SDM
(共催)
2012-08-02
15:55
北海道 札幌市男女共同参画センター 4F2のポリシリダイオードで駆動する微細化に優れた3Dチェインセル型相変化メモリ
木下勝治笹子佳孝峯邑浩行安齋由美子田井光春藤崎芳久草場壽一森本忠雄高濱 高峰 利之島 明生與名本欣樹小林 孝日立SDM2012-74 ICD2012-42
ストレージ向け3次元縦チェインセル型相変化メモリ(Vertical Chain-Cell-Type Phase-Chan... [more] SDM2012-74 ICD2012-42
pp.59-63
SDM 2011-11-10
13:00
東京 機械振興会館 [招待講演]3次元積層を可能にするPoly-Siトランジスタ駆動の相変化メモリ
笹子佳孝木下勝治峯邑浩行安齋由美子田井光春黒土健三森田精一高橋俊和高濱 高森本忠雄峰 利之島 明生小林 孝日立SDM2011-117
ポリシリコントランジスタ駆動の相変化メモリを作製した。チャネルシリコン上に相変化材料を直接成膜したメモリセル構造により、... [more] SDM2011-117
pp.11-15
SDM, ICD
(共催)
2011-08-26
09:50
富山 富山県民会館 低コストと高速データ転送を実現するポリSi MOSトランジスタ駆動の相変化メモリ
笹子佳孝木下勝治峯邑浩行安齋由美子田井光春黒土健三森田精一高橋俊和高濱 高森本忠雄峰 利之島 明生小林 孝日立SDM2011-85 ICD2011-53
ポリシリコントランジスタ駆動の相変化メモリを作製した。チャネルシリコン上に相変化材料を直接成膜したメモリセル構造によって... [more] SDM2011-85 ICD2011-53
pp.75-78
ITE-MMS, MRIS
(共催)
2009-10-09
10:25
福岡 福岡交通センター [招待講演]低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術
笹子佳孝木下勝治森川貴博黒土健三半澤 悟峰 利之島 明生藤崎芳久守谷浩志高浦則克鳥居和功日立MR2009-26
次世代の不揮発性メモリとして最も有望な相変化メモリを安価なポリシリコンダイオードと組合せたメモリセルの試作・電気特性評価... [more] MR2009-26
pp.31-35
ICD, SDM
(共催)
2009-07-17
12:00
東京 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F2クロスポイント型相変化メモリ
笹子佳孝木下勝治森川貴博黒土健三半澤 悟峰 利之島 明生藤崎芳久久米 均守谷浩志高浦則克鳥居和功日立SDM2009-112 ICD2009-28
ポリSiダイオード駆動のクロスポイント型相変化メモリの試作・電気特性評価を行った。低接触抵抗で駆動電流が8 MA/cm2... [more] SDM2009-112 ICD2009-28
pp.79-83
ICD, SDM
(共催)
2006-08-18
15:25
北海道 北海道大学 多値フラッシュメモリのスケーリングにおけるランダム・テレグラフ・シグナルの影響
倉田英明大津賀一雄小田部 晃梶山新也長部太郎笹子佳孝日立)・鳴海俊一冨上健司蒲原史朗土屋 修ルネサステクノロジ
フラッシュメモリにおいて、ランダム・テレグラフ・シグナル (RTS) による閾値変動を初めて確認した。 90nmプロセス... [more] SDM2006-153 ICD2006-107
pp.161-166
ICD, SDM
(共催)
2005-08-19
14:15
北海道 函館国際ホテル AG-ANDフラッシュメモリにおける多値高速書込み技術 ~ 多値レベルに応じて最適容量を選択する改良型定電荷注入書込み方式 ~
大津賀一雄倉田英明日立)・小堺健司野田敏史ルネサステクノロジ)・笹子佳孝有金 剛河村哲史小林 孝日立
本報告では,多値AG-ANDフラッシュメモリにおいて高速な書込み転送レートを実現する書込み技術について述べる。多値高速書... [more] SDM2005-153 ICD2005-92
pp.61-66
ICD 2005-04-14
16:15
福岡 福岡システムLSI 総合開発センター 多値高速書込み性能10MB/sを実現する4ギガビットAG-ANDフラッシュメモリ
倉田英明笹子佳孝大津賀一雄有金 剛河村哲史小林 孝久米 均日立)・本間和樹小堺健司野田敏史伊藤輝彦清水雅裕池田良広土屋 修古沢和則ルネサステクノロジ
多値高速書込みを実現する4ギガビットAG-AND型フラッシュメモリを90nmプロセスを用いて開発した。反転層をビット線と... [more] ICD2005-11
pp.53-58
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