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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2024-06-21 11:35 |
大阪 | 関西学院大学・梅田キャンパス (大阪府) | ［招待講演］第一原理計算によるSiC(0001)ステップ界面へのNOアニーリング効果の予測 ○植本光治・舩木七星斗（神戸大）・細井卓治（関学）・小野倫也（神戸大）  SDM2024-20 |
本研究では, 原子スケールのステップ構造を有する4H-SiCとSiO2のMOS界面において, 窒素系ガスによるアニーリン... [more] | SDM2024-20 pp.5-8 |
| SDM | 2023-06-26 11:30 |
広島 | 広島大学 ナノデバイス研究所 (広島県) | 自己組織化単分子膜を用いた極薄SiO2/SiC界面特性の評価 ○奥平 諒（関西学院大）・川那子高暢（東工大）・細井卓治（関西学院大） SDM2023-29 |
オクタデシルホスホン酸（ODPA: octadecylphosphonic acid）の自己組織化単分子膜（SAM: s... [more] | SDM2023-29 pp.7-10 |
| SDM | 2022-10-19 16:30 |
ONLINE | オンライン開催に変更 (オンライン) | ［招待講演］CO2熱処理によるSiC MOSFETの信頼性向上 ○細井卓治（関西学院大）・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2022-62 |
低損失パワーデバイスとして期待されるSiC MOSFETは閾値電圧変動が信頼性上の課題となっている．SiC MOSFET... [more] | SDM2022-62 pp.34-37 |
| SDM | 2019-06-21 11:00 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F (愛知県) | NO窒化処理を施したSiO2/SiC界面近傍の窒素分布評価 ○細井卓治・Kidist Moges（阪大）・染谷 満（産総研）・志村考功（阪大）・原田信介（産総研）・渡部平司（阪大） SDM2019-25 |
[more] | SDM2019-25 pp.1-4 |
| SDM | 2018-06-25 11:40 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F (愛知県) | 高性能GaN MOSFET実現に向けたSiO2/GaN界面制御 ○細井卓治・山田高寛・野崎幹人（阪大）・高橋言諸・山田 永・清水三聡（産総研）・吉越章隆（原子力機構）・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2018-18 |
GaN MOSFETは高耐圧・低損失スイッチング素子として期待されているが、その実現には良質な絶縁膜および絶縁膜/GaN... [more] | SDM2018-18 pp.11-14 |
| SDM | 2015-06-19 14:15 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー (愛知県) | メタルソース/ドレインGe CMOS実現に向けたNiGe/Ge接合障壁変調機構の解明 ○岡 博史・箕浦佑也・淺原亮平・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2015-48 |
Ge n-MOSFETではn型不純物の低い活性化率および高い拡散係数に加え、金属電極/Ge界面におけるフェルミレベルピニ... [more] | SDM2015-48 pp.51-55 |
| SDM | 2014-06-19 09:30 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー (愛知県) | 極薄EOT high-k/Geゲートスタックの熱安定性及び界面特性改善に向けたプロセス設計 ○淺原亮平・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2014-43 |
高性能Ge-MOSFET実現には、1 nm以下のSiO2換算膜厚（Equivalent Oxide Thickness:... [more] | SDM2014-43 pp.1-5 |
| SDM | 2013-06-18 10:00 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | Metal/High-k/Geゲートスタックにおけるジャーマナイド形成とその電気特性への影響 ○細井卓治・秀島伊織・箕浦佑也・田中亮平（阪大）・吉越章隆・寺岡有殿（原子力機構）・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2013-47 |
[more] | SDM2013-47 pp.19-23 |
| SDM | 2013-06-18 15:30 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | ［依頼講演］SiCパワーMOSFET向け高誘電率ゲート絶縁膜技術 ○細井卓治（阪大）・東雲秀司・柏木勇作・保坂重敏（東京エレクトロン）・中村亮太・中野佑紀・浅原浩和・中村 孝（ローム）・木本恒暢（京大）・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2013-59 |
[more] | SDM2013-59 pp.77-80 |
| SDM | 2013-06-18 16:10 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | ［依頼講演］熱酸化SiC-MOSデバイス中の可動イオンの異常生成と特性改善技術 ○渡部平司・チャンタパン アタウット（阪大）・中野佑紀・中村 孝（ローム）・細井卓治・志村考功（阪大） SDM2013-61 |
熱酸化によって4H-SiC(0001)基板上に形成したMOSデバイス中の可動イオンの異常生成を詳細に調べると共に，その改... [more] | SDM2013-61 pp.87-90 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-27 11:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 (沖縄県) | ［招待講演］Gate Stack Technologies for Silicon Carbide Power MOS Devices ○Takuji Hosoi・Takashi Kirino・Yusuke Uenishi・Daisuke Ikeguchi・Atthawut Chanthaphan（Osaka Univ.）・Akitaka Yoshigoe・Yuden Teraoka（JAEA）・Shuhei Mitani・Yuki Nakano・Takashi Nakamura（ROHM）・Takayoshi Shimura・Heiji Watanabe（Osaka Univ.） |
[more] | |
| SDM | 2012-06-21 10:20 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） (愛知県) | 極薄GeON膜を用いた高移動度Ge MOSFETの作製と電気特性評価 ○箕浦佑也・糟谷篤志・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2012-47 |
Geは高いキャリア移動度を有することから、次世代CMOSデバイスのチャネル材料として有望視されている。Ge-MOSのゲー... [more] | SDM2012-47 pp.23-26 |
| SDM | 2012-06-21 11:55 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） (愛知県) | TiN電極中の酸素に起因したHf系High-kゲート絶縁膜の特性劣化 ○細井卓治・大嶽祐輝・有村拓晃・力石薫介・北野尚武・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2012-51 |
ゲートファーストmeta/high-kスタックの課題として，実効仕事関数の制御とEOTスケーリングが挙げられる．TiN/... [more] | SDM2012-51 pp.43-46 |
| SDM | 2011-07-04 15:40 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） (愛知県) | 高温熱処理によるTiN/HfLaSiO/SiO2ゲートスタック中Hf及びLa原子のTiN電極中への拡散とMIPS構造による抑制 ○大嶽祐輝・有村拓晃・佐伯雅之・力石薫介・北野尚武・細井卓治・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2011-65 |
ゲートファーストプロセスによるMetal/High-kスタックの実現に向け、TiN/HfLaSiO/SiO2ゲートスタッ... [more] | SDM2011-65 pp.87-92 |
| SDM | 2010-11-11 14:40 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | ［招待講演］金属電極／高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたHigh-k/Metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解 ○細井卓治・佐伯雅之・喜多祐起・奥 雄大・有村拓晃・北野尚武（阪大）・白石賢二・山田啓作（筑波大）・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2010-175 |
p型電極／高誘電率絶縁膜ゲートスタックでは，電極材料がpoly-Siもしくは金属に関わらず，ソース／ドレイン活性化アニー... [more] | SDM2010-175 pp.23-28 |
| SDM | 2009-06-19 10:50 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） (東京都) | GeO2/Ge界面形成の物理と電気特性改善技術 ○渡部平司・齊藤真里奈・齊藤正一朗・岡本 学・朽木克博・細井卓治・小野倫也・志村考功（阪大） SDM2009-29 |
[more] | SDM2009-29 pp.15-20 |
| SDM | 2008-12-05 13:15 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 (京都府) | ［招待講演］金属電極とハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構 ○渡部平司・喜多祐起・細井卓治・志村考功（阪大）・白石賢二（筑波大）・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）・山田啓作（早大） SDM2008-188 |
[more] | SDM2008-188 pp.21-25 |
| SDM | 2007-06-07 16:20 |
広島 | 広島大学（学士会館） (広島県) | B添加Pd2Siフルシリサイドゲートの仕事関数変調 ○白石博之・細井卓治・大田晃生・宮崎誠一・芝原健太郎（広島大） SDM2007-37 |
[more] | SDM2007-37 pp.33-36 |
| SDM | 2007-06-08 14:40 |
広島 | 広島大学（学士会館） (広島県) | ゲルマニウム窒化膜の形成と評価 ○朽木克博・岡本 学・細井卓治・志村考功・安武 潔・渡部平司（阪大） SDM2007-49 |
高密度プラズマによるGe基板の窒化を行い、アモルファス純窒化膜(Ge$_3$N$_4$)の形成に成功した。350 $^o... [more] | SDM2007-49 pp.97-100 |
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