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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2018-07-06
16:35
東京 早稲田大学 電圧制御型スピントロニクスメモリにおける書込み特性の高効率化
ブヤンダライ アルタンサルガイ清水真理子與田博明井口智明大沢裕一下村尚治白鳥聡志杉山英行加藤侑志石川瑞恵鴻井克彦及川壮一池上一隆高谷 聡藤田 忍黒部 篤東芝
 [more]
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2017-07-07
16:10
東京 東京工業大学 電圧制御型スピントロニクスメモリ (VoCSM)
ブヤンダライ アルタンサルガイ與田博明清水真理子井口智明大沢裕一下村尚治白鳥聡志杉山英行加藤侑志上口裕三鴻井克彦及川壮一石川瑞恵斉藤好昭黒部 篤東芝MR2017-16
電圧制御型スピントロニクスメモリ(voltage-control spintronics memory: VoCSM)は... [more] MR2017-16
pp.37-40
ICD 2017-04-20
10:10
東京 機械振興会館 [依頼講演]超低消費エネルギーと高集積性を併せ持つ電圧制御スピントロニクスメモリ ~ (Ultra-low Energy Consumption High-Dentisy VoCSM) ~
與田博明下村尚治大沢裕一白鳥聡志加藤侑志井口智明上口裕三ブヤンダライ アルタンサガイ斉藤好昭鴻井克彦杉山英行及川壮一清水真理子石川瑞恵池上一隆東芝ICD2017-1
 [more] ICD2017-1
pp.1-4
SDM 2017-01-30
14:30
東京 機械振興会館 [招待講演]超低消費エネルギーと高集積性を併せ持つ電圧制御スピントロニクスメモリ ~ Ultra-low Energy Consumption High-Density VoCSM ~
與田博明下村尚治大沢裕一白鳥聡志加藤侑志井口智明上国裕三ブヤンダライ アルタンサガイ斉藤好昭鴻井克彦杉山英行及川壮一清水真理子石川瑞恵池上一隆東芝SDM2016-136
TMR効果に加えて新しく二つのスピントロニクス原理を用いた電圧制御スピントロニクスメモリアーキテクチャを提案しました。こ... [more] SDM2016-136
pp.25-28
ICD 2016-04-14
15:50
東京 機械振興会館 [依頼講演]Power reduction based on MRAM
Hiroaki YodaShinobu FujitatoshibaICD2016-11
 [more] ICD2016-11
pp.57-59
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2013-07-12
16:35
東京 中央大学 スピン注入書き込み技術の進展とノーマリオフコンピューティングへの適用検討
伊藤順一與田博明藤田 忍下村尚治北川英二安部恵子野村久美子野口紘希東芝MR2013-13
スピン注入書き込みMRAMをキャッシュメモリに用いたプロセッサは、通常状態が常に電源オフである”ノーマリーオフコンピュー... [more] MR2013-13
pp.37-41
ICD 2013-04-11
15:30
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [招待講演]高性能モバイルCPUの低消費電力化を実現する垂直磁化STT-MRAMメモリテクノロジ
藤田 忍安部恵子野口紘希野村久美子北川英二下村尚治伊藤順一與田博明東芝ICD2013-8
 [more] ICD2013-8
pp.39-40
ICD, IPSJ-ARC
(連催)
2012-01-19
14:20
東京 電通大 [招待講演]ノーマリオフプロセッサ実現に向けた不揮発メモリの課題と展望 ~ 『不揮発ロジックのジレンマ』を如何に解決するか? ~
藤田 忍安部恵子野村久美子與田博明東芝ICD2011-137
 [more] ICD2011-137
pp.27-31
ICD 2010-04-22
13:30
神奈川 湘南工大 [招待講演]MRAMの最新動向とクランプ参照方式と最適参照方式を搭載した64メガビットMRAM
土田賢二稲場恒夫藤田勝之上田善寛清水孝文浅尾吉昭梶山 健岩山昌由池川純夫岸 達也甲斐 正天野 実下村尚治與田博明渡辺陽二東芝ICD2010-7
本稿ではMRAM開発の最初動向と、64Mbitスピン注入型MRAMに搭載した回路技術について述べる.開発した64Mbit... [more] ICD2010-7
pp.35-40
MRIS, ITE-MMS
(共催)
2008-12-11
16:50
愛媛 愛媛大学総合情報メディアセンター1F メディアホール [招待講演]垂直磁化方式を用いたスピン注入磁化反転によるMRAMスケーラビリティの展望
中山昌彦甲斐 正相川尚徳小瀬木淳一西山勝哉永瀬俊彦天野 実池川純夫岸 達也與田博明東芝MR2008-44
ギガビット級大容量MRAMを実現するには、小さな情報書き込み電流Icと十分な熱擾乱指数?Eaを両立させることが必要である... [more] MR2008-44
pp.37-41
ICD 2008-04-18
14:45
東京 機械振興会館 TbCoFe/CoFe垂直磁化膜を用いたMRAM素子におけるスピン注入磁化反転の実証
中山昌彦甲斐 正下村尚治天野 実北川英二永瀬俊彦吉川将寿岸 達也池川純夫與田博明東芝ICD2008-14
ギガビット級大容量MRAMを実現するには、小さな情報書き込み電流と十分な情報不揮発性を両立させることが必要である。垂直磁... [more] ICD2008-14
pp.75-78
ICD 2006-04-14
09:55
大分 大分大学 携帯機器に適した低電圧・高速・高信頼性 16Mb MRAM
清水有威岩田佳久土田賢二稲場恒夫滝沢亮介上田善寛板垣清太郎浅尾吉昭梶山 健細谷啓司池川純夫甲斐 正中山昌彦與田博明東芝
 [more] ICD2006-13
pp.69-73
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