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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2024-12-05
14:10
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター) (愛知県) 高電界印加された層状絶縁体における電子透過率のエネルギー依存性
河嶋祥吾阪大)・小市崇央阪大/産総研)・阿保 智・○若家冨士男阪大)・長尾昌善村上勝久産総研ED2024-40
 [more] ED2024-40
pp.4-5
ED 2024-12-06
11:20
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター) (愛知県) グラフェン層での電子回折を利用したGraphene-Insulator-Semiconductor構造電子源の研究
小市崇央阪大/産総研)・河嶋祥吾三宅広士阿保 智若家冨士男阪大)・長尾昌善村上勝久産総研ED2024-52
 [more] ED2024-52
pp.43-44
ED 2023-12-07
14:15
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター) (愛知県) Graphene-Insulator-Semiconductor構造電子源における多重反射の効果
小市崇央河嶋祥吾阿保 智若家冨士男阪大)・長尾昌善村上勝久産総研ED2023-40
Graphene-Insulator-Semiconductor構造電子源において、グラフェン層は電子ビームの特性に変化... [more] ED2023-40
pp.8-10
ED 2022-12-08
16:25
愛知 12/8 名大,12/9 ウインク愛知(会場は「詳細はこちら」を参照ください) (愛知県) GIS構造電子源におけるグラフェンの電子透過のシミュレーション
若家冨士男寺門大地河嶋祥吾阿保 智阪大)・長尾昌善村上勝久産総研ED2022-58
 [more] ED2022-58
pp.29-30
ED 2016-10-25
14:40
三重 三重大学 新産業創成研究拠点(旧VBL) (三重県) シリコンフィールドエミッタの光応答性の評価(その2)
嶋脇秀隆八戸工大)・長尾昌善産総研)・根尾陽一郎三村秀典静岡大)・若家冨士男高井幹夫阪大ED2016-46
p型シリコンフィールドエミッタにバンドギャップ以上の光を照射するとエミッション電流が増大する。この特性を利用すると光パル... [more] ED2016-46
pp.13-15
ED 2015-10-23
11:25
愛知 名城大学名駅サテライト(MSAT) (愛知県) シリコンフィールドエミッタの光応答性の評価
嶋脇秀隆八戸工大)・長尾昌善産総研)・根尾陽一郎三村秀典静岡大)・若家冨士男高井幹夫阪大ED2015-66
 [more] ED2015-66
pp.61-64
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