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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW | 2012-03-01 13:45 |
佐賀 | 佐賀大学 | 高調波整合による100W超出力GaN高出力増幅器の効率向上についての検討 ○山中宏治・湯之上則弘・茶木 伸・中山正敏・平野嘉仁（三菱電機）  MW2011-175 |
GaN HEMTはGaAsの10倍以上の出力電力密度が得られることから100W超出力のマイクロ波帯高出力増幅器として盛ん... [more] | MW2011-175 pp.41-46 |
| EMCJ, MW, EST (共催) |
2011-05-26 14:35 |
東京 | 情報通信研究機構 | 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET ○山中宏治・湯之上則弘・茶木 伸・中山正敏・平野嘉仁（三菱電機） EMCJ2011-17 MW2011-14 EST2011-10 |
GaN HEMTはGaAsの10倍以上の出力電力密度が得られることから100W超出力のマイクロ波帯高出力増幅器として盛ん... [more] | EMCJ2011-17 MW2011-14 EST2011-10 pp.45-50 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-13 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | 広帯域高効率E級GaN HEMT増幅器 ○山中宏治・湯之上則弘・茶木 伸・中山正敏・平野嘉仁（三菱電機） ED2010-179 MW2010-139 |
GaN HEMTはGaAsの10倍以上の出力電力密度が得られることから100W超出力のマイクロ波帯高出力増幅器として盛ん... [more] | ED2010-179 MW2010-139 pp.23-28 |
| SCE, MW (共催) |
2008-04-22 14:50 |
東京 | 機械振興会館 | GaN HEMT広帯域高効率増幅器 ○山中宏治・大塚浩志・津山祥紀・茶木 伸・井上 晃（三菱電機） SCE2008-10 MW2008-10 |
GaN HEMTを用いた広帯域高効率増幅器について報告する．表面パッシベーション膜の形成にCat-CVD法を用いることで... [more] | SCE2008-10 MW2008-10 pp.53-58 |
| MW | 2006-11-22 10:10 |
福岡 | 早稲田大(北九州市) | Ka帯6W MMIC 電力増幅器 ○大塚浩志・山内和久・茶木 伸・中原和彦・遠藤邦浩・中山正敏（三菱電機） |
[more] | MW2006-140 pp.51-54 |
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