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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-21
13:00
静岡 静岡大学(浜松) リセス深さによるノーマリーオフ型GaN MOSFETsの短チャンネル効果改善
加藤大望梶原瑛祐向井 章大野浩志新留 彩田島純平彦坂年輝蔵口雅彦布上真也東芝ED2019-39 CPM2019-58 LQE2019-82
リセス深さによるノーマリオフ型GaN MOSFETsの短チャンネル効果 (SCEs) 改善を検討した.TCADによる電界... [more] ED2019-39 CPM2019-58 LQE2019-82
pp.29-32
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-29
14:15
愛知 名古屋工業大学 GaN-MOSFETにおけるGaN表面処理とゲート絶縁膜アニールによるチャネル移動度の改善
梶原瑛祐新留 彩彦坂年輝蔵口雅彦東芝)・吉岡 啓東芝デバイス&ストレージ)・布上真也東芝ED2018-35 CPM2018-69 LQE2018-89
リセス構造型のノーマリオフGaN-MOSFETのチャネル移動度を改善したので報告する.これは,リセスエッチングで生じたG... [more] ED2018-35 CPM2018-69 LQE2018-89
pp.13-16
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-12-01
12:55
愛知 名古屋工業大学 MOS型GaNパワーデバイスにおけるPBTI信頼性の改善
梶原瑛祐米原健矢加藤大望上杉謙次郎新留 彩蔵口雅彦向井 章大野浩志湯元美樹東芝)・吉岡 啓東芝デバイス&ストレージ)・布上真也東芝ED2017-62 CPM2017-105 LQE2017-75
 [more] ED2017-62 CPM2017-105 LQE2017-75
pp.65-68
ED 2009-06-11
16:50
東京 東京工業大学 AlGaN/GaN-HEMTに対するドライエッチングの低ダメージ化の検討
蔵口雅彦湯元美樹高田賢治津田邦男東芝ED2009-43
GaN系電子デバイスにおいて特性向上を図るため、ゲートリセス構造が有望である。窒化物半導体ではウエットエッチングによる精... [more] ED2009-43
pp.37-40
LQE, ED, CPM
(共催)
2005-10-13
13:30
滋賀 立命館大学 C帯170W出力GaN-HEMTの開発
高田賢治桜井博幸松下景一増田和俊高塚眞治蔵口雅彦鈴木拓馬鈴木 隆広瀬真由美川崎久夫高木一考津田邦男東芝
AlGaN/GaN HEMTは次世代の高周波パワーデバイスとして期待され、最近ではL帯アプリケーション向けとして非常に優... [more] ED2005-126 CPM2005-113 LQE2005-53
pp.39-42
MW, ED
(共催)
2005-01-18
13:25
東京 機械振興会館 5W出力1.9GHz動作のAlGaN/GaN-HEMT SPDTスイッチ
広瀬真由美高田賢治蔵口雅彦佐々木忠寛鈴木 隆津田邦男東芝
アンドープAlGaN/GaNのHEMTを用いて、1.9GHz動作、5W出力のSPDTスイッチを試作した。HEMT構造は、... [more] ED2004-219 MW2004-226
pp.41-45
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