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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, OPE, OCS (共催) |
2023-11-24 16:55 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | ［特別招待講演］マイクロトランスファープリンティング法による薄膜LNプラットフォーム上メンブレン光デバイス ○前田圭穂・西 英隆・Nikolaos-Panteleimon Diamantopoulos・藤井拓郎・相原卓磨・山岡 優・開 達郎・武田浩司・瀬川 徹（NTT）・太田泰友（慶大）・岩本 敏・荒川泰彦（東大）・松尾慎治（NTT）  OCS2023-56 OPE2023-106 LQE2023-53 |
マイクロトランスファープリンティング法を用いて、薄膜LN導波路・マッハツェンダ型変調器とメンブレンレーザ・SOAをヘテロ... [more] | OCS2023-56 OPE2023-106 LQE2023-53 pp.34-36 |
| OCS, LQE, OPE (共催) |
2023-10-19 13:50 |
高知 | 高知共済会館 COMMUNITY SQUARE (高知県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
SiC基板上メンブレンレーザへのスポットサイズ変換器集積 ～ ファイバ結合光出力増大とファイバアンプフリー100 GBaud信号伝送 ～ ○山岡 優・相原琢磨・ニコラウスーパデレイモン ディアマドプロス・西 英隆・藤井拓郎・前田圭穂・杉山弘樹・開 達郎・武田浩司・瀬川 徹・松尾慎治（NTT） OCS2023-31 OPE2023-86 LQE2023-33 |
これまでにSiC基板上メンブレンレーザは最高速の直接変調を実現しているが，SiCの屈折率は2.6と比較的高いため，$Si... [more] | OCS2023-31 OPE2023-86 LQE2023-33 pp.24-27 |
| OPE, OCS, LQE (共催) |
2022-10-21 14:35 |
愛媛 | 松山市民会館 小ホール (愛媛県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
5um活性層長オンシリコンDBRレーザの直接変調低エネルギー動作 ○菅野絵理奈・武田浩司・藤井拓郎・硴塚孝明・松尾慎治（NTT） OCS2022-36 OPE2022-82 LQE2022-45 |
チップ間通信のような短距離通信に光インターコネクトを導入するため、極低消費電力で動作する光源が求められている。そこで我々... [more] | OCS2022-36 OPE2022-82 LQE2022-45 pp.100-103 |
| EMD, R, LQE, OPE, CPM (共催) |
2022-08-26 15:40 |
千葉 | 千葉工業大学津田沼キャンパス + オンライン開催 (千葉県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］光電子融合に向けたシリコン基板上メンブレン光デバイスの進展 ○前田圭穂・開 達郎・相原卓磨・藤井拓郎・佐藤具就・土澤 泰・瀬川 徹・松尾慎治（NTT） R2022-30 EMD2022-18 CPM2022-35 OPE2022-61 LQE2022-24 |
光電融合デバイスの実現に向けて、ウェハ接合によって Si光回路上に集積されたメンブレン InP系 光デバイスの研究が進展... [more] | R2022-30 EMD2022-18 CPM2022-35 OPE2022-61 LQE2022-24 pp.70-73 |
| OCS, OPE, LQE (共催) |
2021-10-22 15:00 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | ［招待講演］OFC2021報告 ～ 光デバイス関連 ～ ○藤井拓郎（NTT） OCS2021-16 OPE2021-36 LQE2021-15 |
2021年6月6日から10.日までバーチャル開催されたOFC2021における、光デバイス関連の発表動向を報告する。 [more] | OCS2021-16 OPE2021-36 LQE2021-15 pp.19-22 |
| LQE, OCS, OPE (共催) |
2021-02-18 17:20 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | ［特別招待講演］Siプラットフォーム上薄膜InGaAsP電界吸収型変調器 ○開 達郎・相原卓磨・前田圭穂・藤井拓郎・土澤 泰（NTT）・髙畑清人・硴塚孝明（早大）・松尾慎治（NTT） OCS2020-41 OPE2020-73 LQE2020-79 |
[more] | OCS2020-41 OPE2020-73 LQE2020-79 pp.5-9 |
| OPE, LQE, OCS (共催) |
2019-11-11 15:20 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | ［招待講演］ECOC2019報告 ～ 通信用光デバイス・モジュール関連 ～ ○藤井拓郎（NTT） OCS2019-56 OPE2019-94 LQE2019-72 |
2019年9月23日から26日までアイルランド・ダブリンにて開催されたECOC2019における、通信用光デバイス・モジュ... [more] | OCS2019-56 OPE2019-94 LQE2019-72 pp.23-26 |
| OCS, OPE, LQE (共催) |
2018-11-12 17:15 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | ［特別招待講演］Si基板上薄膜InGaAsPマッハツェンダ変調器 ○開 達郎・相原卓磨・武田浩司・藤井拓郎・硴塚孝明・土澤 泰・福田 浩・松尾慎治（NTT） OCS2018-67 OPE2018-96 LQE2018-85 |
(事前公開アブストラクト) Si基板上に薄膜InGaAsP位相シフタと水素フリーSiN導波路を集積し、マッハツェンダ変調... [more] | OCS2018-67 OPE2018-96 LQE2018-85 pp.31-34 |
| LQE, LSJ (共催) |
2018-05-25 13:50 |
福井 | 芦原温泉清風荘 (福井県) | 8ch直接変調メンブレンレーザアレイとSiN AWGフィルタのSi基板上モノリシック集積 ○西 英隆・藤井拓郎・ディアマドプロス ニコラオス パデレイモン・武田浩司・菅野絵理奈・硴塚孝明・土澤 泰・福田 浩・松尾慎治（NTT） LQE2018-17 |
[more] | LQE2018-17 pp.29-32 |
| LQE, LSJ (共催) |
2017-05-26 10:50 |
石川 | 山代温泉葉渡莉 (石川県) | III-V/Si MOS キャパシタマッハツェンダ変調器 ○開 達郎・相原卓磨・長谷部浩一・藤井拓郎・武田浩司・硴塚孝明・土澤 泰・福田 浩・松尾慎治（NTT） LQE2017-13 |
[more] | LQE2017-13 pp.53-56 |
| LQE, OPE, EMD, R, CPM (共催) |
2016-08-25 09:20 |
北海道 | 函館ロワジールホテル (北海道) | オンシリコン短共振器メンブレンレーザの室温連続発振 ○菅野絵理奈・武田浩司・藤井拓郎・長谷部浩一・西 英隆・山本 剛・硴塚孝明・松尾慎治（NTT） R2016-19 EMD2016-23 CPM2016-32 OPE2016-53 LQE2016-28 |
短距離光インターコネクト実現に向け、直接変調レーザの低消費エネルギー化が求められている。我々は、InP薄膜構造をSiO2... [more] | R2016-19 EMD2016-23 CPM2016-32 OPE2016-53 LQE2016-28 pp.1-4 |
| LQE, OPE, EMD, R, CPM (共催) |
2016-08-25 16:30 |
北海道 | 函館ロワジールホテル (北海道) | EAMゲートアレイを用いた分配選択型光スイッチモジュール ○村中勇介・瀬川 徹・小木曽義弘・藤井拓郎・高橋 亮（NTT） R2016-30 EMD2016-34 CPM2016-43 OPE2016-64 LQE2016-39 |
これまで我々は、EAMゲートアレイを用いた分配選択型光スイッチの開発を進めてきた．本報告では，光ファイバとの結合効率の向... [more] | R2016-30 EMD2016-34 CPM2016-43 OPE2016-64 LQE2016-39 pp.55-60 |
| LQE | 2015-12-18 16:35 |
東京 | 機械振興会館 (東京都, 東京都) | ［招待講演］Low threshold lasers for datacom and computercom applications ○Shinji Matsuo・Koji Takeda・Takuro Fujii・Hidetaka Nishi・Koichi Hasebe・Takaaki Kakitsuka（NTT） LQE2015-133 |
[more] | LQE2015-133 pp.41-46 |
| OPE, LQE (共催) |
2014-12-19 12:05 |
東京 | 機械振興会館(12/18)、NTT厚木センタ(12/19) (東京都) | ［奨励講演］微小な埋込みヘテロ構造をもつフォトニック結晶導波路型InGaAs光ディテクタ ○野崎謙悟・松尾慎治・藤井拓郎・武田浩司・倉持栄一・納富雅也（NTT） OPE2014-145 LQE2014-132 |
InPフォトニック結晶スラブ導波路中に，長さ1.7ミクロン程度の微小なInGaAs埋め込みヘテロ(BH)構造を形成したp... [more] | OPE2014-145 LQE2014-132 pp.31-35 |
| OCS, OPE, LQE (共催) |
2014-10-30 17:45 |
長崎 | 長崎歴史文化博物館 (長崎県) | SiO2/Si基板上InP系活性層薄膜への埋込み成長によるレーザ作製 ○藤井拓郎・佐藤具就・武田浩司・長谷部浩一・硴塚孝明・松尾慎治（NTT） OCS2014-68 OPE2014-112 LQE2014-86 |
大規模光集積デバイスの実現に向けて、Si基板上の任意の箇所に小型・高効率なIII-V族半導体レーザーを作製する技術が求め... [more] | OCS2014-68 OPE2014-112 LQE2014-86 pp.135-140 |
| EMD, LQE, OPE, CPM, R (共催) |
2014-08-21 11:15 |
北海道 | 小樽経済センター (北海道) | シリコン酸化膜上の横注入DFBレーザ ○松尾慎治・藤井拓郎・長谷部浩一・武田浩司・佐藤具就・硴塚孝明（NTT） R2014-25 EMD2014-30 CPM2014-45 OPE2014-55 LQE2014-29 |
埋込みヘテロ構造と上下を低屈折率材料で挟まれた二次元薄膜構造（メンブレン構造）を持つ半導体レーザは、効率的なキャリアと光... [more] | R2014-25 EMD2014-30 CPM2014-45 OPE2014-55 LQE2014-29 pp.13-16 |
| MWP, EMT, PN, LQE, OPE, EST (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2014-01-24 17:25 |
京都 | 同志社大学（烏丸キャンパス） (京都府) | 微小な埋込みヘテロ構造をもつフォトニック結晶導波路型InGaAs光ディテクタの検討 ○野崎謙悟・松尾慎治・武田浩司・佐藤具就・藤井拓郎・倉持栄一・納富雅也（NTT） PN2013-83 OPE2013-197 LQE2013-183 EST2013-132 MWP2013-103 |
InPフォトニック結晶スラブ導波路中に，長さ1.7 micron程度の微小なInGaAs埋め込みヘテロ(BH)構造を形成... [more] | PN2013-83 OPE2013-197 LQE2013-183 EST2013-132 MWP2013-103 pp.307-310 |
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