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 14件中 1~14件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EMD, R, LQE, OPE, CPM
(共催)
2022-08-26
15:40
千葉 千葉工業大学津田沼キャンパス + オンライン開催
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]光電子融合に向けたシリコン基板上メンブレン光デバイスの進展
前田圭穂開 達郎相原卓磨藤井拓郎佐藤具就土澤 泰瀬川 徹松尾慎治NTT
(ご登録済みです.開催日以降に掲載されます) [more]
OCS, OPE, LQE
(共催)
2021-10-22
15:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]OFC2021報告 ~ 光デバイス関連 ~
藤井拓郎NTTOCS2021-16 OPE2021-36 LQE2021-15
2021年6月6日から10.日までバーチャル開催されたOFC2021における、光デバイス関連の発表動向を報告する。 [more] OCS2021-16 OPE2021-36 LQE2021-15
pp.19-22
LQE, OCS, OPE
(共催)
2021-02-18
17:20
ONLINE オンライン開催 [特別招待講演]Siプラットフォーム上薄膜InGaAsP電界吸収型変調器
開 達郎相原卓磨前田圭穂藤井拓郎土澤 泰NTT)・髙畑清人硴塚孝明早大)・松尾慎治NTTOCS2020-41 OPE2020-73 LQE2020-79
 [more] OCS2020-41 OPE2020-73 LQE2020-79
pp.5-9
OPE, LQE, OCS
(共催)
2019-11-11
15:20
東京 機械振興会館 [招待講演]ECOC2019報告 ~ 通信用光デバイス・モジュール関連 ~
藤井拓郎NTTOCS2019-56 OPE2019-94 LQE2019-72
2019年9月23日から26日までアイルランド・ダブリンにて開催されたECOC2019における、通信用光デバイス・モジュ... [more] OCS2019-56 OPE2019-94 LQE2019-72
pp.23-26
OCS, OPE, LQE
(共催)
2018-11-12
17:15
東京 機械振興会館 [特別招待講演]Si基板上薄膜InGaAsPマッハツェンダ変調器
開 達郎相原卓磨武田浩司藤井拓郎硴塚孝明土澤 泰福田 浩松尾慎治NTTOCS2018-67 OPE2018-96 LQE2018-85
(事前公開アブストラクト) Si基板上に薄膜InGaAsP位相シフタと水素フリーSiN導波路を集積し、マッハツェンダ変調... [more] OCS2018-67 OPE2018-96 LQE2018-85
pp.31-34
LQE, LSJ
(共催)
2018-05-25
13:50
福井 芦原温泉清風荘 8ch直接変調メンブレンレーザアレイとSiN AWGフィルタのSi基板上モノリシック集積
西 英隆藤井拓郎ディアマドプロス ニコラオス パデレイモン武田浩司菅野絵理奈硴塚孝明土澤 泰福田 浩松尾慎治NTTLQE2018-17
 [more] LQE2018-17
pp.29-32
LQE, LSJ
(共催)
2017-05-26
10:50
石川 山代温泉葉渡莉 III-V/Si MOS キャパシタマッハツェンダ変調器
開 達郎相原卓磨長谷部浩一藤井拓郎武田浩司硴塚孝明土澤 泰福田 浩松尾慎治NTTLQE2017-13
 [more] LQE2017-13
pp.53-56
LQE, OPE, EMD, R, CPM
(共催)
2016-08-25
09:20
北海道 函館ロワジールホテル オンシリコン短共振器メンブレンレーザの室温連続発振
菅野絵理奈武田浩司藤井拓郎長谷部浩一西 英隆山本 剛硴塚孝明松尾慎治NTTR2016-19 EMD2016-23 CPM2016-32 OPE2016-53 LQE2016-28
短距離光インターコネクト実現に向け、直接変調レーザの低消費エネルギー化が求められている。我々は、InP薄膜構造をSiO2... [more] R2016-19 EMD2016-23 CPM2016-32 OPE2016-53 LQE2016-28
pp.1-4
LQE, OPE, EMD, R, CPM
(共催)
2016-08-25
16:30
北海道 函館ロワジールホテル EAMゲートアレイを用いた分配選択型光スイッチモジュール
村中勇介瀬川 徹小木曽義弘藤井拓郎高橋 亮NTTR2016-30 EMD2016-34 CPM2016-43 OPE2016-64 LQE2016-39
これまで我々は、EAMゲートアレイを用いた分配選択型光スイッチの開発を進めてきた.本報告では,光ファイバとの結合効率の向... [more] R2016-30 EMD2016-34 CPM2016-43 OPE2016-64 LQE2016-39
pp.55-60
LQE 2015-12-18
16:35
東京 機械振興会館 [招待講演]Low threshold lasers for datacom and computercom applications
Shinji MatsuoKoji TakedaTakuro FujiiHidetaka NishiKoichi HasebeTakaaki KakitsukaNTTLQE2015-133
 [more] LQE2015-133
pp.41-46
OPE, LQE
(共催)
2014-12-19
12:05
東京 機械振興会館(12/18)、NTT厚木センタ(12/19) [奨励講演]微小な埋込みヘテロ構造をもつフォトニック結晶導波路型InGaAs光ディテクタ
野崎謙悟松尾慎治藤井拓郎武田浩司倉持栄一納富雅也NTTOPE2014-145 LQE2014-132
InPフォトニック結晶スラブ導波路中に,長さ1.7ミクロン程度の微小なInGaAs埋め込みヘテロ(BH)構造を形成したp... [more] OPE2014-145 LQE2014-132
pp.31-35
OCS, OPE, LQE
(共催)
2014-10-30
17:45
長崎 長崎歴史文化博物館 SiO2/Si基板上InP系活性層薄膜への埋込み成長によるレーザ作製
藤井拓郎佐藤具就武田浩司長谷部浩一硴塚孝明松尾慎治NTTOCS2014-68 OPE2014-112 LQE2014-86
大規模光集積デバイスの実現に向けて、Si基板上の任意の箇所に小型・高効率なIII-V族半導体レーザーを作製する技術が求め... [more] OCS2014-68 OPE2014-112 LQE2014-86
pp.135-140
EMD, LQE, OPE, CPM, R
(共催)
2014-08-21
11:15
北海道 小樽経済センター シリコン酸化膜上の横注入DFBレーザ
松尾慎治藤井拓郎長谷部浩一武田浩司佐藤具就硴塚孝明NTTR2014-25 EMD2014-30 CPM2014-45 OPE2014-55 LQE2014-29
埋込みヘテロ構造と上下を低屈折率材料で挟まれた二次元薄膜構造(メンブレン構造)を持つ半導体レーザは、効率的なキャリアと光... [more] R2014-25 EMD2014-30 CPM2014-45 OPE2014-55 LQE2014-29
pp.13-16
MWP, EMT, PN, LQE, OPE, EST
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2014-01-24
17:25
京都 同志社大学(烏丸キャンパス) 微小な埋込みヘテロ構造をもつフォトニック結晶導波路型InGaAs光ディテクタの検討
野崎謙悟松尾慎治武田浩司佐藤具就藤井拓郎倉持栄一納富雅也NTTPN2013-83 OPE2013-197 LQE2013-183 EST2013-132 MWP2013-103
InPフォトニック結晶スラブ導波路中に,長さ1.7 micron程度の微小なInGaAs埋め込みヘテロ(BH)構造を形成... [more] PN2013-83 OPE2013-197 LQE2013-183 EST2013-132 MWP2013-103
pp.307-310
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