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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, OME
(共催)
2021-04-23
16:20
沖縄 沖縄県青年会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]酸化物薄膜トランジスタにおけるホットキャリア効果
浦岡行治高橋崇典藤井茉美ベルムンド パオロ上沼睦典奈良先端大SDM2021-6 OME2021-6
 [more] SDM2021-6 OME2021-6
pp.22-25
SDM, EID
(共催)
2016-12-12
10:00
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 SrTa2O6によるIGZO薄膜トランジスタの高性能化要因解析
及川賢人藤井茉美Bermundo Juan Paolo奈良先端大)・内山 潔鶴岡高専)・石河泰明浦岡行治奈良先端大
 [more]
CPM, OPE, LQE, R, EMD
(共催)
2015-08-27
10:35
青森 青森県観光物産館アスパム イオン液体をゲート絶縁膜として用いた高信頼性IGZO-TFTの開発
岡田広美藤井茉美石河泰明奈良先端大)・三輪一元電中研)・浦岡行治奈良先端大)・小野新平電中研R2015-23 EMD2015-31 CPM2015-47 OPE2015-62 LQE2015-31
非晶質InGaZnO(a-IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)は,優れた電気特性,低温作製可能,ワイドバンドギャップとい... [more] R2015-23 EMD2015-31 CPM2015-47 OPE2015-62 LQE2015-31
pp.5-8
CPM, OPE, LQE, R, EMD
(共催)
2015-08-27
11:00
青森 青森県観光物産館アスパム ゲート絶縁膜中フッ素による高信頼性a-InGaZnO TFTの実現
山﨑はるか石河泰明藤井茉美ジョアン パウロ ベルムンド奈良先端大)・高橋英治安東靖典日新電機)・浦岡行治奈良先端大R2015-24 EMD2015-32 CPM2015-48 OPE2015-63 LQE2015-32
近年、透明アモルファス酸化物半導体であるa-InGaZnO (a-IGZO)を用いた薄膜トランジスタ(TFT)は、次世代... [more] R2015-24 EMD2015-32 CPM2015-48 OPE2015-63 LQE2015-32
pp.9-11
SDM 2015-06-19
15:50
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー Fully compatible resistive random access memory with amorphous InGaZnO based thin film transistor fabrication process
Keisuke KadoMutsunori UenumaKyouhei NabesakaKriti SharmaHaruka YamazakiSatoshi UrakawaMami FujiiYasuaki IshikawaYukiharu UraokaNAISTSDM2015-52
酸化物薄膜トランジスタ (TFT) は低オフリークで高性能であるため,ディスプレイの駆動チャネル材料として有望であり,同... [more] SDM2015-52
pp.75-80
SDM 2010-12-17
17:25
京都 京都大学(桂) 高圧水蒸気熱処理によるa-In2Ga2Zn1O7 TFTの特性改善効果
丸山智己藤井茉美奈良先端大)・笠見雅司矢野公規出光興産)・堀田昌宏石河泰明奈良先端大)・浦岡行治奈良先端大/JSTSDM2010-203
非晶質酸化物半導体(a-IGZO)は,透明フレキシブル薄膜トランジスタ(TFT)を実現する上で,有用な材料である.a-I... [more] SDM2010-203
pp.99-102
SDM, OME
(共催)
2008-04-11
14:05
沖縄 沖縄県青年会館 Ga2o3-In2O3-Zno(GIZO)薄膜を用いた薄膜トランジスタの劣化
藤井茉美矢野裕司畑山智亮浦岡行治冬木 隆奈良先端大)・Ji Sim JungJang Yeon Kwonサムスン総合技術院SDM2008-10 OME2008-10
我々は、DCストレス下におけるGa2O3-In2O3-ZnO(GIZO)薄膜トランジスタの劣化について調査した。正のゲー... [more] SDM2008-10 OME2008-10
pp.47-50
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