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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, THz (共催) |
2021-12-21 10:20 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
エピスケーリングを施したGaInSb-HEMTの特性評価と遅延時間解析 礒前雄人・岸本尚之・林 拓也・國澤宗真（東京理科大）・渡邊一世・山下良美・町田龍人・原 紳介・笠松章史（NICT）・○遠藤 聡・藤代博記（東京理科大）  ED2021-57 |
我々は３種類のAl0.40In0.60Sb/Ga0.22In0.78Sb-HEMTを作製した．これらのHEMTエピタキシ... [more] | ED2021-57 pp.44-47 |
| ED, THz (共催) [詳細] |
2019-12-23 16:45 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 | 歪みAl0.40In0.60Sb/Al0.25In0.75Sbステップバッファを用いたGaInSb n-チャネルHEMT ○大澤幸希・岩木拓也・遠藤勇輝・平岡瑞穂・岸本尚之・林 拓也（東京理科大）・渡邊一世（NICT/東京理科大）・山下良美・原 紳介・後藤高寛・笠松章史（NICT）・遠藤 聡・藤代博記（東京理科大） ED2019-83 |
我々は，世界初となるGaInSb n-チャネルHEMTの作製に成功し，これらのHEMTの特性を評価した．我々が以前に作製... [more] | ED2019-83 pp.29-32 |
| ED, THz (共催) |
2018-12-18 09:00 |
宮城 | 東北大・通研 | ［招待講演］InP系、Sb系及びGaN系HEMTの高速化 ○遠藤 聡・渡邊一世・山下良美・笠松章史（NICT）・藤代博記（東京理科大）・三村高志（NICT） ED2018-62 |
我々は，電子ビーム露光法を用いて微細ゲートを有するInP系，Sb系及びGaN系HEMTを作製し，これらのHEMTの特性を... [more] | ED2018-62 pp.35-38 |
| ED, THz (共催) |
2017-12-19 09:00 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | ［招待講演］アンチモン系トランジスタの開発 ○藤代博記・磯野恭佑・高橋択斗・原田義彬・岡 直希・竹内 淳・藤澤由衣（東京理科大）・藤川紗千恵（東京電機大）・町田龍人（東京理科大）・渡邊一世・山下良美・遠藤 聡・原 紳介・笠松章史（NICT） ED2017-81 |
量子補正モンテカルロ法を用いた解析により，InSb HEMTは電子有効質量m*が小さいために電子移動度μと電子速度vdが... [more] | ED2017-81 pp.33-36 |
| ED | 2015-07-25 11:05 |
石川 | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) | AlInSbステップバッファ層を用いたInSb量子井戸歪緩和構造の電子輸送特性 ○竹鶴達哉・藤川紗千恵・原田義彬・鈴木浩基・磯野恭佑・加藤三四郎・辻 大介・藤代博記（東京理科大） ED2015-45 |
MBE法を用いて成長させたGaAs (100) 基板上InSb量子井戸構造の電子輸送特性向上のため、新たなAlInSbバ... [more] | ED2015-45 pp.45-49 |
| ED | 2014-08-01 11:45 |
東京 | 機械振興会館B3-1室 | 貫通転位がInSb HEMT のデバイス特性に与える影響の解析 ○初芝正太・長井彰平・藤川紗千恵（東京理科大）・原 紳介・遠藤 聡・渡邊一世・笠松章史（NICT）・藤代博記（東京理科大） ED2014-55 |
転位散乱がInSb HEMTのデバイス特性に与える影響を解析するため，量子補正モンテカ ルロ(QC-MC)シミュレータ... [more] |
ED2014-55 pp.13-18 |
| ED | 2014-08-01 14:20 |
東京 | 機械振興会館B3-1室 | III-V DG MOSFETにおける遅延時間の発生メカニズムの解析 ○矢島悠貴・大濱諒子・藤川紗千恵・藤代博記（東京理科大） ED2014-57 |
Si MOSFETの微細化限界が近づきつつある現在，微細化に依らない性能向上の実現のため，III-V族化合物半導体をチャ... [more] | ED2014-57 pp.25-28 |
| ED | 2013-08-09 09:25 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 | 真空アニール法がAl2O3/GaSb MOS界面に与える影響 ○後藤高寛・藤川紗千恵・藤代博記（東京理科大）・小倉睦郎・安田哲二・前田辰郎（産総研） ED2013-45 |
あらまし MOCVD法を用いてGaAs基板上に低温GaSbバッファー層を挟みGaSb層を成長させた．GaSb/GaAs界... [more] | ED2013-45 pp.37-42 |
| ED | 2013-08-09 09:50 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 | Ga/Si(111)表面再構成構造を用いたSi(111)基板上GaSbナノ構造の形成 ○町田龍人・戸田隆介・吉木圭祐・藤川紗千恵（東京理科大）・原 紳介（NICT）・色川勝己・三木裕文（東京理科大）・河津 璋（東京電機大）・藤代博記（東京理科大） ED2013-46 |
Si基板上のGaSbナノ構造は近赤外の発光素子への応用が期待されており，エピタキシャル成長法による形成の制御技術を確立す... [more] | ED2013-46 pp.43-48 |
| ED | 2012-07-27 09:30 |
福井 | 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部３Ｆ研修室 | 量子補正モンテカルロ法による歪みInSb HEMTの遅延時間解析 ○永井佑太郎・佐藤 純・原 紳介・藤代博記（東京理科大）・遠藤 聡・渡邊一世（NICT） ED2012-48 |
InSbの歪みバンド構造を計算し，量子補正モンテカルロ法を用いてInSb HEMTの特性を解析した．またInAs HEM... [more] | ED2012-48 pp.37-42 |
| ED | 2011-07-30 12:05 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | 量子補正モンテカルロ法による歪みInAs HEMTの解析 ○佐藤 純・町田史晴・原 紳介・藤代博記（東京理科大） ED2011-53 |
テラヘルツ応用やポストSi CMOS等の次世代デバイスとして，高い電子移動度を示すInAsをチャネルに用いたデバイスが注... [more] | ED2011-53 pp.79-84 |
| ED | 2010-06-18 10:00 |
石川 | 北陸先端大 | InGaAs-Channel MOSFETのキャリア輸送に関する理論的解析 ○本間嵩広・渡邉久巨・原 紳介・藤代博記（東京理科大） ED2010-42 |
ポストSi MOSFETとして，Siよりも有効質量が小さく高い電子移動度を示すIII-V族化合物半導体をチャネル材料に用... [more] | ED2010-42 pp.47-52 |
| ED | 2009-06-12 09:30 |
東京 | 東京工業大学 | 歪み印加時のInAsとInSbのバンド構造と電子輸送特性に関する理論的解析 ○西野啓之・川平一太・原 伸介・藤代博記（東京理科大） ED2009-44 |
InAsやInSb等のナローギャップ化合物半導体をチャネルに用いたデバイスは，テラヘルツ応用やポストSi CMOS 等の... [more] | ED2009-44 pp.41-46 |
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