| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-12-01 16:40 |
静岡 | アクトシティ浜松 | 230nm帯far-UVCLEDの短波長化の検討と高出力LEDパネルの実現 ○牟田実広・大神裕之・毛利健吾・河島宏和（日本タングステン）・前田哲利・アジマル カーン・鹿嶋行雄・松浦恵里子・中村勇稀・住司 光・桐原大河（理研）・藤川紗千恵・矢口裕之（埼玉大）・祝迫 恭（日本タングステン）・平山秀樹（理研）  ED2023-37 CPM2023-79 LQE2023-77 |
本研究では、人体無害波長230nm帯遠紫外線LEDの短波長化と高出力化の開発を行った。AlGaNバッファー層の高Al組成... [more] | ED2023-37 CPM2023-79 LQE2023-77 pp.102-105 |
| ED, THz (共催) |
2017-12-19 09:00 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | ［招待講演］アンチモン系トランジスタの開発 ○藤代博記・磯野恭佑・高橋択斗・原田義彬・岡 直希・竹内 淳・藤澤由衣（東京理科大）・藤川紗千恵（東京電機大）・町田龍人（東京理科大）・渡邊一世・山下良美・遠藤 聡・原 紳介・笠松章史（NICT） ED2017-81 |
量子補正モンテカルロ法を用いた解析により，InSb HEMTは電子有効質量m*が小さいために電子移動度μと電子速度vdが... [more] | ED2017-81 pp.33-36 |
| ED | 2015-07-25 11:05 |
石川 | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) | AlInSbステップバッファ層を用いたInSb量子井戸歪緩和構造の電子輸送特性 ○竹鶴達哉・藤川紗千恵・原田義彬・鈴木浩基・磯野恭佑・加藤三四郎・辻 大介・藤代博記（東京理科大） ED2015-45 |
MBE法を用いて成長させたGaAs (100) 基板上InSb量子井戸構造の電子輸送特性向上のため、新たなAlInSbバ... [more] | ED2015-45 pp.45-49 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-27 14:05 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | 窒化物LED高効率化のためのナノインプリントとドライエッチングによる微細加工制御技術 ○鹿嶋行雄・松浦恵里子（丸文）・嶋谷 聡（東京応化）・小久保光典・田代貴晴・大川貴史（東芝機械）・上村隆一郎・長田大和（アルバック）・藤川紗千恵・平山秀樹（理研） ED2014-79 CPM2014-136 LQE2014-107 |
フォトニック結晶を窒化物ＬＥＤに形成し、光取出し効率を向上した結果を示す。また、シミュレーションによるフォトニック結晶の... [more] | ED2014-79 CPM2014-136 LQE2014-107 pp.27-32 |
| ED | 2014-08-01 11:45 |
東京 | 機械振興会館B3-1室 | 貫通転位がInSb HEMT のデバイス特性に与える影響の解析 ○初芝正太・長井彰平・藤川紗千恵（東京理科大）・原 紳介・遠藤 聡・渡邊一世・笠松章史（NICT）・藤代博記（東京理科大） ED2014-55 |
転位散乱がInSb HEMTのデバイス特性に与える影響を解析するため，量子補正モンテカ ルロ(QC-MC)シミュレータ... [more] |
ED2014-55 pp.13-18 |
| ED | 2014-08-01 14:20 |
東京 | 機械振興会館B3-1室 | III-V DG MOSFETにおける遅延時間の発生メカニズムの解析 ○矢島悠貴・大濱諒子・藤川紗千恵・藤代博記（東京理科大） ED2014-57 |
Si MOSFETの微細化限界が近づきつつある現在，微細化に依らない性能向上の実現のため，III-V族化合物半導体をチャ... [more] | ED2014-57 pp.25-28 |
| ED | 2013-08-09 09:25 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 | 真空アニール法がAl2O3/GaSb MOS界面に与える影響 ○後藤高寛・藤川紗千恵・藤代博記（東京理科大）・小倉睦郎・安田哲二・前田辰郎（産総研） ED2013-45 |
あらまし MOCVD法を用いてGaAs基板上に低温GaSbバッファー層を挟みGaSb層を成長させた．GaSb/GaAs界... [more] | ED2013-45 pp.37-42 |
| ED | 2013-08-09 09:50 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 | Ga/Si(111)表面再構成構造を用いたSi(111)基板上GaSbナノ構造の形成 ○町田龍人・戸田隆介・吉木圭祐・藤川紗千恵（東京理科大）・原 紳介（NICT）・色川勝己・三木裕文（東京理科大）・河津 璋（東京電機大）・藤代博記（東京理科大） ED2013-46 |
Si基板上のGaSbナノ構造は近赤外の発光素子への応用が期待されており，エピタキシャル成長法による形成の制御技術を確立す... [more] | ED2013-46 pp.43-48 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 13:40 |
大阪 | 大阪市立大学 | AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み ○富田優志（埼玉大）・平山秀樹・藤川紗千恵（理研）・水澤克哉・豊田史朗・鎌田憲彦（埼玉大） ED2012-84 CPM2012-141 LQE2012-112 |
AlGaN系深紫外LEDのAlNバッファーを結合ピラー構造とすることで、貫通転位密度低減による内部量子効率（IQE）の向... [more] | ED2012-84 CPM2012-141 LQE2012-112 pp.87-92 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-18 13:10 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール | m軸およびa軸オフ角C面サファイア基板上のAlN結晶成長の特徴と高出力AlGaN深紫外LEDの作製 ○前田哲利・平山秀樹・藤川紗千恵（理研） ED2011-94 CPM2011-143 LQE2011-117 |
m軸およびa軸オフ角0.15°のc面(0001)サファイア基板上の、MOCVDによるAlN結晶成長の特徴を比較調査した。... [more] | ED2011-94 CPM2011-143 LQE2011-117 pp.107-112 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 17:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | ELO-AINテンプレート上に作製した270nm帯ALGaN紫外LED ○乗松 潤・平山秀樹・藤川紗千恵・野口憲路（理研/埼玉大/JST）・高野隆好（理研/パナソニック電工）・椿 健治（理研/埼玉大/JST）・鎌田憲彦（埼玉大/JST） ED2008-168 CPM2008-117 LQE2008-112 |
波長250-280nm帯の紫外LED・LDは今後殺菌用途応用への展開が予測され、その高効率・高出力化が大変期待されている... [more] | ED2008-168 CPM2008-117 LQE2008-112 pp.77-82 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 09:00 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 280nm帯InAlGaN高出力紫外LED ○平山秀樹・藤川紗千恵（理研/埼玉大/JST）・高野隆好・椿 健治（松下電工） ED2008-169 CPM2008-118 LQE2008-113 |
波長250-280nm帯の紫外LED・LDは殺菌用途への展開が予測され、高効率・高出力化が期待されている。Inを数%程度... [more] | ED2008-169 CPM2008-118 LQE2008-113 pp.83-88 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-11 15:45 |
福井 | 福井大学 | p-InAlGaNと高品質AlNを用いた340nm帯高出力LED ○藤川紗千恵（理研）・高野隆好・近藤行廣（松下電工）・平山秀樹（理研） ED2007-161 CPM2007-87 LQE2007-62 |
[more] | ED2007-161 CPM2007-87 LQE2007-62 pp.29-34 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-14 15:10 |
滋賀 | 立命館大学 | 330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測 ○平山秀樹・高野隆好（理研）・大橋智昭（理研/埼玉大）・藤川紗千恵（理研）・鎌田憲彦（埼玉大）・近藤行廣（理研） |
[more] | ED2005-153 CPM2005-140 LQE2005-80 pp.67-72 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]