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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ICD (共催) |
2015-08-24 10:55 |
熊本 | 熊本市 | ［招待講演］TFET（トンネルトランジスタ）のコンパクトモデル実装と超低消費電力回路応用検討 ○田中千加・外園 明・安達甘奈・後藤正和・近藤佳之・杉崎絵美子・藤松基彦・原 浩幸・宮野信治・櫛田桂一・川中 繁（東芝）  SDM2015-59 ICD2015-28 |
[more] | SDM2015-59 ICD2015-28 pp.11-13 |
| ED | 2014-08-01 11:20 |
東京 | 機械振興会館B3-1室 | GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いたDouble-Gate Tunnel FETの理論特性とその実験的検証 ○大橋一水・藤松基彦・宮本恭幸（東工大） ED2014-54 |
次世代のスイッチングデバイスとしてTunnel FETが注目されている。Tunnel FETには急峻なSub-thres... [more] | ED2014-54 pp.7-11 |
| ED | 2014-08-01 13:30 |
東京 | 機械振興会館B3-1室 | ［招待講演］低電圧/高速動作にむけたInGaAs MOSFETソース構造 ○宮本恭幸・金澤 徹・米内義晴・加藤 淳・藤松基彦・柏野壮志・大澤一斗・大橋一水（東工大） ED2014-56 |
高いオン電流($I_{on}$)と低いオフ電流 ($I_{off}$) を低電源電圧で実現することは、論理回路応用の為に... [more] | ED2014-56 pp.19-24 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 09:00 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型InGaAsチャネルMISFETの高電圧利得化 ○柏野壮志・平井 準・池田俊介・藤松基彦・宮本恭幸（東工大） ED2012-26 CPM2012-10 SDM2012-28 |
我々はヘテロ接合電子ランチャと真性半導体チャネルを有する縦型MISFETの研究を行っている。この構造により7 MA/cm... [more] | ED2012-26 CPM2012-10 SDM2012-28 pp.43-48 |
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