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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
R 2017-11-16
14:25
大阪 大阪中央電気俱楽部 結露サイクル試験を用いたAgのエレクトロケミカルマイグレーションの評価
仙波孝彬石津勝之藤澤孝文村田製作所R2017-51
通電で発熱している樹脂モールド品において,長期使用でAgのエレクトロケミカルマイグレーション(以下マイグレーションと呼ぶ... [more] R2017-51
pp.5-8
SDM 2009-10-29
17:15
宮城 東北大学 大規模アレイTEGを用いた長時間測定によるランダム・テレグラフ・シグナルの統計的評価
藤澤孝文阿部健一渡部俊一宮本直人寺本章伸須川成利大見忠弘東北大SDM2009-123
MOSFETの微細化,低ノイズデバイス作製のために,RTSノイズを抑制することが必要である.本報告では短時間で多数個のR... [more] SDM2009-123
pp.31-36
SDM, ED
(共催)
2009-06-24
16:45
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) A Statistical Analysis of Distributions of RTS Characteristics by Wide-Range Sampling Frequencies
Kenichi AbeTakafumi FujisawaAkinobu TeramotoSyunichi WatabeShigetoshi SugawaTadahiro OhmiTohoku Univ.ED2009-57 SDM2009-52
 [more] ED2009-57 SDM2009-52
pp.29-32
SDM 2008-10-10
14:00
宮城 東北大学 MOSFET特性ばらつき、RTSノイズの統計的評価
藤澤孝文須川成利渡部俊一阿部健一寺本章伸大見忠弘東北大SDM2008-163
 [more] SDM2008-163
pp.45-50
SDM 2008-10-10
15:15
宮城 東北大学 Stress Induced Leakage CurrentとRandom Telegraph Signalノイズとの相関
熊谷勇喜寺本章伸阿部健一藤澤孝文渡部俊一諏訪智之宮本直人須川成利大見忠弘東北大SDM2008-165
絶縁膜にFowler-Noldheim(FN)電子注入ストレスを印加した際の、stress induced leakag... [more] SDM2008-165
pp.57-62
SDM 2007-10-05
16:15
宮城 東北大学 プラズマプロセスによるMOSFET特性ばらつきの統計的評価
渡部俊一須川成利阿部健一藤澤孝文宮本直人寺本章伸大見忠弘東北大SDM2007-193
新規に提案した大規模アレイTEGを用い、アンテナ比を変化させた多数個のMOSFETの電気的特性を統計的に評価した。アンテ... [more] SDM2007-193
pp.69-72
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