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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, MW
(共催)
2024-01-25
15:30
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
EID AlGaN/GaN MOS-HEMTにおけるAl2O3ゲート酸化膜直下の電子状態解析
南條拓真清井 明今澤貴史古橋壮之西川和康三菱電機)・江川孝志名工大ED2023-68 MW2023-160
ノーマリオフ動作するプレーナ型のExtrinsically Electron Induced by Dielectric... [more] ED2023-68 MW2023-160
pp.11-14
MW, ED
(共催)
2023-01-27
13:40
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
ノーマリオフ型EID-AlGaN/GaN MOS-HEMTの大電流/高耐圧動作実証
南條拓真品川友宏綿引達郎三浦成久古橋壮之西川和康三菱電機)・江川孝志名工大ED2022-93 MW2022-152
AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor(HEMT)は,通信用の高周波高出... [more] ED2022-93 MW2022-152
pp.36-39
SDM 2022-11-11
14:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]酸窒化膜をゲート絶縁膜に有するSi面4H-SiC MOSFETにおける反転層移動度の評価とモデル化
野口宗隆渡邊 寛三菱電機)・喜多浩之東大)・西川和康三菱電機SDM2022-75
本研究では、酸窒化膜をゲート絶縁膜に有するSi面4H-SiC MOSFETの反転層移動度を広範囲のアクセプタ濃度で評価し... [more] SDM2022-75
pp.50-54
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