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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, SDM, CPM
(共催)
2024-05-24
15:50
北海道 北海道大学クラーク会館(札幌キャンパス)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
パワーサイクルセンサの感度向上に向けた新規構造の検討
大亀幸樹山北祐輝西澤伸一齋藤 渉九大
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SDM 2020-11-20
11:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]Si IGBTの3次元デバイス・シミュレーション ~ 物理モデルの検討と実測結果との比較 ~
執行直之渡辺正裕角嶋邦之星井拓也古川和由東工大)・中島 昭産総研)・佐藤克己三菱電機)・末代知子東芝)・更屋拓哉高倉俊彦伊藤一夫福井宗利鈴木慎一竹内 潔東大)・若林 整宗田伊里也東工大)・西澤伸一九大)・筒井一生東工大)・平本俊郎東大)・大橋弘通岩井 洋東工大SDM2020-30
 [more] SDM2020-30
pp.36-40
SDM 2019-11-08
13:30
東京 機械振興会館 [招待講演]トレンチゲート型Si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション
渡辺正裕執行直之星井拓也古川和由角嶋邦之東工大)・佐藤克己三菱電機)・末代知子東芝デバイス&ストレージ)・更屋拓哉高倉俊彦伊藤一夫福井宗利鈴木慎一竹内 潔東大)・宗田伊里也若林 整東工大)・中島 昭産総研)・西澤伸一九大)・筒井一生東工大)・平本俊郎東大)・大橋弘通岩井 洋東工大SDM2019-77
トレンチゲート型シリコンIGBT(insulated gate bipolar transistor)の3次元TCADシ... [more] SDM2019-77
pp.45-48
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-08
10:25
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 [依頼講演]5Vゲート駆動による3300VスケーリングIGBTのスイッチング動作
平本俊郎更屋拓哉伊藤一夫高倉俊彦福井宗利鈴木慎一竹内 潔東大)・附田正則北九州市環境エレクトロニクス研)・沼沢陽一郎明大)・佐藤克己三菱電機)・末代知子東芝デバイス&ストレージ)・齋藤 渉九大)・角嶋邦之星井拓也古川和由渡辺正裕執行直之若林 整筒井一生岩井 洋東工大)・小椋厚志明大)・西澤伸一九大)・大村一郎九工大)・大橋弘通東工大SDM2019-42 ICD2019-7
 [more] SDM2019-42 ICD2019-7
pp.31-34
SDM 2019-01-29
15:40
東京 機械振興会館 [招待講演]5Vゲート駆動1200V級スケーリングIGBTの動作実証とスイッチング損失の低減
更屋拓哉伊藤一夫高倉俊彦福井宗利鈴木慎一竹内 潔東大)・附田正則北九州市環境エレクトロニクス研)・沼沢陽一郎明大)・佐藤克己三菱電機)・末代知子齋藤 渉東芝)・角嶋邦之星井拓也古川和由渡辺正裕執行直之筒井一生岩井 洋東工大)・小椋厚志明大)・西澤伸一九大)・大村一郎九工大)・大橋弘通東工大)・平本俊郎東大SDM2018-90
スケーリング原理に基づく5Vゲート駆動1200V耐圧を有するSi-IGBT (Insulated Gate Bipola... [more] SDM2018-90
pp.39-44
SDM 2017-06-20
15:15
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 508(AB) 分極接合基板上pチャネルGaN MOS構造の容量特性についての検討
高山留美星井拓也東工大)・中島 昭産総研)・西澤伸一九大)・大橋弘通角嶋邦之若林 整筒井一生東工大SDM2017-27
 [more] SDM2017-27
pp.31-34
ITE-BCT, CS, IE
(連催)
IPSJ-AVM
(連催) [詳細]
2012-12-06
10:00
福井 福井市地域交流プラザ モバイルデータ通信によるNOTTV番組内テレビ中継に関する報告
林 康彦西澤伸一大矢智之mmbi
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CS, IE
(共催)
IPSJ-AVM, ITE-BCT
(共催)
(連催) [詳細]
2010-12-02
14:50
京都 名古屋大学 ISDB-Tmm技術概要
大矢智之森住俊美西澤伸一中山賢二小金丸敬史上瀬千春mmbi
 [more]
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