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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SC | 2024-06-07 15:00 |
福島 | 会津大学 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
マイクロサービスアーキテクチャにおける疑似障害を用いた信頼性テスト技術 ○西 佑介・田口学豊（日立） |
[more] | |
| SC | 2023-06-02 15:20 |
福島 | 会津大学 UBIC 3D Theater （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
コネクテッドカーソリューション開発を加速するIoVプラットフォーム ○伊藤大生・西 佑介（日立）・新 吉高（日立Astemo）  SC2023-6 |
[more] | SC2023-6 pp.32-37 |
| ICM, IPSJ-IOT, IPSJ-CSEC (連催) |
2023-05-12 14:00 |
高知 | 高知工科大学永国寺キャンパス （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
ソースコードとシステムの構成の差異を修正する構成ドリフト修正機能 ○伊藤大生・西 佑介（日立）・新 吉高（日立Astemo） ICM2023-10 |
[more] | ICM2023-10 pp.47-52 |
| CPM | 2022-03-01 14:45 |
ONLINE | オンライン開催 | 酸化物を用いた抵抗変化素子のフォーミング特性の評価 ○大野知晟・西 佑介（舞鶴高専） CPM2021-77 |
[more] | CPM2021-77 pp.20-23 |
| EID, SDM (共催) ITE-IDY (連催) [詳細] |
2020-12-02 15:00 |
ONLINE | オンライン開催 | TiN電極を用いたTa2O5-ReRAM素子におけるデジタルおよびアナログ抵抗変化の共存 ○山田和尚・木本恒暢（京大）・西 佑介（京大/舞鶴高専） EID2020-11 SDM2020-45 |
本研究では、Ni/Ta2O5/TiN積層構造を有する素子の抵抗変化現象について調べた．同一の素子において、異なる二種類の... [more] | EID2020-11 SDM2020-45 pp.42-45 |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 11:45 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | NiOを用いたReRAMにおけるフォーミング特性の分布 ○西 佑介・木本恒暢（京大） EID2015-12 SDM2015-95 |
[more] | EID2015-12 SDM2015-95 pp.13-17 |
| SDM, EID (共催) |
2014-12-12 17:30 |
京都 | 京都大学 | NiOを用いたReRAMのセミフォーミング後における抵抗スイッチング特性 ○篠倉弘樹・西 佑介・岩田達哉・木本恒暢（京大） EID2014-38 SDM2014-133 |
我々はこれまで，NiOを用いた抵抗変化型メモリ(ReRAM)において，NiO堆積時の酸素流量を適切に調節することでフォー... [more] | EID2014-38 SDM2014-133 pp.129-134 |
| SDM | 2012-12-07 16:45 |
京都 | 京都大学(桂) | 金属/TiO2/金属積層構造の抵抗スイッチング特性に対する電極材料の影響 ○沖元直樹・岩田達哉・西 佑介・木本恒暢（京大） SDM2012-137 |
上部電極/TiO$_2$/Pt積層構造において、上部電極材料が抵抗スイッチング現象に与える影響について調べた。上部電極と... [more] | SDM2012-137 pp.129-132 |
| IN, NV (併催) |
2012-07-19 13:30 |
北海道 | 北海道大学 | VXLAN通信経路の高速切り替えを実現するマルチキャストツリー集中管理方式 ○西 佑介・坂田匡通・木下順史（日立） IN2012-33 |
大規模ネットワーク仮想化技術VXLAN（Virtual eXtensible Local Area Network）では... [more] | IN2012-33 pp.1-6 |
| SDM | 2011-12-16 17:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 抵抗変化型メモリ用Pt/NiO/Pt素子におけるフィラメント形成領域の特定とその評価 ○岩田達哉・西 佑介・木本恒暢（京大） SDM2011-148 |
[more] | SDM2011-148 pp.87-92 |
| SDM | 2010-12-17 13:50 |
京都 | 京都大学(桂) | 真空中での熱処理によるPt/NiO/Pt抵抗変化素子の電気的特性変化 ○岩田達哉・西 佑介・木本恒暢（京大） SDM2010-193 |
[more] | SDM2010-193 pp.45-49 |
| RCS, AN, MoNA, SR (併催) |
2010-03-05 16:40 |
神奈川 | YRP | センサネットワークにおけるセンサのグループ分けに基づく異常値検出を用いたNLOS環境での屋内位置推定 ○西 佑介・大槻知明（慶大） RCS2009-339 |
センサネットワークにおける位置推定法の１つに，受信信号強度 (RSSI: Received Signal Strengt... [more] | RCS2009-339 pp.479-484 |
| SDM | 2009-12-04 16:30 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜における電気的特性の組成依存性 ○岩田達哉・西 佑介・木本恒暢（京大） SDM2009-168 |
酸化ニッケル(NiO) は不定比酸化物として知られており，また，抵抗スイッチング特性を示すことから，抵抗変化型不揮発性メ... [more] | SDM2009-168 pp.89-92 |
| SDM | 2009-12-04 17:10 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜中の欠陥準位の検出 ○西 佑介・岩田達哉・木本恒暢（京大） SDM2009-170 |
抵抗変化特性を有するニッケル酸化物(NiO)薄膜が，抵抗変化型不揮発性メモリ(ReRAM)用材料の一つとして近年大いに注... [more] | SDM2009-170 pp.97-100 |
| SDM | 2008-12-05 10:30 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 | 抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜の構造および電気特性へのアニール効果 ○西 佑介・木本恒暢（京大） SDM2008-184 |
抵抗スイッチング特性を有するニッケル酸化物(NiO)薄膜が，抵抗変化型不揮発性メモリ(ReRAM)用材料の一つとして近年... [more] | SDM2008-184 pp.1-4 |
| USN, IPSJ-UBI (共催) |
2008-07-18 16:15 |
東京 | 東京電機大学（東京） | センサネットワークにおける減衰係数未知環境での分散位置推定法 ○西 佑介・大槻知明（慶大） USN2008-35 |
センサネットワークにおける位置推定法の１つに，受信信号強度 (RSSI: Received Signal Strengt... [more] | USN2008-35 pp.141-146 |
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