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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE 2015-12-18
14:45
東京 機械振興会館 [招待講演]Realization and Applications of Mass-Productive Quantum Dot Lasers
Kenichi NishiUniv.Tokyo)・Keizo TakemasaMitsuru SugawaraQDLaser)・Yasuhiko ArakawaUniv.TokyoLQE2015-130
The improvements in self-assembled InAs quantum dots (QDs) h... [more] LQE2015-130
pp.31-35
LQE 2011-12-16
11:20
東京 機械振興会館 高温(220℃)における1300 nm帯量子ドットレーザの連続発振
影山健生QDレーザ)・西 研一QDレーザ/東大)・山口正臣富士通研)・持田励雄QDレーザ/東大)・前多泰成武政敬三QDレーザ)・田中 有富士通研)・山本剛之QDレーザ/富士通研/東大)・菅原 充QDレーザ/東大)・荒川泰彦東大LQE2011-126
高温環境下での半導体レーザ発振動作は,厳しい条件下(宇宙,地中)でのセンシング等実現のために重要であり、特に波長が長波長... [more] LQE2011-126
pp.17-20
CPM, OPE, LQE, EMD
(共催)
2011-08-26
13:30
北海道 北海道大学 創成科学研究棟 5階 大会議室 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発
高田 幹東大)・田中 有富士通研/QDレーザ)・松本 武富士通研)・近藤勇人持田励雄前多泰成山口正臣影山健生武政敬三西 研一QDレーザ)・中田義昭山本剛之富士通研/QDレーザ)・菅原 充QDレーザ)・荒川泰彦東大EMD2011-53 CPM2011-97 OPE2011-88 LQE2011-51
光アクセス系で導入が進められている10G-EPONなどの次世代10ギガビット級PON (Passive Optical ... [more] EMD2011-53 CPM2011-97 OPE2011-88 LQE2011-51
pp.109-112
EMD, OPE, LQE, CPM
(共催)
2010-08-27
17:20
北海道 千歳アルカディアプラザ 高密度化による波長1.3um帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上
田中 有富士通研/富士通/QDレーザ/光電子融合基盤技研)・高田 幹石田 充東大)・松本 武宋 海智江川 満富士通研)・中田義昭富士通研/QDレーザ)・山本剛之富士通研/富士通/光電子融合基盤技研)・山口正臣西 研一菅原 充QDレーザ)・荒川泰彦東大EMD2010-60 CPM2010-76 OPE2010-85 LQE2010-58
 [more] EMD2010-60 CPM2010-76 OPE2010-85 LQE2010-58
pp.157-162
LQE, OPE
(共催)
2009-06-19
17:10
東京 機械振興会館6階66号室 波長1.3um帯InAs/GaAs量子ドットレーザ ~ 単一モード化、高速化の検討 ~
田中 有富士通研/富士通/QDレーザ/光協会)・高田 幹石田 充東大)・前多泰成QDレーザ)・松本 武江川 満宋 海智富士通研)・山口正臣QDレーザ)・中田義昭富士通研/QDレーザ)・西 研一QDレーザ)・山本剛之富士通研/富士通/光協会)・菅原 充富士通研/富士通/QDレーザ/光協会)・荒川泰彦東大OPE2009-29 LQE2009-32
 [more] OPE2009-29 LQE2009-32
pp.67-72
LQE 2007-12-07
13:25
東京 機械振興会館 地下3階6号室 [招待講演]LSIオンチップ光配線技術
西 研一大橋啓之MIRAI-Selete/NECLQE2007-118
LSIのオンチップでの光配線技術は,将来のLSIにおける電気配線での課題を解決可能な技術として期待されるものである.光素... [more] LQE2007-118
pp.27-32
OPE 2006-02-17
16:30
東京 機械振興会館 プラズモンアンテナを利用したSiナノフォトダイオード
藤方潤一石 勉西 研一大橋啓之NEC
将来LSIにおける光配線技術に適用することを目的として、表面プラズモンにより増強される近接場光を利用した、高速・高効率な... [more] OPE2005-154
pp.47-51
LQE 2004-12-03
11:45
東京 機械振興会館 1.34μm帯GaInNAs面発光レーザの低閾値発振
山田みつき阿南隆由畠山 大徳留圭一鈴木尚文中村隆宏西 研一NEC
GaInNAs活性層を用いた1.3μm帯面発光レーザ(VCSEL)は、中距離・大容量伝送用の低コスト・低消費電力光源とし... [more] LQE2004-122
pp.21-26
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