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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2015-03-02 13:05 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］双方向遷移モデルを用いた垂直磁化型STT-MRAMにおける熱安定性の面積依存性評価 ○角田浩司・青木正樹・能代英之・射場義久・吉田親子・山崎裕一・高橋 厚・畑田明良・中林正明・杉井寿博（超低電圧デバイス技研組合）  SDM2014-166 |
STT-MRAMに用いられるトップピン型垂直磁気トンネル接合(MTJ)の熱安定性Δについて，メモリアレイのデータ保持特性... [more] | SDM2014-166 pp.23-28 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-04 13:55 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | ［招待講演］混載メモリ適用に向けたスピン注入型MRAMの開発 ○杉井寿博・射場義久・青木正樹・能代英之・角田浩司・畑田明良・中林正明・山崎裕一・高橋 厚・吉田親子（超低電圧デバイス技研組合） SDM2014-68 ICD2014-37 |
本論文では，エレクトロニクス機器に使用されるシステムLSIの混載メモリに関する課題を取り上げ，不揮発，無限回書き換え，高... [more] | SDM2014-68 ICD2014-37 pp.35-38 |
| ICD | 2014-04-18 09:30 |
東京 | 機械振興会館 | 0.38V動作可能なプロセスばらつき耐性を有する65nm 8Mb STT-MRAM読出しセンスアンプ ○梅木洋平・柳田晃司・吉本秀輔・和泉慎太郎・吉本雅彦・川口 博（神戸大）・角田浩司・杉井寿博（超低電圧デバイス技研組合） ICD2014-10 |
本稿では65nmプロセスを用いた単一0.38V電源で動作可能なプロセスばらつき耐性を持つSTT-MRAM（磁気抵抗変化型... [more] | ICD2014-10 pp.47-51 |
| ICD | 2014-01-28 15:00 |
京都 | 京都大学時計台記念館 | ［ポスター講演］磁性変化型メモリの書き込み速度を改善するメモリアーキテクチャ ○森 陽紀・柳田晃司・梅木洋平・吉本秀輔・和泉慎太郎・吉本雅彦・川口 博（神戸大）・角田浩司・杉井寿博（超低電圧デバイス技研組合） ICD2013-110 |
STT-MRAM (Spin Torque Transfer Magnetic Random Access Memory... [more] | ICD2013-110 p.27 |
| ICD | 2013-04-11 09:50 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［招待講演］STT-MRAMの特性改善に向けたダミーフリー層と2重トンネル接合を有する新しいMTJ ○角田浩司・能代英之・吉田親子・山崎裕一・高橋 厚・射場義久・畑田明良・中林正明・長永隆志・青木正樹・杉井寿博（超低電圧デバイス技研組合） ICD2013-2 |
CMOS混載用のスピン注入型MRAMに適した新しい磁気トンネル接合(MTJ)を開発した．このMTJはCoFeB/MgO界... [more] | ICD2013-2 pp.5-10 |
| ICD | 2012-12-17 13:30 |
東京 | 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール | ［招待講演］混載SRAM置き換え用STT-MRAMの高性能化とインテグレーション ○杉井寿博・射場義久・青木正樹・能代英之・角田浩司・畑田明良・中林正明・山崎裕一・高橋 厚・吉田親子（超低電圧デバイス技研組合） ICD2012-90 |
本論文では，超低電圧デバイス技術研究組合（LEAP）で開発中の混載SRAM置き換え用STT-MRAMに関して，開発の背景... [more] | ICD2012-90 pp.17-20 |
| ICD, SDM (共催) |
2012-08-02 15:15 |
北海道 | 札幌市男女共同参画センター | ［招待講演］システムLSI混載用STT-MRAMの高性能化とBEOLへのインテグレーション ○杉井寿博・射場義久・青木正樹・能代英之・角田浩司・畑田明良・中林正明・山崎裕一・高橋 厚・吉田親子（超低電圧デバイス技研組合） SDM2012-73 ICD2012-41 |
[more] | SDM2012-73 ICD2012-41 pp.55-58 |
| ICD, SDM (共催) |
2010-08-27 11:15 |
北海道 | 札幌エルプラザ内男女共同参画センター | [依頼講演] Top-pinned構造を用いた高密度1T/1MTJセルスピン注入型MRAM ○李 永ミン・吉田親子・角田浩司・梅原慎二郎・青木正樹・杉井寿博（富士通研） |
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