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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催)
SID-JC, IEIJ-SSL
(共催)
(連催) [詳細]
2024-01-25
13:10
京都 龍谷大学響都ホール校友会館 + オンライン開催
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[ポスター講演]三層GTOを用いたReRAMにおける負性抵抗を利用した抵抗変化挙動[ポスター講演]
阿部祥也谷内田健太澤井一輝木村 睦河西秀典龍谷大)・松田時宜近畿大EID2023-3
ReRAMは高密度、安定性、高速動作、低コストなどの特徴から注目されている。そこで、アモルファス酸化物半導体(AOS)で... [more] EID2023-3
pp.5-8
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催)
SID-JC, IEIJ-SSL
(共催)
(連催) [詳細]
2024-01-25
13:15
京都 龍谷大学響都ホール校友会館 + オンライン開催
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[ポスター講演]メモリスタを用いたシナプス素子によるニューロンの膜電位変化の再現
谷内田健太阿部祥也澤井一輝龍谷大)・松田時宜近大/龍谷大)・河西秀典龍谷大)・木村 睦龍谷大/奈良先端大EID2023-4
メモリスタと高抵抗SiO2を統合した薄膜ニューロモルフィックデバイスを用いてニューロンの膜電位の変化の再現を試みた.メモ... [more] EID2023-4
pp.9-12
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2020-12-02
11:55
ONLINE オンライン開催 STDP学習側を用いた酸化物半導体薄膜シナプス素子の検討
片桐徹也山川大樹谷内田健太森垣和樹木村 睦龍谷大EID2020-6 SDM2020-40
ニューロモルフィックハードウェアは現在のノイマン型コンピュータ上で実行される人工知能(Artificial Intell... [more] EID2020-6 SDM2020-40
pp.21-24
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