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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-27
14:10
ONLINE オンライン開催 周期的スロット構造を用いたInGaN量子井戸波長可変単一モードレーザの初期評価
上向井正裕樋口晃大谷川智之片山竜二阪大ED2020-21 CPM2020-42 LQE2020-72
GaNやAlNなどの窒化物半導体は高い光学非線形性を有することから,高効率非線形光学デバイスへの応用が期待されている.励... [more] ED2020-21 CPM2020-42 LQE2020-72
pp.79-82
SDM, ED, CPM
(共催)
2017-05-26
10:45
愛知 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) N-polar GaN MIS-HEMTs with Flat Interface Grown by Optimized MOVPE
Kiattiwut PrasertsukTomoyuki TanikawaTakeshi KimuraShigeyuki KuboyaTetsuya SuemitsuTakashi MatsuokaTohoku Univ.ED2017-26 CPM2017-12 SDM2017-20
 [more] ED2017-26 CPM2017-12 SDM2017-20
pp.59-64
ED 2015-07-24
13:15
石川 ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) N極性p形GaNショットキー接触の電気的特性の評価
青木俊周福井大)・谷川智之片山竜二松岡隆志東北大)・塩島謙次福井大ED2015-36
N極性p-GaNショットキー接触の電気的特性を、電流‐電圧(I-V)、容量‐電圧(C-V)、光応答(PR)測定を用いて評... [more] ED2015-36
pp.1-4
ED, SDM, CPM
(共催)
2012-05-17
14:30
愛知 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性
久志本真希谷川智之本田善央山口雅史天野 浩名大ED2012-20 CPM2012-4 SDM2012-22
MOVPE法により作製した加工Si基板上半極性面(1-101) GaNストライプ上に発光波長435nm~590nm、井戸... [more] ED2012-20 CPM2012-4 SDM2012-22
pp.15-18
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-19
15:15
愛知 名古屋大学 VBL (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長
谷川智之本田善央山口雅史天野 浩名大)・澤木宣彦愛知工大ED2011-13 CPM2011-20 SDM2011-26
MOVPE 法により(1-101)GaN/Si 上にInGaN 厚膜の成長を試みた。InGaN を成長するとGaN にみ... [more] ED2011-13 CPM2011-20 SDM2011-26
pp.63-66
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-20
11:15
愛知 名古屋大学 VBL AlGaN系紫外発光素子の通電特性 ~ UV-LEDの劣化メカニズム ~
朴 貴珍杉山貴之谷川智之本田善央山口雅史天野 浩名大)・稲津哲彦藤田武彦ぺルノー シリル平野 光創光科学ED2011-24 CPM2011-31 SDM2011-37
 [more] ED2011-24 CPM2011-31 SDM2011-37
pp.123-126
ED, SDM
(共催)
2010-02-22
14:50
沖縄 沖縄県青年会館 選択MOVPE法を用いた極性・非極性GaNストライプ上へのInGaN/GaN MQW構造の作製
谷川智之本田善央山口雅史名大ED2009-200 SDM2009-197
選択MOVPE法により非極性面上InGaN/GaN多重量子井戸の膜厚分布および発光の空間分布について検討を行った。無極性... [more] ED2009-200 SDM2009-197
pp.23-28
MI 2009-01-19
13:30
海外 国立台湾大学(台北市) [ポスター講演]逐次近似法による体動補正付3次元PET画像再構成の実装方法の検討
木内尚子千葉大)・山谷泰賀放射線医学総研)・長谷川智之北里大)・小林哲哉筑波大)・村山秀雄放射線医学総研)・菅 幹生千葉大MI2008-93
The patient’s movements during the measurement process induc... [more] MI2008-93
pp.163-164
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