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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2013-11-14
13:50
東京 機械振興会館 低温RTAにおけるSi中のSの挙動とS2形成の原子レベルシミュレーション
金村貴永加藤弘一谷本弘吉青木伸俊豊島義明東芝SDM2013-102
NiSi/Si界面にSを注入するとショットキーバリアーが殆ど0にまで低減することが近年報告されている。この低減は界面近傍... [more] SDM2013-102
pp.15-20
SDM, ICD
(共催)
2013-08-01
09:50
石川 金沢大学 角間キャンパス マルチ・ゲート酸化膜を備え自己整合プロセスを用いたDual Work Function (DWF) MOSFETsの低消費RFアプリケーションに対するスケーリングの方針
宮田俊敬川中 繁外園 明大黒達也豊島義明東芝SDM2013-67 ICD2013-49
汎用CMOSプロセスを用いて、ゲート長が100nmの自己整合的なDual Work Function (DWF)-MOS... [more] SDM2013-67 ICD2013-49
pp.13-18
SDM 2013-02-04
11:25
東京 機械振興会館 Line-Edge Roughnessを考慮した微細金属配線のモンテカルロ・シミュレーション(仮題)
来栖貴史谷本弘吉和田 真磯林厚伸梶田明広青木伸俊豊島義明東芝
 [more]
SDM, ICD
(共催)
2011-08-25
10:50
富山 富山県民会館 ナノスケールMOSFETにおけるプラズマドーピングとレーザーアニールを適用した急峻SDEの検討
杉崎絵美子宮田俊敬大島康礼外園 明安達甘奈宮野清孝辻井秀二川中 繁稲葉 聡井谷孝治飯沼俊彦豊島義明東芝SDM2011-75 ICD2011-43
ナノスケール世代のMOSFETのスケーリングにおいては、ソースドレインエクステンション(SDE)不純物プロファイル設計の... [more] SDM2011-75 ICD2011-43
pp.23-27
SDM 2009-11-13
11:15
東京 機械振興会館 微細金属配線における抵抗率のサイズ効果予測のためのモンテカルロ・シミュレーション
来栖貴史和田 真松永範昭梶田明広谷本弘吉青木伸俊豊島義明柴田英毅東芝SDM2009-145
LSIの金属配線設計において、サイズ縮小に伴って配線の抵抗率が上昇するという“抵抗率のサイズ効果”が問題となっている.次... [more] SDM2009-145
pp.55-60
ICD, SDM
(共催)
2009-07-16
15:50
東京 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とTinvスケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン
後藤正和・○川中 繁犬宮誠治楠 直樹齋藤真澄辰村光介木下敦寛稲葉 聡豊島義明東芝SDM2009-107 ICD2009-23
Tinvスケーリングとチャネル内キャリア移動度劣化のトレードオフに関し、極微細MOSFETを用いた実験データに基づき解析... [more] SDM2009-107 ICD2009-23
pp.53-56
ICD, SDM
(共催)
2008-07-18
15:05
東京 機械振興会館 極微細TaCx/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaCx組成の影響
後藤正和辰村光介川中 繁中嶋一明市原玲華吉水康人小野田裕之長友浩二佐々木俊行福島 崇野町映子犬宮誠治青山知憲小山正人豊島義明東芝SDM2008-147 ICD2008-57
ゲートファーストプロセスにより作製した極微細TaCx/HfSiONデバイスにおいて、TaCx組成がもたらすデバイス特性へ... [more] SDM2008-147 ICD2008-57
pp.109-114
SDM, VLD
(共催)
2007-10-30
14:10
東京 機械振興会館 シミュレーションを用いた微小MOSFETにおける寄生抵抗の解析および抽出方法の検討
辻井秀二外園 明藤原 実川中 繁東 篤志青木伸俊豊島義明東芝VLD2007-56 SDM2007-200
 [more] VLD2007-56 SDM2007-200
pp.27-32
SDM 2007-06-08
09:50
広島 広島大学(学士会館) SiON pMOSFETに対するNBTI劣化のモデリング
下川淳二遠田利之青木伸俊谷本弘吉伊藤早苗豊島義明東芝SDM2007-41
SiO${}_2$ pMOSFETに対するNBTI劣化のモデルとして,理論的なモデルは反応拡散モデルが,実験的なモデルは... [more] SDM2007-41
pp.55-58
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