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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-30
10:20
大阪 大阪市立大学 ドループ改善に向けた窒化物半導体np構造LEDの作製
森田隆敏加賀 充桑野侑香松井健城竹内哲也上山 智岩谷素顕名城大)・赤サキ 勇名城大/名大ED2012-79 CPM2012-136 LQE2012-107
窒化物半導体LEDでは、高電流注入時の発光効率低下、いわゆるドループ現象が課題となっている。我々は、このドループ現象を改... [more] ED2012-79 CPM2012-136 LQE2012-107
pp.59-64
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-30
11:50
大阪 大阪市立大学 サファイア基板上へのモスアイ構造の形成方法の検討およびLEDへの応用
土屋貴義梅田慎也曽和美保子名城大)・近藤俊行北野 司森 みどり鈴木敦志難波江宏一関根 均エルシード)・岩谷素顕竹内哲也上山 智赤サキ 勇名城大ED2012-82 CPM2012-139 LQE2012-110
LEDおいて高い光取り出し効率が期待されるモスアイ加工サファイア基板(Moth-eye patterned sapphi... [more] ED2012-82 CPM2012-139 LQE2012-110
pp.75-80
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-30
13:15
大阪 大阪市立大学 n-GaN表面層を有する構造内p-GaNのMgアクセプタ活性化
桑野侑香加賀 充森田隆敏山下浩司南川大智竹内哲也岩谷素顕上山 智名城大)・赤サキ 勇名城大/名大ED2012-83 CPM2012-140 LQE2012-111
p-GaNでは、Mgアクセプタと水素の結合を切断し、電気的に活性化させる熱アニールが必要である。一方、n-GaN内には原... [more] ED2012-83 CPM2012-140 LQE2012-111
pp.81-85
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-17
17:35
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール 窒化物半導体太陽電池の集光特性
森 美貴子山本翔太桑原洋介藤井崇裕岩谷素顕竹内哲也上山 智赤サキ 勇名城大)・天野 浩名大ED2011-87 CPM2011-136 LQE2011-110
本研究では、窒化物半導体太陽電池の集光特性を評価した。ソーラーシミュレータを用いてレンズで集光し1~200sunsまで変... [more] ED2011-87 CPM2011-136 LQE2011-110
pp.71-75
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-18
09:55
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察
井手公康山本準一岩谷素顕竹内哲也上山 智赤サキ 勇名城大)・天野 浩名大ED2011-89 CPM2011-138 LQE2011-112
AlGaN系紫外発光素子は、UV-AからUV-Cの全領域で数%を超える高性能LEDが実現されつつあり、今後広く実用化する... [more] ED2011-89 CPM2011-138 LQE2011-112
pp.81-85
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-19
16:40
愛知 名古屋大学 VBL B-Ga2O3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長
伊藤 駿竹田健一郎永田賢吾青島宏樹竹原孝祐岩谷素顕竹内哲也上山 智名城大)・赤サキ 勇名城大/名大)・天野 浩名大ED2011-16 CPM2011-23 SDM2011-29
beta-Ga2O3は260nmまでの光を透過しかつ導電性があることから、紫外の縦型伝導LED実現の可能性を秘めている基... [more] ED2011-16 CPM2011-23 SDM2011-29
pp.77-81
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-20
10:50
愛知 名古屋大学 VBL 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善
竹原孝祐竹田健一郎永田賢吾青島宏樹伊藤 駿岩谷素顕竹内哲也上山 智赤サキ 勇名城大)・天野 浩名大ED2011-23 CPM2011-30 SDM2011-36
AlGaN系紫外発光素子の高効率化には光取り出し効率の改善が重要である。本研究では、スパッタリングによって成膜したITO... [more] ED2011-23 CPM2011-30 SDM2011-36
pp.117-121
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-20
15:40
愛知 名古屋大学 VBL 非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製
中尾達郎桑原洋介藤山泰治藤井崇裕杉山 徹山本翔太岩谷素顕竹内哲也上山 智名城大)・赤サキ 勇名城大/名大)・天野 浩名大ED2011-32 CPM2011-39 SDM2011-45
MOVPE 法によりr面サファイア上に非極性面a面GaInN系太陽電池を作製し評価した.試料はn-GaN上に光吸収層Ga... [more] ED2011-32 CPM2011-39 SDM2011-45
pp.163-167
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-20
17:05
愛知 名古屋大学 VBL GaInNチャネルHFETのAlInNバリア層の検討
池田和弥磯部康裕一木宏充堀尾尚史榊原辰幸岩谷素顕竹内哲也上山 智名城大)・赤サキ 勇名城大/名大)・天野 浩名大ED2011-35 CPM2011-42 SDM2011-48
ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET)のチャネル層にGaInN を用いることにより、高いバンドオフセットを持つこと、... [more] ED2011-35 CPM2011-42 SDM2011-48
pp.179-183
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