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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2014-01-25
11:22
新潟 新潟大学 駅南キャンパス SOITE法を用いたフレクソエレクトリック係数の評価
渡辺大樹長岡技科大)・高橋泰樹工学院大)・木村宗弘赤羽正志長岡技科大EID2013-31
液晶は、広がりや曲がりの配向歪を与えると電気分極が発生する。この現象をフレクソエレクトリック効果と呼ぶ。フレクソエレクト... [more] EID2013-31
pp.125-128
CPM 2009-10-30
09:00
富山 富山県立大学 Si上に形成したGe・SiCドットに対する半球状モデルを用いた構造評価
黒田朋義大谷孝史加藤有行高田雅介赤羽正志安井寛治長岡技科大CPM2009-96
Si基板上へモノメチルゲルマン(MMGe: GeH3CH3)を用いてGe・SiCナノドットの高密度形成を行い,形成したド... [more] CPM2009-96
pp.31-36
CPM 2009-08-11
11:40
青森 弘前大学 間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長
齋藤 健永田一樹長岡技科大)・末光眞希遠藤哲郎伊藤 隆東北大)・中澤日出樹弘前大)・成田 克山形大)・高田雅介赤羽正志・○安井寛治長岡技科大CPM2009-45
GaNの省資源成長法として期待されるホットメッシュCVD法において、原料ガスの間欠供給がGaN結晶膜の特性にどのような効... [more] CPM2009-45
pp.61-66
CPM 2008-10-30
13:25
新潟 新潟大学 パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長
小前泰彰齋藤 健長岡技科大)・末光眞希伊藤 隆遠藤哲郎東北大)・中澤日出樹弘前大)・成田 克九工大)・高田雅介安井寛治赤羽正志長岡技科大CPM2008-76
紫外・青紫LED, LD、また高温環境下で動作する電子デバイス用材料であるGaNの省資源成長法として期待されるホットメッ... [more] CPM2008-76
pp.7-12
CPM 2008-10-30
13:50
新潟 新潟大学 ワイドギャップ半導体でキャッピングされたGeナノドットの光学特性
須藤晴紀黒田朋義加藤有行西山 洋井上泰宣赤羽正志高田雅介安井寛治長岡技科大CPM2008-77
モノメチルゲルマンを用いてSi(001)基板上に形成したGe,SiCナノドットに対して,構造,表面組成を調べると共に,S... [more] CPM2008-77
pp.13-18
CPM 2008-10-30
14:30
新潟 新潟大学 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法によるAlドープZnO膜の低抵抗化
大島 穣牧野雄一郎長岡技科大)・片桐裕則新保和夫長岡高専)・黒木雄一郎安井寛治高田雅介赤羽正志長岡技科大CPM2008-78
Alドープ酸化亜鉛 (AZO)の堆積において第三電極を有するrfマグネトロンスパッタ法を用いることで従来のrfマグネトロ... [more] CPM2008-78
pp.19-22
CPM 2007-11-16
14:20
新潟 長岡技術科学大学 第三電極を有するRFマグネトロンスパッタ法によるZnO透明導電膜特性の均一性評価
朝野 章長岡技科大)・片桐裕則長岡高専)・黒木雄一郎安井寛治高田雅介赤羽正志長岡技科大CPM2007-108
我々は第三電極を有するrfマグネトロンスパッタ法により作製したAlドープ酸化亜鉛について研究をしてきた。マグネトロンスパ... [more] CPM2007-108
pp.19-22
CPM 2007-11-17
09:00
新潟 長岡技術科学大学 ホットメッシュCVD法によるGaN成長 ~ ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果 ~
深田祐介安部和貴黒木雄一郎長岡技科大)・末光眞希伊藤 隆東北大)・成田 克九工大)・遠藤哲郎東北大)・中澤日出樹弘前大)・高田雅介安井寛治赤羽正志長岡技科大CPM2007-115
 [more] CPM2007-115
pp.55-58
CPM 2007-11-17
09:25
新潟 長岡技術科学大学 モノメチルゲルマンによるSi(001)-2x1清浄表面上へのGe, SiCナノドットの形成と制御
荻原智明須藤晴紀安井寛治赤羽正志高田雅介長岡技科大CPM2007-116
Si(001)-2x1清浄表面上にモノメチルゲルマン(MMGe: $GH_{3}$$CH_{3}$)を用いて高密度Geナ... [more] CPM2007-116
pp.59-64
CPM 2007-11-17
09:50
新潟 長岡技術科学大学 ホットメッシュCVD法によるSiCOI構造基板の作製とトップSi層厚依存性
牧野雄一郎三浦仁嗣西山 洋安井寛治高田雅介井上泰宣赤羽正志長岡技科大CPM2007-117
高温に加熱したメッシュ状タングステンの触媒分解反応によって生成した高密度水素ラジカルを利用したホットメッシュ(HM-)C... [more] CPM2007-117
pp.65-68
CPM 2006-11-10
09:50
石川 金沢大学 SiC埋め込み型Geナノドット構造を目指した高密度ナノドット形成
金丸哲史荻原智明安井寛治赤羽正志高田雅介長岡技科大
 [more] CPM2006-124
pp.65-70
CPM 2006-08-07
16:15
岩手 岩手大学 Hot-Mesh CVD法を用いたSOI基板上への3C-SiC低温エピタキシャル成長
三浦仁嗣栗本大詩黒木雄一郎安井寛治高田雅介赤羽正志長岡技科大
 [more] CPM2006-46
pp.31-36
CPM 2006-08-07
16:40
岩手 岩手大学 Hot-mesh CVD法によるAlNバッファー層を用いたSiC/Si(111)上へのGaN成長
田村和之深田祐介黒木雄一郎高田雅介安井寛治赤羽正志長岡技科大
 [more] CPM2006-47
pp.37-41
CPM 2005-11-11
14:45
福井 福井大学 Si(001)表面とモノメチルゲルマンの反応過程における表面構造変化 ~ Ge埋め込み3C-SiC構造形成へ向けて ~
原島正幸金丸哲史加藤有行荻原智明安井寛治赤羽正志高田雅介長岡技科大
Si(001)表面とモノメチルゲルマン(MMGe: GeH$_3$CH$_3$)との初期反応過程
について反射高速電子... [more]
CPM2005-155
pp.19-24
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