| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| RECONF | 2021-06-09 13:00 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］シミュレーテッド分岐アルゴリズムのFPGAアクセラレータによるリアルタイムシステムにおける大規模組合せ最適化 ○辰村光介（東芝）  RECONF2021-11 |
組合せ最適化は，計算機科学におけるNP困難問題として知られる一方，経済的に重要な問題である．多くの実用の組合せ最適化がイ... [more] | RECONF2021-11 pp.56-61 |
| ICD | 2017-04-21 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］クロスバー型アンチヒューズメモリを用いた高集積プログラマブル論理回路 ○安田心一・小田聖翔・松本麻里・辰村光介・財津光一郎・何 英豪・小野瑞城（東芝） ICD2017-15 |
[more] | ICD2017-15 pp.79-83 |
| SDM | 2015-10-29 16:30 |
宮城 | 東北大学未来研 | ［招待講演］フラッシュメモリとCMOSロジックの近接混載技術による低消費電力・高速FPGA ○財津光一郎・辰村光介・松本麻里・小田聖翔・安田心一（東芝） SDM2015-75 |
従来のFPGAではメモリとしてSRAMが用いられてきたが，これを不揮発メモリであるフラッシュメモリで置き換えることにより... [more] | SDM2015-75 pp.23-28 |
| ICD, SDM (共催) |
2014-08-05 11:15 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館（札幌市） | ［招待講演］MONOSフラッシュの混載技術と書き込み手法の開発による低消費電力かつ高速な不揮発FPGA ○財津光一郎・辰村光介・松本麻里・小田聖翔・藤田 忍・安田心一（東芝） SDM2014-75 ICD2014-44 |
フラッシュメモリを用いた高速かつ低消費電力なFPGAを実現するために鍵となる技術を紹介する．1つはMONOS型フラッシュ... [more] | SDM2014-75 ICD2014-44 pp.71-76 |
| SDM | 2012-11-15 15:20 |
東京 | 機械振興会館 | ランダム・テレグラフ・ノイズを引き起こす欠陥の種類とその特性 ○陳 杰智・平野 泉・辰村光介・三谷祐一郎（東芝） SDM2012-103 |
近年，さまざまな構造のデバイスにおけるランダム・テレグラフ・ノイズ(RTN)の報告がなされている。例えば、CMOSイメー... [more] | SDM2012-103 pp.21-24 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-16 15:50 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とTinvスケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン 後藤正和・○川中 繁・犬宮誠治・楠 直樹・齋藤真澄・辰村光介・木下敦寛・稲葉 聡・豊島義明（東芝） SDM2009-107 ICD2009-23 |
Tinvスケーリングとチャネル内キャリア移動度劣化のトレードオフに関し、極微細MOSFETを用いた実験データに基づき解析... [more] | SDM2009-107 ICD2009-23 pp.53-56 |
| SDM | 2009-06-19 15:40 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | LaまたはAl添加によるHfSiOn/SiO2界面のダイポール変調に起因する移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係 ○辰村光介・石原貴光・犬宮誠治・中嶋一明・金子明生・後藤正和・川中 繁・木下敦寛（東芝） SDM2009-39 |
high-k/SiO2界面のダイポール変調に起因するリモートクーロン散乱(RCS)による移動度低下と閾値電圧シフト(ΔV... [more] | SDM2009-39 pp.71-76 |
| ICD, SDM (共催) |
2008-07-18 15:05 |
東京 | 機械振興会館 | 極微細TaCx/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaCx組成の影響 ○後藤正和・辰村光介・川中 繁・中嶋一明・市原玲華・吉水康人・小野田裕之・長友浩二・佐々木俊行・福島 崇・野町映子・犬宮誠治・青山知憲・小山正人・豊島義明（東芝） SDM2008-147 ICD2008-57 |
ゲートファーストプロセスにより作製した極微細TaCx/HfSiONデバイスにおいて、TaCx組成がもたらすデバイス特性へ... [more] | SDM2008-147 ICD2008-57 pp.109-114 |
| ICD, SDM (共催) |
2007-08-24 10:20 |
北海道 | 北見工業大学 | ［特別招待講演］32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化 ○小山正人・小池正浩・上牟田雄一・鈴木正道・辰村光介・土屋義規・市原玲華・後藤正和・長友浩二・東 篤志・川中 繁・中嶋一明・関根克行（東芝） SDM2007-159 ICD2007-87 |
MOSFET性能向上を阻害するゲート絶縁膜薄膜化の物理限界を打破するために、従来のSiO2(SiON)よりも比誘電率の高... [more] | SDM2007-159 ICD2007-87 pp.101-106 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]