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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM 2011-10-27
09:55
福井 福井大学 産学官連携本部研修室 TEOSを原料とするCVD法によるSiO2/SiC MOS構造の作製
逸見充則井口裕哉酒井崇史杉田暁彦山上朋彦林部林平上村喜一信州大CPM2011-119
TEOSを使用した熱CVD法により、SiC表面に酸化膜を堆積させた。酸化膜堆積後、N$_2$雰囲気中でアニールを行い、さ... [more] CPM2011-119
pp.51-54
CPM 2011-08-10
13:50
青森 弘前大学 文京町キャンパス SiC表面の直接窒化と窒化層/SiC界面特性の評価
酒井崇史逸見充則村田裕亮鈴木真一郎山上朋彦林部林平・○上村喜一信州大CPM2011-58
SiC基板表面に直接窒化法により窒化層を製膜し,これを堆積法による酸化膜との界面制御層として使用することにより良好な界面... [more] CPM2011-58
pp.11-14
CPM 2010-10-29
09:25
長野 信州大学 工学部 地域共同研究センター3階研修室 直接窒化法で形成したSiC表面窒化層の厚さと界面特性の評価
鈴木真一郎村田裕亮逸見充則山上朋彦林部林平上村喜一信州大CPM2010-100
純N$_{2}$またはNH$_{3}$雰囲気での直接窒化法を用いて,SiC表面上に窒化層を形成させた.形成させた窒化層表... [more] CPM2010-100
pp.47-50
CPM 2009-08-10
15:30
青森 弘前大学 直接窒化膜を界面制御層に用いたSiCMIS構造の作製
鈴木真一郎仙石 昌辻 拓真逸見充則村田裕亮山上朋彦林部林平・○上村喜一信州大CPM2009-35
MIS型ショットキーダイオードの電流電圧特性から、窒化膜/SiC構造の界面準位密度を概算した。界面準位密度はおよそ$10... [more] CPM2009-35
pp.9-12
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