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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, OME (共催) |
2021-04-23 15:10 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］多結晶Ge系薄膜のトランジスタ応用 ○都甲 薫（筑波大）  SDM2021-4 OME2021-4 |
[more] | SDM2021-4 OME2021-4 pp.15-18 |
| SDM, OME (共催) |
2020-04-13 15:20 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 （開催中止，技報発行なし） |
［招待講演］多結晶Ge系薄膜のトランジスタ応用 ○都甲 薫（筑波大） |
[more] | |
| SDM, OME (共催) |
2014-04-10 15:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］非晶質絶縁体上における大粒径Ge(111)薄膜のAl誘起低温成長 ○都甲 薫・末益 崇（筑波大） SDM2014-6 OME2014-6 |
ガラス等の非晶質絶縁基板上でGe結晶薄膜の方位制御を可能とする「Al誘起成長法」について紹介する。我々は、Al誘起成長G... [more] | SDM2014-6 OME2014-6 pp.27-29 |
| SDM, OME (共催) |
2014-04-10 16:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 絶縁膜上のAl誘起成長Ge層に与える基板効果とフレキシブル基板応用 ○大谷直生・都甲 薫・沼田諒平・中沢宏紀（筑波大）・宇佐美徳隆（名大）・末益 崇（筑波大） SDM2014-7 OME2014-7 |
[more] | SDM2014-7 OME2014-7 pp.31-32 |
| SDM, OME (共催) |
2014-04-10 16:20 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Al誘起成長法による大粒径Ge/導電膜/ガラス構造の形成 ○中沢宏紀・都甲 薫（筑波大）・宇佐美徳隆（名大）・末益 崇（筑波大） SDM2014-8 OME2014-8 |
[more] | SDM2014-8 OME2014-8 pp.33-34 |
| SDM, OME (共催) |
2014-04-10 16:40 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Si(111)基板上BaSi2エピタキシャル膜の結晶・光学特性評価とガラス基板上への展開 ○高部涼太・都甲 薫・沼田諒平（筑波大）・原 康祐（名大）・馬場正和・Weijie Du（筑波大）・宇佐美徳隆（名大）・末益 崇（筑波大） SDM2014-9 OME2014-9 |
[more] | SDM2014-9 OME2014-9 pp.35-37 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-27 18:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Multi-Layered SiGe-on-Insulator Structures by Rapid-Melting-Growth ○Yuki Tojo・Ryo Matsumura・Hiroyuki Yokoyama・Masashi Kurosawa・Kaoru Toko・Taizoh Sadoh・Masanobu Miyao（Kyushu Univ.） |
[more] | |
| SDM | 2011-12-16 16:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 軟X線源を用いた半導体薄膜の低温結晶化技術の開発 ○部家 彰・野々村勇希・木野翔太・松尾直人・天野 壮・宮本修治・神田一浩・望月孝晏（兵庫県立大）・都甲 薫・佐道泰造・宮尾正信（九大） SDM2011-145 |
結晶化が起こるには、結晶核形成と結晶粒成長の2つのプロセスを経る必要があるが、一般に結晶核形成には多くのエネルギーを必要... [more] | SDM2011-145 pp.71-76 |
| SDM, OME (共催) |
2010-04-23 15:20 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | インプリントSi種結晶からの溶融エピタキシャル成長による単結晶GOIの無欠陥形成 ○坂根 尭・都甲 薫・田中貴規・佐道泰造・宮尾正信（九大） SDM2010-12 OME2010-12 |
インプリント誘起Si(111)マイクロ結晶(～1 μmφ)を結晶成長シードとしたGeの溶融エピタキシャル成長法を考案し、... [more] | SDM2010-12 OME2010-12 pp.53-57 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-26 09:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | ［招待講演］Lateral liquid-phase epitaxy of Ge on insulator using Si seed for ultrahigh speed transistor ○Taizoh Sadoh・Takanori Tanaka・Yasuharu Ohta・Kaoru Toko・Masanobu Miyao（Kyushu Univ.） ED2009-91 SDM2009-86 |
Lateral liquid-phase epitaxy of Ge-on-insulator (GOI) using ... [more] | ED2009-91 SDM2009-86 pp.177-180 |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-12 10:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 次世代TFTに向けたa-Ge/石英の低温固相成長 ○中尾勇兼・都甲 薫（九大）・野口 隆（琉球大）・佐道泰造（九大） SDM2008-17 OME2008-17 |
石英上における非晶質Ge薄膜の低温固相成長(≦500℃)を検討した。ラマン散乱分光測定より、多結晶Ge薄膜には伸張歪み(... [more] | SDM2008-17 OME2008-17 pp.83-88 |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-12 11:25 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 金属触媒誘起固相成長法による多結晶Ge/絶縁膜の低温形成 ～ 電界印加効果、触媒種効果 ～ ○萩原貴嗣・都甲 薫・佐道泰造（九大） SDM2008-20 OME2008-20 |
次世代TFTのチャネル材料として期待される多結晶Ge/絶縁膜の極低温形成(≦250℃)を目指し金属触媒誘起固相成長法を検... [more] | SDM2008-20 OME2008-20 pp.101-106 |
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