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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-27
15:25
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 GaAs/GaAs接合の電気特性に対するアニール効果
柴 麗梁 剣波重川直輝阪市大ED2015-89 CPM2015-124 LQE2015-121
 [more] ED2015-89 CPM2015-124 LQE2015-121
pp.105-110
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-27
15:50
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 表面活性化ボンディング法に依るSi/SiC接合の電気特性
林 朋宏梁 剣波阪市大)・新井 学新日本無線)・重川直輝阪市大ED2015-90 CPM2015-125 LQE2015-122
 [more] ED2015-90 CPM2015-125 LQE2015-122
pp.111-115
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-27
11:25
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 MOVPE成長InGaN厚膜における相分離の臨界膜厚
児玉和樹Hasan Md Tanvir野村裕之福井大)・重川直輝阪市大)・山本暠勇葛原正明福井大ED2014-75 CPM2014-132 LQE2014-103
本論文では, AlN/Si(111), α-Al2O3(0001), GaN/α-Al2O3(0001)基板上に成長温度... [more] ED2014-75 CPM2014-132 LQE2014-103
pp.9-14
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-28
15:10
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 InGaN/GaN MQW太陽電池における短絡電流最大化に関する検討
渡邉則之満原 学横山春喜NTT)・梁 剣波重川直輝阪市大ED2014-94 CPM2014-151 LQE2014-122
InGaN/GaN MQW太陽電池における短絡電流に対してMQW構造がどのように影響しているか、について考察した。これま... [more] ED2014-94 CPM2014-151 LQE2014-122
pp.103-106
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-28
13:30
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 表面活性化ボンディング法により形成したSi/SiCヘテロ接合の電気特性
西田将太梁 剣波森本雅史重川直輝阪市大)・新井 学新日本無線ED2013-68 CPM2013-127 LQE2013-103
表面活性化ボンディング法(SAB法)により形成されたp+-Si/n-4H-SiCヘテロ接合(アニール処理なし、アニール処... [more] ED2013-68 CPM2013-127 LQE2013-103
pp.21-25
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-28
13:55
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 表面活性化ボンディング法によるタンデム太陽電池の作成
梁 剣波西田将太森本雅史重川直輝阪市大ED2013-69 CPM2013-128 LQE2013-104
 [more] ED2013-69 CPM2013-128 LQE2013-104
pp.27-30
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-28
14:20
大阪 大阪大学 吹田キャンパス InGaN/GaN MQW太陽電池におけるMQW構造最適化に関する考察
渡邉則之満原 学横山春喜NTT)・梁 剣波重川直輝阪市大ED2013-70 CPM2013-129 LQE2013-105
InGaN/GaN MQW太陽電池の短絡電流とMQW構造の相関について考察した。GaNバリア層厚が薄いほど、また、MQW... [more] ED2013-70 CPM2013-129 LQE2013-105
pp.31-34
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-29
10:00
大阪 大阪市立大学 表面活性化ボンディングによるSi・異種材料接合の電気特性評価
梁 剣波重川直輝阪市大)・日暮栄治東大ED2012-65 CPM2012-122 LQE2012-93
 [more] ED2012-65 CPM2012-122 LQE2012-93
pp.1-5
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-29
13:30
大阪 大阪市立大学 GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性
渡邉則之横山春喜NTT)・重川直輝阪市大ED2012-70 CPM2012-127 LQE2012-98
有機金属化学気相成長法(Metalorganic chemical vapor deposition: MOCVD)によ... [more] ED2012-70 CPM2012-127 LQE2012-98
pp.21-24
CPM 2011-10-27
10:20
福井 福井大学 産学官連携本部研修室 MOVPE法によるSi(111)基板上への中間組成InGaN膜の成長
三原章宏杉田憲一Ashraful G. Bhuiyan橋本明弘山本あき勇福井大)・渡邉則之重川直輝NTTCPM2011-120
InGaN/Siタンデム太陽電池では、InGaNのIn組成が0.45の場合、両サブセルの電流整合が実現されるとともに、n... [more] CPM2011-120
pp.55-58
OPE, EMT, LQE, PN
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2011-01-28
10:50
大阪 大阪大学 InP/InGaAs新構造Avalanche Photodiodeの高増倍率動作
名田允洋村本好史横山春喜重川直輝児玉 聡NTTPN2010-44 OPE2010-157 LQE2010-142
アバランシェフォトダイオード (APD)は,一般的なフォトダイオードと比較して高い動作電圧を必要とし,信頼性を確保するた... [more] PN2010-44 OPE2010-157 LQE2010-142
pp.103-106
OPE, LQE
(共催)
2010-06-25
14:55
東京 機械振興会館 地下3階研修1号室 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Feld MIC-PDの提案と実証
吉松俊英村本好史児玉 聡重川直輝横山春喜NTT)・石橋忠夫NELOPE2010-16 LQE2010-18
Maximized Induced Current Photodiode (MIC-PD)は所望の光吸収層厚におけるキャ... [more] OPE2010-16 LQE2010-18
pp.7-10
ED, MW
(共催)
2010-01-14
14:40
東京 機械振興会館 再成長AlGaNコンタクト層を有する圧縮歪みInAlN/AlGaN/GaN FETs
廣木正伸前田就彦重川直輝NTTED2009-187 MW2009-170
 [more] ED2009-187 MW2009-170
pp.71-76
SDM, ED
(共催)
2009-06-25
09:00
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) [招待講演]表面平坦性と高電子移動度を有するInAlN/AlGaN/GaNへテロ構造FET
廣木正伸前田就彦小林 隆重川直輝NTTED2009-71 SDM2009-66
We report our recent development of an InAlN barrier layer f... [more] ED2009-71 SDM2009-66
pp.93-98
ED, MW
(共催)
2006-01-19
14:45
東京 機械振興会館 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー
塩島謙次牧村隆司小杉敏彦末光哲也重川直輝廣木正伸横山春喜NTT
 [more] ED2005-206 MW2005-160
pp.41-44
LQE, ED, CPM
(共催)
2005-10-13
13:50
滋賀 立命館大学 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関
塩島謙次牧村隆司末光哲也重川直輝廣木正伸横山春喜NTT
 [more] ED2005-127 CPM2005-114 LQE2005-54
pp.43-46
LQE, ED, CPM
(共催)
2005-10-13
17:00
滋賀 立命館大学 n+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性
重川直輝西村一巳横山春喜NTT)・宝川幸司神奈川工科大
 [more] ED2005-136 CPM2005-123 LQE2005-63
pp.85-88
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