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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 11:25 |
大阪 | 大阪市立大学 (大阪府) | Effects of internal fields and potential inhomogeneity on the lasing properties of InGaN-based green laser diodes fabricated on (0001) polar substrates ○Yoon Seok Kim（Kyout Univ.）・Akio Kaneta・Mitsuru Funato・Yoichi Kawakami（Kyoto Univ.）・Takashi Miyoshi・Shin-ichi Nagahama（Nichia）  ED2012-81 CPM2012-138 LQE2012-109 |
緑色領域でのレーザの開発がInGaNをベースとした材料系で進められている．とくに，従来用いられている(0001)極性面と... [more] | ED2012-81 CPM2012-138 LQE2012-109 pp.71-74 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-18 09:30 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール (京都府) | 窒化アルミニウムの電子状態に対する歪みの効果 ○石井良太・金田昭男・ライアン バナル・船戸 充・川上養一（京大） ED2011-88 CPM2011-137 LQE2011-111 |
sp3 価電子軌道を構成しているウルツ鉱構造の半導体の価電子帯頂上は，結晶場相互作用によって既約 表現がΓ1 とΓ5 ... [more] |
ED2011-88 CPM2011-137 LQE2011-111 pp.77-80 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2011-11-18 11:10 |
京都 | 京都大学桂キャンパス 桂ホール (京都府) | Optical gain spectra in semipolar {20-21} oriented green InGaN LDs in comparison with (0001) LDs ○Yoon Seok Kim・Akio Kaneta・Mitsuru Funato・Yoichi Kawakami（Kyoto Univ.）・Takashi Kyono・Masaki Ueno・Takao Nakamura（Sumitomo Electric） ED2011-92 CPM2011-141 LQE2011-115 |
[more] | ED2011-92 CPM2011-141 LQE2011-115 pp.99-102 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-11 14:55 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター (大阪府) | 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 ～ SNOMによるEfficiency droop機構の解明 ～ ○橋谷 享・金田昭男・船戸 充・川上養一（京大） ED2010-149 CPM2010-115 LQE2010-105 |
InGaN 単一量子井戸構造(SQW)のefficiency droop 現象を解明するために, 本研究では, 内部量子... [more] | ED2010-149 CPM2010-115 LQE2010-105 pp.33-36 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 13:05 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） (徳島県) | 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光マッピング測定 ○金田昭男・上田雅也・船戸 充・川上養一（京大） ED2009-135 CPM2009-109 LQE2009-114 |
ELO-GaN テンプレート上のc面InGaN量子井戸(QW)および{11-22}バルクGaN基板上のInGaN QWの... [more] | ED2009-135 CPM2009-109 LQE2009-114 pp.35-38 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-19 13:30 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） (徳島県) | 近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング ○橋谷 享・金田昭男・船戸 充・川上養一（京大） ED2009-136 CPM2009-110 LQE2009-115 |
InGaN 発光ダイオードにおける, 注入キャリア数の増加に対して, 光出力が線形に増加しない原因を解明するために, 本... [more] | ED2009-136 CPM2009-110 LQE2009-115 pp.39-42 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-11 13:30 |
福井 | 福井大学 (福井県) | 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光 ○金田昭男（京大/JST）・金井聡庸（京大）・船戸 充・川上養一（京大/JST）・菊池昭彦・岸野克己（上智大/JST） ED2007-157 CPM2007-83 LQE2007-58 |
c面サファイア基板上に成長したInGaN/GaNナノコラムを、基板表面に微小ミラー構造を作製したSi基板上に分散させるこ... [more] | ED2007-157 CPM2007-83 LQE2007-58 pp.7-12 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-14 15:30 |
滋賀 | 立命館大学 (滋賀県) | InGaN量子井戸構造の貫通転位と発光機構との関係 ○金田昭男・船戸 充（京大）・成川幸男・向井孝志（日亜化学）・川上養一（京大） |
[more] | ED2005-154 CPM2005-141 LQE2005-81 pp.73-76 |
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