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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2022-11-24 16:25 |
愛知 | ウインクあいち（愛知県産業労働センター）（名古屋） (愛知県, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
AlN/AlGaN/GaN MISデバイスにおけるAlN/AlGaN界面制御層の効果 ○デン ユウチェン・穴場 響・松山秀幸・鈴木寿一（北陸先端大）  ED2022-39 CPM2022-64 LQE2022-72 |
[more] | ED2022-39 CPM2022-64 LQE2022-72 pp.69-72 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2022-05-27 17:05 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | 多端子ホール素子によるオーミック金属下半導体の特性評価法 ○瓜生和也（北陸先端大/アドバンテスト研）・木内翔太（北陸先端大）・佐藤 拓（アドバンテスト研）・鈴木寿一（北陸先端大） ED2022-15 CPM2022-9 SDM2022-22 |
一般に, オーミック金属下半導体の電気的特性は, オーミックコンタクト形成前から変化している. これまでに, オーミック... [more] | ED2022-15 CPM2022-9 SDM2022-22 pp.35-38 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-26 13:50 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | Interface charge engineering in normally-off AlTiO/AlGaN/GaN field-effect transistors ○Duong Dai Nguyen・Takehiro Isoda・Yuchen Deng・Toshi-kazu Suzuki（JAIST） ED2021-30 CPM2021-64 LQE2021-42 |
[more] | ED2021-30 CPM2021-64 LQE2021-42 pp.71-74 |
| ED | 2016-07-23 14:25 |
東京 | 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 (東京都) | AlTiO/AlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体デバイスにおけるローレンツ型低周波ノイズ ○鈴木寿一・Son Phuong Le・宇井利昌・Tuan Quy Nguyen・Hong-An Shih（北陸先端大） ED2016-28 |
[more] | ED2016-28 pp.5-9 |
| ED | 2015-07-24 14:30 |
石川 | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) (石川県) | AlN/AlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体デバイスにおける低周波ノイズ ○鈴木寿一・Son Phuong Le・Tuan Quy Nguyen・Hong-An Shih（北陸先端大） ED2015-39 |
[more] | ED2015-39 pp.15-20 |
| ED | 2013-08-08 15:30 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 (富山県) | ［招待講演］容量-周波数-温度マッピングによるGaN系金属-絶縁体-半導体デバイスの解析 ○鈴木寿一・Hong-An Shih・工藤昌宏（北陸先端大） ED2013-40 |
[more] | ED2013-40 pp.15-18 |
| ED | 2013-08-08 16:20 |
富山 | 富山大学工学部 大会議室 (富山県) | スパッタリング堆積BN膜のAlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタへの応用 ○山本裕司・Tuan Quy Nguyen・Hong-An Shih・工藤昌宏・鈴木寿一（北陸先端大） ED2013-41 |
[more] | ED2013-41 pp.19-23 |
| LQE, OPE (共催) |
2013-06-21 14:00 |
東京 | 機械振興会館 (東京都) | GaAs基板上メタモルフィックInAlAsによるMSM型光検出器のGHz応答 ○前北和晃・丸山武男・飯山宏一（金沢大）・鈴木寿一（北陸先端大） OPE2013-10 LQE2013-20 |
GaAs基板上にメタモルフィック結晶成長させたInAlAs層を用いたMSM光検出器を作製し，波長0.8 $mu$m帯での... [more] | OPE2013-10 LQE2013-20 pp.19-22 |
| ED | 2011-07-29 15:45 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター (新潟県) | GaAs(001)上のAlNスパッタ堆積およびAl2O3原子層堆積における表面前処理の効果 ○工藤昌宏・Hong-An Shih・赤堀誠志・鈴木寿一（北陸先端大） ED2011-42 |
[more] | ED2011-42 pp.25-30 |
| ED | 2010-06-17 13:25 |
石川 | 北陸先端大 (石川県) | フレキシブル基板上InAs超薄膜の作製と評価 ○滝田隼人・橋本紀彦・工藤昌宏・赤堀誠志・鈴木寿一（北陸先端大） ED2010-34 |
格子不整成長した狭ギャップ化合物半導体のエピタキシャルリフトオフ-van der Waals貼付(van der Waa... [more] | ED2010-34 pp.5-9 |
| ED | 2010-06-17 14:25 |
石川 | 北陸先端大 (石川県) | AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタにおける自己発熱による電子速度低下率の解析 ○鈴木寿一・田中成明（北陸先端大） ED2010-36 |
AlGaN/GaN ヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET) は, 高電流駆動能力・高耐圧に基づく高出力動作が可能な能... [more] | ED2010-36 pp.17-20 |
| ED | 2009-06-12 09:55 |
東京 | 東京工業大学 (東京都) | InGaAs/InP二次元電子移動度の異方性 ○赤堀誠志（北陸先端大/ユーリッヒ研）・Thanh Quang Trinh・工藤昌宏（北陸先端大）・Thomas Schaepers・Hilde Hardtdegen（ユーリッヒ研）・鈴木寿一（北陸先端大） ED2009-45 |
[more] | ED2009-45 pp.47-50 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-09 11:15 |
北海道 | かでる２・７（札幌） (北海道) | ［招待講演］Narrow-gap III-V Semiconductor Technology: Lattice-Mismatched Growth and Epitaxial Lift-off for Heterogeneous Integration ○Toshi-kazu Suzuki（JAIST） ED2008-40 SDM2008-59 |
Narrow-gap III-V semiconductors, such as InAs, InGaAs/InAlAs... [more] | ED2008-40 SDM2008-59 pp.3-8 |
| ED | 2008-06-13 13:00 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス (石川県) | SiN/AlN積層構造によるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション ○田中成明（北陸先端大）・住田行常・河合弘治（パウデック）・鈴木寿一（北陸先端大） ED2008-22 |
サファイア基板上のAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタに対して, AlN単層, SiN単層, さらにSiN超... [more] | ED2008-22 pp.1-4 |
| ED | 2008-06-14 10:15 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス (石川県) | エピタキシャルリフトオフ-van der Waals貼付によるInAs薄膜の異種材料融合集積 ○滝田隼人・工藤昌宏・田中成明・鈴木寿一（北陸先端大） ED2008-35 |
InAsの異種材料融合集積に向けて,InAs薄膜のエピタキシャルリフトオフ(ELO)およびSiO$_2$/Si基板上への... [more] | ED2008-35 pp.73-76 |
| ED | 2007-06-15 14:25 |
富山 | 富山大学 (富山県) | InAs薄膜のエピタキシャルリフトオフとSiO2/Siウェハへのvan der Waals貼付 ○滝田隼人・Jeong Yonkil・有田潤哉・鈴木寿一（北陸先端大） ED2007-34 |
分子線エピタキシー法によって成長したInAs トップ層/AlAs 犠牲層/InAs バッファ層/GaAs(001) 格子... [more] | ED2007-34 pp.17-20 |
| ED | 2007-06-16 10:35 |
富山 | 富山大学 (富山県) | AlNターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタによるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション ○田中成明（北陸先端大）・住田行常（パウデック）・鈴木寿一（北陸先端大） ED2007-43 |
AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET)に対するAlNを用いた表面パッシベーションの検討を行った. ... [more] | ED2007-43 pp.67-70 |
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