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講演検索結果
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 32件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2022-11-11
09:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]信号電子の混合効果の抑制によるスーパー時間分解を目指して
江藤剛治阪大)・下ノ村和弘安藤妙子松長誠之廣瀬 裕立命館大)・志村考功渡部平司阪大)・鎌倉良成阪工大)・武藤秀樹リンクリサーチ
 [more]
SDM 2022-11-11
17:15
ONLINE オンライン開催 ReRAMのサイクル変動特性の評価とモデリング
吉本将馬竹森聖起鎌倉良成阪工大
 [more]
SDM, ED, CPM
(共催)
2022-05-27
13:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]放射加熱/冷却を利用した環境発電装置の実装、評価、解析
鎌倉良成港 恭哉藤田悠摩鈴木悠平阪工大ED2022-7 CPM2022-1 SDM2022-14
放射加熱/冷却を利用した環境発電IoTセンシングシステムの実装評価,および等価回路モデルを用いた解析結果について報告する... [more] ED2022-7 CPM2022-1 SDM2022-14
pp.1-4
SDM 2021-11-12
16:45
ONLINE オンライン開催 Physics Informed Neural Networksを用いたシリコンナノワイヤ中のフォノン輸送解析
藤田悠摩鈴木悠平鎌倉良成阪工大SDM2021-66
偏微分方程式の近似解を求めることができるPhysics Informed Neural Networks (PINNs)... [more] SDM2021-66
pp.72-76
SDM 2021-11-12
17:10
ONLINE オンライン開催 機械学習を用いた極微細MOSFETの電気特性およびパラメータの推定
赤澤光平中西唯吾鈴木悠平鎌倉良成阪工大SDM2021-67
機械学習を用いたMOSFETのSPICEパラメータ推定手法について検討を行った.BSIM4で用いられるパラメータをランダ... [more] SDM2021-67
pp.77-80
SDM 2020-11-19
16:45
ONLINE オンライン開催 モンテカルロシミュレーションによる微細Siワイヤのフォノンの平均自由行程の解析
鈴木悠平藤田悠摩阪工大)・ファウジア ホティマトゥル野北崇人池田浩也静岡大)・渡邉孝信早大)・鎌倉良成阪工大SDM2020-28
 [more] SDM2020-28
pp.28-31
SDM 2019-11-07
10:00
東京 機械振興会館 [招待講演]2019 SISPADレビュー
鎌倉良成阪工大SDM2019-68
半導体プロセス・デバイスシミュレーション分野の専門国際会議であるInternational Conference on ... [more] SDM2019-68
pp.1-3
SDM, ED, CPM
(共催)
2019-05-16
13:00
静岡 静岡大学(浜松) Siワイヤサーモパイルの熱起電力に与えるフォノンドラッグ効果の考察
鈴木悠平ホティマトゥル ファウジア静岡大)・鎌倉良成阪工大)・渡邉孝信早大)・ファイズ サレマラヤ大)・池田浩也静岡大ED2019-10 CPM2019-1 SDM2019-8
 [more] ED2019-10 CPM2019-1 SDM2019-8
pp.1-4
SDM 2016-11-11
10:00
東京 機械振興会館 [招待講演]SISPAD 2016 レビュー (2)
鎌倉良成阪大SDM2016-84
 [more] SDM2016-84
pp.33-36
SDM 2015-11-05
11:25
東京 機械振興会館 モンテカルロ法による超高速イメージセンサの解析
南谷夏海阪大)・Vu Truon Son Dao下ノ村和弘江藤剛治立命館大)・鎌倉良成森 伸也阪大SDM2015-86
裏面照射型CCDを用いた超高速撮像素子を想定した基礎的なシミュレーション解析を行った。光電変換層で生成した光電子がコレク... [more] SDM2015-86
pp.13-17
SDM, ED
(共催)
2015-02-05
14:15
北海道 北海道大学(百年記念会館) 高効率熱電変換デバイス用SiGe混晶のゼーベック係数
池田浩也ベラッパン マニムスムスサミ オンプラカシュ鈴木悠平ファイズ サレムカンナン アリバナンドハン静岡大)・鎌倉良成阪大)・早川泰弘静岡大ED2014-139 SDM2014-148
我々は,熱電発電デバイスの高効率化やサーモパイル型赤外線センサの高感度化を目指して,熱電変換材料の特性向上の研究を行なっ... [more] ED2014-139 SDM2014-148
pp.7-11
SDM 2015-01-27
11:40
東京 機械振興会館 [招待講演]電子・フォノン統合モンテカルロシミュレータによる微細トランジスタの自己発熱析
鎌倉良成インドラ ヌル アディスシロ久木田健太郎脇村 豪阪大)・木場隼介土屋英昭神戸大)・森 伸也阪大SDM2014-139
 [more] SDM2014-139
pp.17-20
SDM 2014-11-07
11:15
東京 機械振興会館 モンテカルロ法を用いたSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数の抽出
土屋英昭石田良馬神戸大)・鎌倉良成森 伸也阪大)・宇野重康立命館大)・小川真人神戸大SDM2014-105
本稿では、モンテカルロシミュレーションを用いてSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数を抽出し、物理的... [more] SDM2014-105
pp.53-58
ICD, ITE-IST
(連催)
2014-07-03
13:30
島根 出雲市(島根県) モンテカルロデバイスシミュレーション法を用いた高速撮像素子の解析
鎌倉良成阪大)・下ノ村和弘江藤剛治立命館大ICD2014-23
 [more] ICD2014-23
pp.23-27
SDM 2013-11-15
13:25
東京 機械振興会館 ウィグナーモンテカルロ法を用いた極微細III-V MOSFETの量子輸送解析
大森正規木場隼介前川容佑神戸大)・土屋英昭神戸大/JST)・鎌倉良成森 伸也阪大/JST)・小川真人神戸大SDM2013-111
本稿では、ウィグナーモンテカルロシミュレーションを用いて、III-V MOSFETにおけるソース・ドレイン(SD)直接ト... [more] SDM2013-111
pp.65-70
SDM 2013-11-15
13:50
東京 機械振興会館 モンテカルロ法を用いたSiナノ構造の熱電変換性能に関する解析
インドラ ヌル アディスシロ久木田健太郎阪大)・鎌倉良成阪大/JSTSDM2013-112
 [more] SDM2013-112
pp.71-76
SDM 2012-11-15
10:05
東京 機械振興会館 [招待講演]2012 SISPAD レビュー ~ 量子輸送,新材料,原子・分子モデリング,その他 ~
鎌倉良成阪大SDM2012-98
 [more] SDM2012-98
pp.1-4
SDM 2012-11-16
10:50
東京 機械振興会館 経験的擬ポテンシャル法による4H-SiC MOS反転層の2次元電子状態の計算
渡辺龍太鎌倉良成阪大SDM2012-106
 [more] SDM2012-106
pp.37-42
SDM 2012-11-16
13:25
東京 機械振興会館 現実的分散モデルを用いたSi薄膜中のフォノン輸送モンテカルロシミュレーション
久木田健太郎阪大)・鎌倉良成阪大/JSTSDM2012-109
デバイスの微細化に伴い自己発熱効果の影響が顕著になり,集積回路の性能や信頼性を低下させることが懸念されている.そこで本研... [more] SDM2012-109
pp.53-58
SDM 2011-12-16
14:40
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 poly-Si TFTのオーバーシュートドレイン電流の評価とモデリング
太田俊史辻 博史鎌倉良成谷口研二阪大SDM2011-142
多結晶シリコン薄膜トランジスタ(poly-Si TFT)のオーバーシュートドレイン電流の測定を行い、ターンオン過渡特性の... [more] SDM2011-142
pp.53-58
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