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 47件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2021-12-09
14:45
ONLINE オンライン開催 地球低軌道応用に向けた平面型グラフェン電子源の耐酸素コーティング
松本直之横浜国大/産総研)・鷹尾祥典横浜国大)・長尾昌善村上勝久産総研ED2021-45
平面型グラフェン電子源は,推進剤不要,低電圧駆動 (< 20 V),高電子電流密度 (1‒100 mA/cm2),高放出... [more] ED2021-45
pp.38-42
ED 2021-12-09
15:35
ONLINE オンライン開催 グラフェン平面陰極搭載の走査型電子顕微鏡用電子銃の最適設計
亀田ゆきの静岡大/産総研)・村上勝久長尾昌善産総研)・三村秀典根尾陽一郎静岡大ED2021-47
走査型電子顕微鏡(SEM)は電子銃、電子線を収束させるための複数の電子レンズなどで構成されている。SEM用新規電子銃とし... [more] ED2021-47
pp.47-50
ED 2019-11-21
13:50
東京 機械振興会館 Si抵抗一体型フィールドエミッタアレイの製作
新谷英世村田英一六田英治下山 宏名城大)・長尾昌善村上勝久産総研ED2019-61
フィールドエミッタは陰極表面のマイグレーションやガス分子の吸着脱離によって電流特性が常に変化し続ける。そのため、微小なフ... [more] ED2019-61
pp.9-12
ED 2019-11-21
15:20
東京 機械振興会館 小型イオンエンジン用Graphene/SiO2/Si積層型mA級平面電子源の開発
古家 遼横浜国大/産総研)・村上勝久長尾昌善産総研)・鷹尾祥典横浜国大ED2019-64
Graphene/SiO2/Si積層型平面電子源(グラフェン電子源)は上部電極にグラフェンを用いることで,20–30%の... [more] ED2019-64
pp.21-24
ED 2019-11-21
15:45
東京 機械振興会館 ボルケーノ構造フィールドエミッタアレイの大電流化
名渕雄太産総研/静岡大)・長尾昌善村上勝久産総研)・三村秀典根尾陽一郎静岡大ED2019-65
我々は、火山構造型ダブルゲートスピント型フィールドエミッタアレイを開発した。放出電流を大幅に減らさずに電子ビームを集束す... [more] ED2019-65
pp.25-28
ED 2019-11-21
16:35
東京 機械振興会館 エレクトロスプレースラスタの高密度エミッタアレイ作製とイオン引き出し実験
鈴木貫太横浜国大/産総研)・井上直樹横浜国大)・長尾昌善村上勝久産総研)・クンプアン ソマワン原 史朗産総研/ミニマルファブ推進機構)・鷹尾祥典横浜国大ED2019-67
超小型衛星に搭載するエレクトロスプレースラスタ(推進機)の開発を目的として,フィールドエミッタアレイの作製工程を応用する... [more] ED2019-67
pp.31-34
ED 2019-11-22
11:40
東京 機械振興会館 ガンマ線照射下におけるFEAの特性測定装置とそれを用いた電子放出特性の評価
後藤康仁森藤瑛之半田裕典京大)・長尾昌善産総研)・佐藤信浩京大)・秋吉優史阪府大)・高木郁二京大)・岡本 保木更津高専ED2019-74
 [more] ED2019-74
pp.59-62
ED 2019-11-22
12:05
東京 機械振興会館 Graphene/h-BNの積層構造を用いた平面型電子源
猪狩朋也筑波大/産総研)・長尾昌善産総研)・三石和貴物質・材料研究機構)・佐々木正洋山田洋一筑波大)・村上勝久産総研/筑波大ED2019-75
本研究は,原子層物質であるgraphene及び$h$-BNの積層構造を用いた新規平面型電子放出素子を開発し,その電子放出... [more] ED2019-75
pp.63-66
ED 2018-10-24
14:00
東京 機械振興会館 地下3階1号室 ボルケーノ構造スピント型エミッタアレイの動作チップ数の向上
新谷英世・○村田英一池田貴大六田英治下山 宏名城大)・長尾昌善村上勝久産総研ED2018-26
これまで我々は、フィールドエミッタアレイ(FEA)の動作状態のリアルタイム観察が可能なマルチエミッタ評価用SEEM/PE... [more] ED2018-26
pp.1-4
ED 2018-10-24
14:25
東京 機械振興会館 地下3階1号室 大電力パルススパッタ法によるスピント型陰極作製における放電ガス(アルゴン、クリプトン)の効果
谷口日向大家 溪中野武雄成蹊大)・長尾昌善大崎 壽村上勝久産総研ED2018-27
スピント型エミッタは真空電子源のひとつである。この陰極は、上部にホールの開いた微細キャビティを基板上に形成し、ホールを通... [more] ED2018-27
pp.5-8
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-07
13:40
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 [招待講演]ミニマルファブとメガファブを併用したハイブリッドプロセスによるSOI-CMOSの作製及び電気特性評価
柳 永勛田中宏幸産総研)・古賀和博佐藤和重ミニマルファブ推進機構)・クンプアン ソマワン長尾昌善松川 貴原 史朗産総研SDM2018-30 ICD2018-17
本研究では,ミニマルファブとメガファブを併用したハイブリッドプロセスの開発を行い,ミニマルウエハ(直径12.5 mm)上... [more] SDM2018-30 ICD2018-17
pp.25-30
ED 2017-10-26
13:30
宮城 東北大学電気通信研究所本館6階大会議室 グラフェンを用いた低真空・低電圧で動作可能な高効率平面型電子放出デバイス
村上勝久産総研)・古家 遼横浜国大)・飯島拓也筑波大)・長尾昌善産総研)・根本善弘竹口雅樹物質・材料研究機構)・鷹尾祥典横浜国大)・山田洋一佐々木正洋筑波大ED2017-36
 [more] ED2017-36
pp.1-4
ED 2017-10-26
13:55
宮城 東北大学電気通信研究所本館6階大会議室 シリコンフィールドエミッタアレイのレーザ支援電界電子放射特性
嶋脇秀隆八戸工大)・長尾昌善産総研)・根尾陽一郎三村秀典静岡大)・高井幹夫阪大ED2017-37
p型半導体エミッタは、金属エミッタと異なり、光感受性に優れるため、バンドギャップ以上の低エネルギーレーザを用いて短パルス... [more] ED2017-37
pp.5-8
ED 2017-10-27
09:55
宮城 東北大学電気通信研究所本館6階大会議室 マルチエミッタ評価装置によるボルケーノ構造スピント型エミッタの動作チップの放出電流測定
田口広大・○村田英一六田英治下山 宏名城大)・長尾昌善村上勝久産総研ED2017-45
 [more] ED2017-45
pp.39-42
ED 2017-10-27
10:50
宮城 東北大学電気通信研究所本館6階大会議室 高線量率のX線照射下におけるフィールドエミッタアレイの動作
森藤瑛之辻 博司京大)・長尾昌善産総研)・秋吉優史阪府大)・高木郁二後藤康仁京大ED2017-46
シングルゲートフィールドエミッタアレイのX線照射下における電子放出特性を調べた。孤立した電極に帯電してしまうことを防ぐた... [more] ED2017-46
pp.43-46
ED 2017-10-27
11:15
宮城 東北大学電気通信研究所本館6階大会議室 微小電子源の作製技術を利用した超小型エレクトロスプレースラスタの試作
村上勝久長尾昌善産総研)・井上直樹鷹尾祥典横浜国大)・クンプアン ソマワン原 史朗産総研/ミニマルファブ推進機構ED2017-47
 [more] ED2017-47
pp.47-50
ED 2016-10-25
13:25
三重 三重大学 新産業創成研究拠点(旧VBL) エックス線照射下におけるフィールドエミッタアレイの動作特性とその解析
後藤康仁辻 博司京大)・長尾昌善産総研)・秋吉優史阪府大)・高木郁二京大ED2016-44
 [more] ED2016-44
pp.5-8
ED 2016-10-25
14:40
三重 三重大学 新産業創成研究拠点(旧VBL) シリコンフィールドエミッタの光応答性の評価(その2)
嶋脇秀隆八戸工大)・長尾昌善産総研)・根尾陽一郎三村秀典静岡大)・若家冨士男高井幹夫阪大ED2016-46
p型シリコンフィールドエミッタにバンドギャップ以上の光を照射するとエミッション電流が増大する。この特性を利用すると光パル... [more] ED2016-46
pp.13-15
ED 2016-10-25
16:35
三重 三重大学 新産業創成研究拠点(旧VBL) ミニマルファブを活用した微小電子源の作製
長尾昌善村上勝久辰巳憲之クンプアン ソマワン原 史朗産総研)・後藤康仁京大ED2016-50
 [more] ED2016-50
pp.31-36
ED 2016-10-26
09:30
三重 三重大学 新産業創成研究拠点(旧VBL) グラフェンをゲート電極に用いた平面型電子放出素子
村上勝久産総研)・田中駿丞筑波大)・長尾昌善産総研)・根本善弘竹口雅樹物質・材料研究機構)・藤田淳一筑波大ED2016-51
 [more] ED2016-51
pp.37-40
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