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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2022-12-08 12:30 |
愛知 | 12/8 名大，12/9 ウインク愛知（会場は「詳細はこちら」を参照ください） | 超高実装密度エレクトロスプレーイオン源のための二重エミッタ構造の試作 ○郭 樹俊（横浜国大）・長尾昌善・村上勝久・村田博雅（産総研）・鷹尾祥典（横浜国大）  ED2022-49 |
著者らは，超小型衛星に搭載可能であるエレクトロスプレーイオン源の研究を行っている．これはプラズマからイオンを引き出すイオ... [more] | ED2022-49 pp.1-3 |
| ED | 2022-12-08 12:55 |
愛知 | 12/8 名大，12/9 ウインク愛知（会場は「詳細はこちら」を参照ください） | 超小型衛星のための厚膜レジストSU-8を用いたエレクトロスプレーイオン源 ○新宮拓実（横浜国大/産総研）・長尾昌善・村上勝久・村田博雅（産総研）・鷹尾祥典（横浜国大） ED2022-50 |
著者らは以前に，超小型宇宙機用の高推力な推進機として，電界放出電子源の作製技術を利用した高実装密度エレクトロスプレーイオ... [more] | ED2022-50 pp.4-7 |
| ED | 2022-12-08 14:10 |
愛知 | 12/8 名大，12/9 ウインク愛知（会場は「詳細はこちら」を参照ください） | 直流および高周波マグネトロンスパッタ法により成膜した窒化ハフニウム薄膜の仕事関数の測定 ○大住知暉（京大）・長尾昌善（産総研）・後藤康仁（京大） ED2022-53 |
直流および高周波マグネトロンスパッタ法を用い, 成膜時に導入するガスの窒素流量比を変化させ, 窒素組成の異なる窒化ハフニ... [more] | ED2022-53 pp.15-17 |
| ED | 2022-12-08 16:25 |
愛知 | 12/8 名大，12/9 ウインク愛知（会場は「詳細はこちら」を参照ください） | GIS構造電子源におけるグラフェンの電子透過のシミュレーション ○若家冨士男・寺門大地・河嶋祥吾・阿保 智（阪大）・長尾昌善・村上勝久（産総研） ED2022-58 |
[more] | ED2022-58 pp.29-30 |
| ED | 2022-12-09 10:15 |
愛知 | 12/8 名大，12/9 ウインク愛知（会場は「詳細はこちら」を参照ください） | 液中動作用グラフェン平面電子源の開発 ○村上勝久・村田博雅・長尾昌善（産総研） ED2022-60 |
[more] | ED2022-60 pp.35-36 |
| ED | 2022-12-09 10:40 |
愛知 | 12/8 名大，12/9 ウインク愛知（会場は「詳細はこちら」を参照ください） | h-BNのSi基板上低温成膜技術の開発とgraphene/h-BN/Si積層型平面電子放出デバイスへの応用 ○山本将也（静岡大/産総研）・村田博雅・長尾昌善（産総研）・三村秀典・根尾陽一郎（静岡大）・村上勝久（産総研） ED2022-61 |
[more] | ED2022-61 pp.37-38 |
| ED | 2022-12-09 15:35 |
愛知 | 12/8 名大，12/9 ウインク愛知（会場は「詳細はこちら」を参照ください） | ナノ結晶シリコンを用いた平面型電子源からの電子放出特性 ○嶋脇秀隆（八戸工大）・村田博雅・長尾昌善・村上勝久（産総研） ED2022-68 |
[more] | ED2022-68 pp.59-61 |
| ED | 2022-12-09 16:25 |
愛知 | 12/8 名大，12/9 ウインク愛知（会場は「詳細はこちら」を参照ください） | 大電流動作に向けた電子源要素技術の開発 ○村田博雅・村上勝久・長尾昌善（産総研） ED2022-70 |
我々は，ボルケーノ構造を有するゲート電極と集束電極を配置したダブルゲートフィールドエミッタアレイを開発してきた．ゲート電... [more] | ED2022-70 pp.64-65 |
| ED | 2021-12-09 14:45 |
ONLINE | オンライン開催 | 地球低軌道応用に向けた平面型グラフェン電子源の耐酸素コーティング ○松本直之（横浜国大/産総研）・鷹尾祥典（横浜国大）・長尾昌善・村上勝久（産総研） ED2021-45 |
平面型グラフェン電子源は，推進剤不要，低電圧駆動 (< 20 V)，高電子電流密度 (1‒100 mA/cm2)，高放出... [more] | ED2021-45 pp.38-42 |
| ED | 2021-12-09 15:35 |
ONLINE | オンライン開催 | グラフェン平面陰極搭載の走査型電子顕微鏡用電子銃の最適設計 ○亀田ゆきの（静岡大/産総研）・村上勝久・長尾昌善（産総研）・三村秀典・根尾陽一郎（静岡大） ED2021-47 |
走査型電子顕微鏡(SEM)は電子銃、電子線を収束させるための複数の電子レンズなどで構成されている。SEM用新規電子銃とし... [more] | ED2021-47 pp.47-50 |
| ED | 2019-11-21 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | Si抵抗一体型フィールドエミッタアレイの製作 ○新谷英世・村田英一・六田英治・下山 宏（名城大）・長尾昌善・村上勝久（産総研） ED2019-61 |
フィールドエミッタは陰極表面のマイグレーションやガス分子の吸着脱離によって電流特性が常に変化し続ける。そのため、微小なフ... [more] | ED2019-61 pp.9-12 |
| ED | 2019-11-21 15:20 |
東京 | 機械振興会館 | 小型イオンエンジン用Graphene/SiO2/Si積層型mA級平面電子源の開発 ○古家 遼（横浜国大/産総研）・村上勝久・長尾昌善（産総研）・鷹尾祥典（横浜国大） ED2019-64 |
Graphene/SiO2/Si積層型平面電子源（グラフェン電子源）は上部電極にグラフェンを用いることで，20–30%の... [more] | ED2019-64 pp.21-24 |
| ED | 2019-11-21 15:45 |
東京 | 機械振興会館 | ボルケーノ構造フィールドエミッタアレイの大電流化 ○名渕雄太（産総研/静岡大）・長尾昌善・村上勝久（産総研）・三村秀典・根尾陽一郎（静岡大） ED2019-65 |
我々は、火山構造型ダブルゲートスピント型フィールドエミッタアレイを開発した。放出電流を大幅に減らさずに電子ビームを集束す... [more] | ED2019-65 pp.25-28 |
| ED | 2019-11-21 16:35 |
東京 | 機械振興会館 | エレクトロスプレースラスタの高密度エミッタアレイ作製とイオン引き出し実験 ○鈴木貫太（横浜国大/産総研）・井上直樹（横浜国大）・長尾昌善・村上勝久（産総研）・クンプアン ソマワン・原 史朗（産総研/ミニマルファブ推進機構）・鷹尾祥典（横浜国大） ED2019-67 |
超小型衛星に搭載するエレクトロスプレースラスタ（推進機）の開発を目的として，フィールドエミッタアレイの作製工程を応用する... [more] | ED2019-67 pp.31-34 |
| ED | 2019-11-22 11:40 |
東京 | 機械振興会館 | ガンマ線照射下におけるFEAの特性測定装置とそれを用いた電子放出特性の評価 ○後藤康仁・森藤瑛之・半田裕典（京大）・長尾昌善（産総研）・佐藤信浩（京大）・秋吉優史（阪府大）・高木郁二（京大）・岡本 保（木更津高専） ED2019-74 |
[more] | ED2019-74 pp.59-62 |
| ED | 2019-11-22 12:05 |
東京 | 機械振興会館 | Graphene/h-BNの積層構造を用いた平面型電子源 ○猪狩朋也（筑波大/産総研）・長尾昌善（産総研）・三石和貴（物質・材料研究機構）・佐々木正洋・山田洋一（筑波大）・村上勝久（産総研/筑波大） ED2019-75 |
本研究は，原子層物質であるgraphene及び$h$-BNの積層構造を用いた新規平面型電子放出素子を開発し，その電子放出... [more] | ED2019-75 pp.63-66 |
| ED | 2018-10-24 14:00 |
東京 | 機械振興会館 地下3階1号室 | ボルケーノ構造スピント型エミッタアレイの動作チップ数の向上 新谷英世・○村田英一・池田貴大・六田英治・下山 宏（名城大）・長尾昌善・村上勝久（産総研） ED2018-26 |
これまで我々は、フィールドエミッタアレイ（FEA）の動作状態のリアルタイム観察が可能なマルチエミッタ評価用SEEM/PE... [more] | ED2018-26 pp.1-4 |
| ED | 2018-10-24 14:25 |
東京 | 機械振興会館 地下3階1号室 | 大電力パルススパッタ法によるスピント型陰極作製における放電ガス（アルゴン、クリプトン）の効果 ○谷口日向・大家 溪・中野武雄（成蹊大）・長尾昌善・大崎 壽・村上勝久（産総研） ED2018-27 |
スピント型エミッタは真空電子源のひとつである。この陰極は、上部にホールの開いた微細キャビティを基板上に形成し、ホールを通... [more] | ED2018-27 pp.5-8 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2018-08-07 13:40 |
北海道 | 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 | ［招待講演］ミニマルファブとメガファブを併用したハイブリッドプロセスによるSOI-CMOSの作製及び電気特性評価 ○柳 永勛・田中宏幸（産総研）・古賀和博・佐藤和重（ミニマルファブ推進機構）・クンプアン ソマワン・長尾昌善・松川 貴・原 史朗（産総研） SDM2018-30 ICD2018-17 |
本研究では，ミニマルファブとメガファブを併用したハイブリッドプロセスの開発を行い，ミニマルウエハ(直径12.5 mm)上... [more] | SDM2018-30 ICD2018-17 pp.25-30 |
| ED | 2017-10-26 13:30 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所本館6階大会議室 | グラフェンを用いた低真空・低電圧で動作可能な高効率平面型電子放出デバイス ○村上勝久（産総研）・古家 遼（横浜国大）・飯島拓也（筑波大）・長尾昌善（産総研）・根本善弘・竹口雅樹（物質・材料研究機構）・鷹尾祥典（横浜国大）・山田洋一・佐々木正洋（筑波大） ED2017-36 |
[more] | ED2017-36 pp.1-4 |
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