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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2024-12-05
14:10
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター) (愛知県) 高電界印加された層状絶縁体における電子透過率のエネルギー依存性
河嶋祥吾阪大)・小市崇央阪大/産総研)・阿保 智・○若家冨士男阪大)・長尾昌善村上勝久産総研ED2024-40
 [more] ED2024-40
pp.4-5
ED 2024-12-05
14:50
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター) (愛知県) TiNコーティングを施したボルケーノ構造フィールドエミッタアレイのエージング前後の放出電流評価
川﨑祐輔村田英一名城大)・村田博雅長尾昌善産総研ED2024-42
エージングがFEAの放出電流の均一性に及ぼす影響への評価は困難であり、動作tip数の推移を観察することがほとんどであった... [more] ED2024-42
pp.9-12
ED 2024-12-05
15:20
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター) (愛知県) 三極型大電力パルススパッタリングによるスピント型エミッタの作製と電子放出
近藤 駿成蹊大/産総研)・中野武雄モハメッド シュルズ ミヤ成蹊大)・長尾昌善村田博雅産総研ED2024-43
 [more] ED2024-43
pp.13-16
ED 2024-12-05
15:40
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター) (愛知県) エピタキシャル成長によるGraphene/h-BN積層構造を有する平面型電子源作製プロセスの最適化
六川 蓮鷹尾祥典横浜国大)・山本将也根尾陽一郎静岡大)・長尾昌善村田博雅村上勝久産総研ED2024-44
 [more] ED2024-44
pp.17-18
ED 2024-12-06
09:30
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター) (愛知県) [招待講演]高度化が進む真空ナノエレクトロニクスデバイス
長尾昌善産総研ED2024-48
 [more] ED2024-48
pp.30-33
ED 2024-12-06
10:10
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター) (愛知県) 高密度エレクトロスプレースラスタの作製プロセスの改良
清水翔太郎横浜国大)・長尾昌善村上勝久村田博雅産総研)・鷹尾祥典横浜国大ED2024-49
 [more] ED2024-49
pp.34-37
ED 2024-12-06
11:00
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター) (愛知県) ショットキー接合型グラフェン平面電子源の開発
村上勝久村田博雅長尾昌善産総研ED2024-51
 [more] ED2024-51
pp.41-42
ED 2024-12-06
11:20
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター) (愛知県) グラフェン層での電子回折を利用したGraphene-Insulator-Semiconductor構造電子源の研究
小市崇央阪大/産総研)・河嶋祥吾三宅広士阿保 智若家冨士男阪大)・長尾昌善村上勝久産総研ED2024-52
 [more] ED2024-52
pp.43-44
ED 2023-12-07
13:50
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター) (愛知県) Graphene/h-BN/Si積層構造を用いた平面型電子放出デバイスの開発
村上勝久村田博雅長尾昌善産総研)・佐々木正洋山田洋一筑波大ED2023-39
 [more] ED2023-39
pp.5-7
ED 2023-12-07
14:15
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター) (愛知県) Graphene-Insulator-Semiconductor構造電子源における多重反射の効果
小市崇央河嶋祥吾阿保 智若家冨士男阪大)・長尾昌善村上勝久産総研ED2023-40
Graphene-Insulator-Semiconductor構造電子源において、グラフェン層は電子ビームの特性に変化... [more] ED2023-40
pp.8-10
ED 2023-12-07
14:50
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター) (愛知県) 三極型大電力パルススパッタリングによる窒化ハフニウムスピント型フィールドエミッタアレイの作製
近藤 駿成蹊大/産総研)・中野武雄モハメッド シュルズ ミヤ成蹊大)・長尾昌善村田博雅産総研ED2023-41
我々は、イオン化スパッタリング技術の一種である三極型大電力パルススパッタリング法(t-HPPMS)を用いたスピント型エミ... [more] ED2023-41
pp.11-14
ED 2023-12-07
15:40
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター) (愛知県) 真空トランジスタを用いた二段増幅回路の可能性の検討
堀 良輔京大)・大住知暉京大/産総研)・長尾昌善村田博雅産総研)・後藤康仁京大ED2023-43
 [more] ED2023-43
pp.19-22
ED 2023-12-08
09:50
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター) (愛知県) 酸化環境に対する平面型グラフェン電子源の保護手法と電子放出特性に及ぼす影響
六川 蓮鷹尾祥典横浜国大)・長尾昌善村田博雅村上勝久産総研ED2023-48
平面型グラフェン電子源は,電圧印加のみで高効率な電子放出が可能であることから地球低軌道で使用される小型イオンスラスタの中... [more] ED2023-48
pp.39-42
ED 2023-12-08
10:25
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター) (愛知県) GOS構造電子源の光支援電子放出特性
嶋脇秀隆八戸工大)・長尾昌善村上勝久産総研ED2023-49
原子層物質であるグラフェンは、電子の透過性に優れた特性を有すると共に、可視~遠赤外領域での光の透過性にも優れた特性を有す... [more] ED2023-49
pp.43-44
ED 2023-12-08
11:15
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター) (愛知県) キャピラリ・ニードルエミッタ構造を有するエレクトロスプレーイオン源の性能向上に向けた作製プロセスの最適化
郭 樹俊横浜国大)・長尾昌善村上勝久村田博雅産総研)・鷹尾祥典横浜国大ED2023-51
著者らは超小型衛星に搭載可能なエレクトロスプレーイオン源を研究している.これはイオン液体を推進剤とし,イオン放出によって... [more] ED2023-51
pp.49-52
ED 2022-12-08
12:30
愛知 12/8 名大,12/9 ウインク愛知(会場は「詳細はこちら」を参照ください) (愛知県) 超高実装密度エレクトロスプレーイオン源のための二重エミッタ構造の試作
郭 樹俊横浜国大)・長尾昌善村上勝久村田博雅産総研)・鷹尾祥典横浜国大ED2022-49
著者らは,超小型衛星に搭載可能であるエレクトロスプレーイオン源の研究を行っている.これはプラズマからイオンを引き出すイオ... [more] ED2022-49
pp.1-3
ED 2022-12-08
12:55
愛知 12/8 名大,12/9 ウインク愛知(会場は「詳細はこちら」を参照ください) (愛知県) 超小型衛星のための厚膜レジストSU-8を用いたエレクトロスプレーイオン源
新宮拓実横浜国大/産総研)・長尾昌善村上勝久村田博雅産総研)・鷹尾祥典横浜国大ED2022-50
著者らは以前に,超小型宇宙機用の高推力な推進機として,電界放出電子源の作製技術を利用した高実装密度エレクトロスプレーイオ... [more] ED2022-50
pp.4-7
ED 2022-12-08
14:10
愛知 12/8 名大,12/9 ウインク愛知(会場は「詳細はこちら」を参照ください) (愛知県) 直流および高周波マグネトロンスパッタ法により成膜した窒化ハフニウム薄膜の仕事関数の測定
大住知暉京大)・長尾昌善産総研)・後藤康仁京大ED2022-53
直流および高周波マグネトロンスパッタ法を用い, 成膜時に導入するガスの窒素流量比を変化させ, 窒素組成の異なる窒化ハフニ... [more] ED2022-53
pp.15-17
ED 2022-12-08
16:25
愛知 12/8 名大,12/9 ウインク愛知(会場は「詳細はこちら」を参照ください) (愛知県) GIS構造電子源におけるグラフェンの電子透過のシミュレーション
若家冨士男寺門大地河嶋祥吾阿保 智阪大)・長尾昌善村上勝久産総研ED2022-58
 [more] ED2022-58
pp.29-30
ED 2022-12-09
10:15
愛知 12/8 名大,12/9 ウインク愛知(会場は「詳細はこちら」を参照ください) (愛知県) 液中動作用グラフェン平面電子源の開発
村上勝久村田博雅長尾昌善産総研ED2022-60
 [more] ED2022-60
pp.35-36
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