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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, MW
(共催)
2024-01-25
15:55
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
ダイヤモンド放熱基板を用いたGaN HEMTの開発
白柳裕介三菱電機/熊本大)・友久伸吾三菱電機)・笠村啓司豊田洋輝熊本大)・松前貴司倉島優一高木秀樹産総研)・久保田章亀熊本大)・長永隆志三菱電機ED2023-69 MW2023-161
 [more] ED2023-69 MW2023-161
pp.15-18
ICD 2013-04-11
09:50
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [招待講演]STT-MRAMの特性改善に向けたダミーフリー層と2重トンネル接合を有する新しいMTJ
角田浩司能代英之吉田親子山崎裕一高橋 厚射場義久畑田明良中林正明長永隆志青木正樹杉井寿博超低電圧デバイス技研組合ICD2013-2
CMOS混載用のスピン注入型MRAMに適した新しい磁気トンネル接合(MTJ)を開発した.このMTJはCoFeB/MgO界... [more] ICD2013-2
pp.5-10
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