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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2023-08-03 09:30 |
北海道 | 北海道大学 情報教育館 3F （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］二次元原子層材料デバイスの現状課題と開発展望 ○長汐晃輔（東大）  SDM2023-48 ICD2023-27 |
2011年にEPFLのKisらによるHfO2トップゲート単層MoS2 FETの報告からすでに約10年が経過した．結合の閉... [more] | SDM2023-48 ICD2023-27 p.60 |
| SDM | 2019-11-07 13:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］2次元層状トランジスタの界面の理解と制御 ○長汐晃輔（東大） SDM2019-70 |
[more] | SDM2019-70 pp.9-10 |
| SDM | 2015-01-27 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］HfO2/SiO2/SiゲートスタックにおけるSiO2スカベンジング現象の定式化 ○李 秀妍・矢嶋赳彬・西村知紀・長汐晃輔・鳥海 明（東大） SDM2014-135 |
[more] | SDM2014-135 pp.1-4 |
| SDM | 2014-06-19 15:00 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［依頼講演］VO2単結晶薄膜中の転移応力制御による急峻な金属絶縁体転移の実現 ○矢嶋赳彬・二宮裕磨・西村知紀・長汐晃輔・鳥海 明（東大） SDM2014-55 |
[more] | SDM2014-55 pp.65-67 |
| SDM | 2014-01-29 09:35 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］2層グラフェンにおけるギャップ内のキャリア応答と高電界でのサブバンド散乱 ○長汐晃輔・金山 薫・西村知紀・鳥海 明（東大） SDM2013-135 |
[more] | SDM2013-135 pp.1-4 |
| SDM | 2014-01-29 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］基板からみたGe n-MOSFETsにおける電子移動度の考察 ○李 忠賢・西村知紀・田畑俊行・魯 辞莽・張 文峰・長汐晃輔・鳥海 明（東大） SDM2013-136 |
本研究ではGe基板に由来するGe nMOSFETsにおける電子移動度の劣化機構について議論する． Ge nMOSFETs... [more] | SDM2013-136 pp.5-8 |
| SDM | 2010-06-22 14:35 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | GeO2/Ge界面反応の理解に基づくGeO2膜物性の劣化現象の制御 ○喜多浩之（東大/JST）・王 盛凱・李 忠賢・吉田まほろ（東大）・西村知紀・長汐晃輔・鳥海 明（東大/JST） SDM2010-43 |
[more] | SDM2010-43 pp.55-60 |
| SDM | 2009-06-19 13:00 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 金属/ゲルマニウム界面のフェルミレベルピンニングとその制御性 ○西村知紀・長汐晃輔・喜多浩之・鳥海 明（東大/JST） SDM2009-32 |
Geデバイスの適用世代では微細化に伴う寄生抵抗の低減が必要不可欠であり、接触抵抗においては金属/半導体間のショットキー障... [more] | SDM2009-32 pp.33-38 |
| OME | 2008-10-31 14:15 |
東京 | 東大本郷 工学部６号館３階セミナー室Ａ | 水素雰囲気下で蒸着することによるペンタセンTFTの移動度の向上 ○横山孝理・朴 昌範・長汐晃輔・喜多浩之・鳥海 明（東大） OME2008-53 |
[more] | OME2008-53 pp.15-20 |
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