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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, ED, CPM
(共催)
2023-11-30
13:30
静岡 アクトシティ浜松 四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製
滝本将也間瀬 晃小嶋智輝江川孝志三好実人名工大ED2023-15 CPM2023-57 LQE2023-55
GaN系半導体を用いたヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)は次世代の高周波デバイスとして有望視されている。GaN系... [more] ED2023-15 CPM2023-57 LQE2023-55
pp.6-10
CPM, ED, LQE
(共催)
2022-11-24
15:15
愛知 ウインクあいち(愛知県産業労働センター)(名古屋)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
GaN系HBTに向けたp-GaInN base層と四元AlGaInN emitter層の検討
飯田悠介間瀬 晃滝本将也二階祐宇江川孝志三好実人名工大ED2022-36 CPM2022-61 LQE2022-69
窒化物半導体HBTは次世代の高周波パワーデバイスとして非常に有望である。窒化物半導体HBTはp型ベース層が高抵抗であるこ... [more] ED2022-36 CPM2022-61 LQE2022-69
pp.57-60
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