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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-22
11:35
静岡 静岡大学(浜松) 脳深部光刺激用LEDプローブの実現に向けた針型構造の作製
中山雄晟安永弘樹豊橋技科大)・稲波千尋大澤匡弘名古屋市大)・関口寛人豊橋技科大/JSTさきがけED2019-52 CPM2019-71 LQE2019-95
神経生理学分野では,光を照射し特定の神経細胞を活性化させることで神経活動メカニズムの解明に向けた研究が行われている。深さ... [more] ED2019-52 CPM2019-71 LQE2019-95
pp.81-84
SDM, ED, CPM
(共催)
2019-05-17
12:00
静岡 静岡大学(浜松) 窒化物半導体集積回路プロセスの検討 ~ Siイオン注入による閾値制御の試み ~
岡田 浩横山太一三輪清允山根啓輔若原昭浩関口寛人豊橋技科大ED2019-26 CPM2019-17 SDM2019-24
 [more] ED2019-26 CPM2019-17 SDM2019-24
pp.77-80
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-13
11:20
京都 京大桂キャンパス 超大規模光電子融合チップのための基板構造およびモノリシック集積型GaN-μLED用駆動回路の開発
土山和晃宇都宮 脩中川翔太山根啓輔関口寛人岡田 浩若原昭浩豊橋技科大ED2016-73 CPM2016-106 LQE2016-89
本報告では、次世代の光電子集積の一つの方法論として我々が提案する、Si/SiO2/GaN-LED基板構造の作製技術および... [more] ED2016-73 CPM2016-106 LQE2016-89
pp.79-83
CPM, ED, SDM
(共催)
2016-05-19
15:00
静岡 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) 絶縁ゲート型トランジスタに向けた絶縁体/窒化物半導体界面形成プロセスの検討
近藤佑隆篠原正俊彦坂朋輝馬場真人岡田 浩関口寛人山根啓輔若原昭浩豊橋技科大ED2016-17 CPM2016-5 SDM2016-22
 [more] ED2016-17 CPM2016-5 SDM2016-22
pp.19-23
CPM, ED, SDM
(共催)
2016-05-20
11:55
静岡 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) III-V/Siヘテロエピタキシーのための界面制御
山根啓輔関口寛人岡田 浩若原昭浩豊橋技科大ED2016-26 CPM2016-14 SDM2016-31
本稿では、GaP/SiヘテロエピタキシーのためのSi基板上第一原子層の形成行程に着目し、Si基板の表面状態とGaP成長層... [more] ED2016-26 CPM2016-14 SDM2016-31
pp.61-65
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-28
15:15
愛知 豊橋技科大VBL棟 表面窒化を用いたGaAsN混晶のN組成制御
浦上法之山根啓輔関口寛人岡田 浩若原昭浩豊橋技科大ED2015-20 CPM2015-5 SDM2015-22
表面窒化による窒素添加と数原子層(ML)のGaAsで埋め込むことにより希薄窒化物混晶であるGaAsNを成長し,成長条件が... [more] ED2015-20 CPM2015-5 SDM2015-22
pp.21-26
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-28
16:30
愛知 名古屋大学VBL3階 表面波プラズマを用いたシリコン窒化膜の化学気相堆積とデバイス応用
川上恭平石丸貴博篠原正俊岡田 浩豊橋技科大)・古川雅一アリエースリサーチ)・若原昭浩関口寛人豊橋技科大ED2014-29 CPM2014-12 SDM2014-27
マイクロ波による表面波プラズマを応用した新しい化学気相堆積法を提案し、シリコン窒化膜の堆積を行った。ビス(ジメチルアミノ... [more] ED2014-29 CPM2014-12 SDM2014-27
pp.55-58
SDM, ED, CPM
(共催)
2013-05-16
15:45
静岡 静大(浜松)創造科学技術大学院 表面窒化によるGaAsN混晶の形成
浦上法之若原昭浩関口寛人岡田 浩豊橋技科大ED2013-20 CPM2013-5 SDM2013-27
GaAsN混晶を表面窒化により量子井戸として形成し、成長様式および発光特性を評価した。窒化時のAs2分子線圧力を減少する... [more] ED2013-20 CPM2013-5 SDM2013-27
pp.23-26
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-30
11:00
大阪 大阪市立大学 Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製
大谷龍輝関口寛人豊橋技科大)・高木康文浜松ホトニクス)・岡田 浩若原昭浩豊橋技科大ED2012-80 CPM2012-137 LQE2012-108
希土類添加半導体は発光線幅が狭く,温度消光が小さいといった優れた発光特性を有するため,次世代発光デバイスとして注目されて... [more] ED2012-80 CPM2012-137 LQE2012-108
pp.65-70
ED, SDM, CPM
(共催)
2012-05-17
13:40
愛知 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上
深見太志浦上法之関口寛人岡田 浩若原昭浩豊橋技科大ED2012-18 CPM2012-2 SDM2012-20
Si上発光デバイスの活性層材料としてGaAsN混晶は有望である。460°Cで成長した試料に比べ、600°Cで成長したGa... [more] ED2012-18 CPM2012-2 SDM2012-20
pp.7-10
ED, SDM, CPM
(共催)
2012-05-17
14:05
愛知 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価
伊藤宏成熊谷啓助関口寛人岡田 浩若原昭浩豊橋技科大ED2012-19 CPM2012-3 SDM2012-21
格子整合III-V-N/Si構造において、AlGaPN混晶は、発光素子のクラッド層材料として期待できる。そこで、Sおよび... [more] ED2012-19 CPM2012-3 SDM2012-21
pp.11-14
ED, SDM, CPM
(共催)
2012-05-18
10:25
愛知 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー N交互供給によるn-GaPN:Sの有機金属気相成長と電気的特性の検討
永本勇矢松岡勝彦関口寛人岡田 浩若原昭浩豊橋技科大ED2012-29 CPM2012-13 SDM2012-31
 [more] ED2012-29 CPM2012-13 SDM2012-31
pp.57-61
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-18
10:45
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響
関口寛人豊橋技科大)・高木康文浜松ホトニクス)・大谷龍輝岡田 浩若原昭浩豊橋技科大ED2011-91 CPM2011-140 LQE2011-114
希土類添加半導体は発光線幅が狭く温度消光が小さいなどの優れた発光特性を有するため,次世代発光デバイス材料として注目されて... [more] ED2011-91 CPM2011-140 LQE2011-114
pp.93-97
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-19
13:50
愛知 名古屋大学 VBL Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長
熊谷啓助小路耕平河合 剛山根啓輔関口寛人岡田 浩若原昭浩豊橋技科大ED2011-10 CPM2011-17 SDM2011-23
格子整合系III-V-N/Siの発光素子構造において、Siと格子整合した低屈折率混晶があれば光閉じ込め構造作製に応用でき... [more] ED2011-10 CPM2011-17 SDM2011-23
pp.49-54
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-19
14:15
愛知 名古屋大学 VBL BGaPの分子線エピタキシー成長
浦上法之深見太志関口寛人岡田 浩若原昭浩豊橋技科大ED2011-11 CPM2011-18 SDM2011-24
Si基板上歪量子井戸レーザ用の歪補償層への応用に向けて、希薄BGaP層の分子線エピタキシャル成長を検討した。BGaP層の... [more] ED2011-11 CPM2011-18 SDM2011-24
pp.55-58
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-20
14:40
愛知 名古屋大学 VBL 高温環境下で動作するCOガスセンサに向けたPt/GaNショットキバリアダイオードの評価
丸山大地岡田 浩関口寛人若原昭浩豊橋技科大ED2011-30 CPM2011-37 SDM2011-43
高温環境下で動作し、COガスに対して高い感度を有するガスセンサを目指してPt/GaN ショットキバリアダイオードを作製し... [more] ED2011-30 CPM2011-37 SDM2011-43
pp.151-155
LQE, ED, CPM
(共催)
2008-11-27
09:30
愛知 名古屋工業大学 RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製
関口寛人菊池昭彦岸野克巳上智大ED2008-152 CPM2008-101 LQE2008-96
GaNナノコラムは結晶中に貫通転位を含まず優れた発光特性を有する。我々は可視全域で発光するInGaN/GaN量子井戸ナノ... [more] ED2008-152 CPM2008-101 LQE2008-96
pp.1-6
LQE, ED, CPM
(共催)
2008-11-27
09:55
愛知 名古屋工業大学 GaNナノコラムにおけるランダムレージング
酒井 優岸野克巳菊池昭彦関口寛人上智大/JST)・猪瀬裕太上智大)・江馬一弘大槻東巳上智大/JSTED2008-153 CPM2008-102 LQE2008-97
GaNナノコラムは、自己組織的に成長する直径100nm程度、高さ1$\mu$m程度の柱状結晶で、貫通転移を含まないことか... [more] ED2008-153 CPM2008-102 LQE2008-97
pp.7-12
CPM, ED, LQE
(共催)
2007-10-11
13:55
福井 福井大学 RF-MBE法を用いたGaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価
関口寛人上智大/JST)・加藤 圭田中 譲上智大)・菊池昭彦岸野克巳上智大/JSTED2007-158 CPM2007-84 LQE2007-59
GaN ナノコラムは直径100nm 程度の互いに独立した柱状結晶で、結晶中に貫通転位を含まないため優れた発光特性を有する... [more] ED2007-158 CPM2007-84 LQE2007-59
pp.13-17
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