| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-12-01 14:50 |
静岡 | アクトシティ浜松 | 縦型AlGaN系UV-B LDの作製 ○西林到真・近藤涼輔・松原衣里・山田凌矢・井本圭紀・服部光希・岩山 章・岩谷素顕・上山 智・竹内哲也（名城大）・三宅秀人（三重大）・三好晃平・難波江宏一（ウシオ電機）・山口顕宏（西進商事）  ED2023-33 CPM2023-75 LQE2023-73 |
本研究では、大電流動作に有利で且つ高出力動作が可能な縦型UV-Bレーザーダイオードの作製方法およびその特性について報告す... [more] | ED2023-33 CPM2023-75 LQE2023-73 pp.84-87 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-25 13:55 |
ONLINE | オンライン開催 | Ⅲ族窒化物半導体のレーザ構造における導波路損失の測定 ○小笠原健太（金沢工大）・坂井繁太・奥村忠嗣・難波江宏一（ウシオ電機）・山口敦史（金沢工大） ED2021-21 CPM2021-55 LQE2021-33 |
InGaNはInNとGaNの混晶であり，In組成を変化させることで理論上では可視光のあらゆる波長領域で発光可能な半導体材... [more] | ED2021-21 CPM2021-55 LQE2021-33 pp.33-36 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 11:50 |
大阪 | 大阪市立大学 | サファイア基板上へのモスアイ構造の形成方法の検討およびLEDへの応用 ○土屋貴義・梅田慎也・曽和美保子（名城大）・近藤俊行・北野 司・森 みどり・鈴木敦志・難波江宏一・関根 均（エルシード）・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤サキ 勇（名城大） ED2012-82 CPM2012-139 LQE2012-110 |
LEDおいて高い光取り出し効率が期待されるモスアイ加工サファイア基板(Moth-eye patterned sapphi... [more] | ED2012-82 CPM2012-139 LQE2012-110 pp.75-80 |
| OPE | 2006-02-17 16:05 |
東京 | 機械振興会館 | Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造非温調10Gb/s AlGaInAs-MQW-FP-LD ○鶴岡清貴・小林隆二・難波江宏一・徳留圭一・大澤洋一・加藤友章（NEC） |
狭幅選択MOVPE成長AlGaInAs-MQW活性層をルテニウム(Ru)ドープ高抵抗InPで埋め込んだ1.3 μm帯埋め... [more] | OPE2005-153 pp.41-46 |
| PN, OPE, OFT, LQE (共催) |
2005-01-28 16:10 |
大阪 | 大阪大学 | 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性 ○清水省吾・モハマド ダニアル・笠原健一（立命館大）・大矢昌輝・難波江宏一・須藤信也・佐々木達也・浜本貴一（NEC） |
[more] | PN2004-109 OFT2004-115 OPE2004-216 LQE2004-163 pp.61-65 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]