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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2022-02-04
09:05
ONLINE オンライン開催 [招待講演]タイムラグ法を用いた極薄PVD-Co(W)薄膜の定量的バリア性評価
百瀬 健金 泰雄鄧 玉斌出浦桃子東大)・松尾 明山口述夫キヤノンアネルバ)・霜垣幸浩東大SDM2021-74
半導体集積回路のCu配線における極薄バリアの開発には,バリア性を定量的かつ簡潔に評価する手法が不可欠である。そのため我々... [more] SDM2021-74
pp.1-4
SDM 2017-02-06
10:40
東京 東京大学/本郷 [招待講演]ALDプロセスによるULSI用高品質金属薄膜の作製
霜垣幸浩東大SDM2016-140
 [more] SDM2016-140
pp.5-10
SDM 2016-01-22
13:55
東京 東京大学 山上会館 Fabrication of highly reliable Co(W) thin film by physical vapor deposition for next generation ULSI Cu interconnects
Taewoong KimKouta TomitaTakeshi MomoseUniv. of Tokyo)・Takaaki TsunodaTakayuki MoriwakiCANON ANELVA)・Yukihiro ShimogakiUniv. of TokyoSDM2015-114
 [more] SDM2015-114
pp.25-28
SDM 2015-03-02
15:25
東京 機械振興会館 [招待講演]CVD/ALDを用いたCu(Mn)/Co(W)配線システムの構築と3次元アトムプローブによるサブナノ構造・バリヤ性評価
嶋 紘平東大)・ツ ユアン韓 斌高見澤 悠東北大)・清水秀治東大)・清水康雄東北大)・百瀬 健東大)・井上耕治永井康介東北大)・霜垣幸浩東大SDM2014-169
ULSI-Cu配線の微細化に伴う配線抵抗の増大及びエレクトロマイグレーションの問題を克服すべく、我々はこれまでに新規バリ... [more] SDM2014-169
pp.39-44
SDM 2012-03-05
13:30
東京 機械振興会館 ALD/CVDによる次世代Cu配線用単層バリヤ/ライナーCo(W)膜
清水秀治大陽日酸/東大)・嶋 紘平百瀬 健東大)・小林芳彦大陽日酸)・霜垣幸浩東大SDM2011-180
ULSIの微細化に伴う配線抵抗の増大を抑えるため、新たな材料が必要とされている。特に、Cu配線の側壁に形成されるバリヤ/... [more] SDM2011-180
pp.25-29
LQE, ED, CPM
(共催)
2008-11-27
10:20
愛知 名古屋工業大学 選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討
塩田倫也富田祐貴杉山正和霜垣幸浩中野義昭東大ED2008-154 CPM2008-103 LQE2008-98
有機金属気相成長(MOVPE: Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy)の選択成長(Sele... [more] ED2008-154 CPM2008-103 LQE2008-98
pp.13-16
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