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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2015-07-24
13:15
石川 ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) N極性p形GaNショットキー接触の電気的特性の評価
青木俊周福井大)・谷川智之片山竜二松岡隆志東北大)・塩島謙次福井大ED2015-36
N極性p-GaNショットキー接触の電気的特性を、電流‐電圧(I-V)、容量‐電圧(C-V)、光応答(PR)測定を用いて評... [more] ED2015-36
pp.1-4
ED 2015-07-24
13:40
石川 ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) n-GaN自立基板の劈開面に形成したショットキーダイオードの評価
永縄 萌青木俊周福井大)・三島友義法政大)・塩島謙次福井大ED2015-37
 [more] ED2015-37
pp.5-8
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-28
14:45
大阪 大阪大学 吹田キャンパス GaN自立基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触の評価
塩島謙次木原雄平青木俊周福井大)・金田直樹三島友義日立金属ED2013-71 CPM2013-130 LQE2013-106
GaN自立基板を用いた低濃度厚膜ショットキーダイオードを作製し、電気的特性を評価した結果を報告する。厚さ12μmの低Si... [more] ED2013-71 CPM2013-130 LQE2013-106
pp.35-38
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-28
15:10
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 低Mgドープp-GaNショットキー接触のAC動作
塩島謙次青木俊周福井大)・金田直樹三島友義日立金属ED2013-72 CPM2013-131 LQE2013-107
電圧掃引速度、掃引方向を変化させたI-V測定、及び交流測定を低Mgドープp-GaNショットキー接触に対して行った。I-V... [more] ED2013-72 CPM2013-131 LQE2013-107
pp.39-42
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