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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2015-03-02
13:05
東京 機械振興会館 [招待講演]双方向遷移モデルを用いた垂直磁化型STT-MRAMにおける熱安定性の面積依存性評価
角田浩司青木正樹能代英之射場義久吉田親子山崎裕一高橋 厚畑田明良中林正明杉井寿博超低電圧デバイス技研組合SDM2014-166
STT-MRAMに用いられるトップピン型垂直磁気トンネル接合(MTJ)の熱安定性Δについて,メモリアレイのデータ保持特性... [more] SDM2014-166
pp.23-28
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
13:55
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]混載メモリ適用に向けたスピン注入型MRAMの開発
杉井寿博射場義久青木正樹能代英之角田浩司畑田明良中林正明山崎裕一高橋 厚吉田親子超低電圧デバイス技研組合SDM2014-68 ICD2014-37
本論文では,エレクトロニクス機器に使用されるシステムLSIの混載メモリに関する課題を取り上げ,不揮発,無限回書き換え,高... [more] SDM2014-68 ICD2014-37
pp.35-38
ICD 2013-04-11
09:50
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [招待講演]STT-MRAMの特性改善に向けたダミーフリー層と2重トンネル接合を有する新しいMTJ
角田浩司能代英之吉田親子山崎裕一高橋 厚射場義久畑田明良中林正明長永隆志青木正樹杉井寿博超低電圧デバイス技研組合ICD2013-2
CMOS混載用のスピン注入型MRAMに適した新しい磁気トンネル接合(MTJ)を開発した.このMTJはCoFeB/MgO界... [more] ICD2013-2
pp.5-10
ICD 2012-12-17
13:30
東京 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール [招待講演]混載SRAM置き換え用STT-MRAMの高性能化とインテグレーション
杉井寿博射場義久青木正樹能代英之角田浩司畑田明良中林正明山崎裕一高橋 厚吉田親子超低電圧デバイス技研組合ICD2012-90
本論文では,超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)で開発中の混載SRAM置き換え用STT-MRAMに関して,開発の背景... [more] ICD2012-90
pp.17-20
ICD, SDM
(共催)
2012-08-02
15:15
北海道 札幌市男女共同参画センター [招待講演]システムLSI混載用STT-MRAMの高性能化とBEOLへのインテグレーション
杉井寿博射場義久青木正樹能代英之角田浩司畑田明良中林正明山崎裕一高橋 厚吉田親子超低電圧デバイス技研組合SDM2012-73 ICD2012-41
 [more] SDM2012-73 ICD2012-41
pp.55-58
ICD, SDM
(共催)
2010-08-27
11:15
北海道 札幌エルプラザ内男女共同参画センター [依頼講演] Top-pinned構造を用いた高密度1T/1MTJセルスピン注入型MRAM
李 永ミン吉田親子角田浩司梅原慎二郎青木正樹杉井寿博富士通研
 [more]
ICD, IPSJ-ARC, IPSJ-EMB
(連催)
2010-01-28
13:15
東京 東芝本社 [招待講演]SPARC64TM VIIIfx:富士通次期スーパーコンピュータプロセサ
山下英男本車田 強森田國樹渡邉 輝岡野 廣坂本真理子直島康浩中田達己青木直純丸山拓巳浅川岳夫長澤 茂青木正樹井上愛一郎富士通ICD2009-107
富士通の次期スーパーコンピュータに搭載されるプロセサSPARC64TM VIIIfxを開発した。このプロセサは 45nm... [more] ICD2009-107
pp.35-37
SDM 2007-03-15
13:30
東京 機械振興会館 抵抗変化メモリの熱反応モデルを用いたリセット動作の検討
佐藤嘉洋木下健太郎能代英之青木正樹杉山芳弘富士通研
あらまし 我々は二元系金属酸化物 (BMO) 素子からなる抵抗変化メモリ(ReRAM)のセルにパルス電圧を印加する評価を... [more] SDM2006-255
pp.7-10
ICD, SDM
(共催)
2005-08-19
13:00
北海道 函館国際ホテル MTJ抵抗比による電圧センス型1T2MTJ MRAM
青木正樹岩佐 拓佐藤嘉洋富士通研
我々は、1つのトランジスタと2つのMTJ素子(1T2MTJ)を組み合わせて1つのメモリセルとするMRAMの新しい回路方式... [more] SDM2005-150 ICD2005-89
pp.43-48
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