| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: 最近10年)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW, ED (共催) |
2025-01-24 13:30 |
東京 | 深谷公民館・深谷生涯学習センター (東京都, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］Beyond 5G応用に向けたAlGaN/GaNデュアルゲートHEMTの検討 ○安藤裕二・高橋英匡・牧迫隆太郎（名大）・分島彰男（熊本大）・須田 淳（名大）  ED2024-80 MW2024-166 |
[more] | ED2024-80 MW2024-166 pp.67-72 |
| SDM | 2024-06-21 14:00 |
大阪 | 関西学院大学・梅田キャンパス (大阪府) | ［招待講演］分布型分極ドーピングによるAlN系縦型p-nダイオードの実証 ○隈部岳瑠（名大）・吉川 陽（旭化成）・川崎晟也・久志本真希・本田善央・新井 学・須田 淳・天野 浩（名大） SDM2024-22 |
AlNおよび高Al組成AlGaNは次世代のパワーデバイス材料として期待されている．p-n接合は半導体デバイスの基本構成要... [more] | SDM2024-22 pp.13-16 |
| SDM | 2024-01-31 13:05 |
東京 | 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス (東京都, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］プラズマ支援原子層堆積法で形成したAlN界面層を用いたAlSiO/p-GaN MOSFETの分極制御 ○伊藤健治・成田哲生・井口紘子・岩崎四郎・菊田大悟（豊田中研）・狩野絵美・五十嵐信行・冨田一義・堀田昌宏・須田 淳（名大） SDM2023-75 |
AlSiO/p型GaN MOSFETにプラズマ支援原子層堆積法で形成したAlN界面層を導入することで, 分極電荷を用いた... [more] | SDM2023-75 pp.5-8 |
| SDM | 2023-11-09 11:20 |
東京 | 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 (東京都, オンライン) （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］GaN基板上GaN縦型パワーデバイスの研究開発の進展と今後の展望 ○須田 淳（名大） SDM2023-63 |
GaN基板上に作製したGaN縦型パワーデバイスの研究開発の進展と今後の動向について述べる．GaN縦型パワーデバイスの設計... [more] | SDM2023-63 p.7 |
| WPT, EE (併催) |
2020-10-07 13:40 |
ONLINE | オンライン開催 (オンライン) | ノーマリオフGaN HEMTを用いたレクテナ用ゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性 ○高橋英匡・安藤裕二（名大）・土屋洋一・分島彰男（名工大）・林 宏暁・柳生栄治（三菱電機）・桔川洸一・坂井尚貴・伊東健治（金沢工大）・須田 淳（名大） WPT2020-19 |
無線電力伝送用デバイスとして、ノーマリオフ型のGaN HEMTのゲート電極とオーミック電極を短絡したゲーテッドアノード型... [more] | WPT2020-19 pp.1-5 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2019-11-21 13:20 |
静岡 | 静岡大学（浜松） (静岡県) | ICP-RIEによって作製されたGaNトレンチ側壁のダメージ評価 ○山田真嗣・櫻井秀樹（名大/アルバック）・長田大和・中村敏幸・上村隆一郎（アルバック）・須田 淳・加地 徹（名大） ED2019-40 CPM2019-59 LQE2019-83 |
GaN系トレンチゲート縦型パワー半導体デバイスを実現するための要素プロセス技術の一つである誘導結合型プラズマ反応性イオン... [more] | ED2019-40 CPM2019-59 LQE2019-83 pp.33-35 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-26 15:25 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 (東京都) | ［依頼講演］GaN縦型パワーデバイス実用化に向けた課題 ○須田 淳（京大） ED2016-99 MW2016-175 |
高耐圧，低オン抵抗の次世代パワーデバイスとしてGaN縦型パワーデバイスに期待が寄せられている．高性能デバイスの試作報告も... [more] | ED2016-99 MW2016-175 pp.17-18 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 13:50 |
京都 | 京大桂キャンパス (京都府) | ホモエピタキシャル成長n型GaNショットキーバリアダイオードの順方向電流-電圧特性の温度依存性 ○前田拓也（京大）・岡田政也・上野昌紀・山本喜之（住友電工）・堀田昌宏・須田 淳（京大） ED2016-59 CPM2016-92 LQE2016-75 |
[more] | ED2016-59 CPM2016-92 LQE2016-75 pp.9-14 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2016-12-12 14:40 |
京都 | 京大桂キャンパス (京都府) | ラマン散乱分光法および赤外反射分光法によるGaN自立基板の評価 ○鐘ヶ江一孝・金子光顕・木本恒暢・堀田昌宏・須田 淳（京大） ED2016-61 CPM2016-94 LQE2016-77 |
1016～1020 cm-3の範囲でドーピングされたn型GaN自立基板に対してラマン散乱分光および赤外反射分光を行った。... [more] | ED2016-61 CPM2016-94 LQE2016-77 pp.21-26 |
| SDM, EID (共催) |
2016-12-12 14:45 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 (奈良県) | p型SiCの電気化学エッチングにおけるエッチングモード制御によるピットの低減 ○榎薗太郎・木本恒暢・須田 淳（京大） EID2016-22 SDM2016-103 |
電気化学エッチングは、p型SiCのみをエッチングする手法である。電解液/SiC界面においてSiCが正孔により酸化され、生... [more] | EID2016-22 SDM2016-103 pp.59-62 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 13:10 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 (大阪府) | ホール効果測定による低濃度Mgドープp型GaNの正孔キャリア密度および移動度の解析 ○堀田昌宏（京大）・高島信也・田中 亮・松山秀昭・上野勝典・江戸雅晴（富士電機）・須田 淳（京大） ED2015-72 CPM2015-107 LQE2015-104 |
低濃度Mgドープp型GaN (Mg濃度$6.5times 10^{16}~mbox{cm}^{-3}$)に対してホール効... [more] | ED2015-72 CPM2015-107 LQE2015-104 pp.21-25 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 13:35 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 (大阪府) | ホール効果測定によるホモエピタキシャル成長低Siドープn型GaNの電気的特性評価 ○澤田直暉（京大）・成田哲生・加地 徹・上杉 勉（豊田中研）・堀田昌宏・須田 淳（京大） ED2015-73 CPM2015-108 LQE2015-105 |
[more] | ED2015-73 CPM2015-108 LQE2015-105 pp.27-32 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 14:00 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 (大阪府) | ホモエピタキシャル成長n型GaNショットキーバリアダイオードの光電流の波長依存性 ○前田拓也（京大）・岡田政也・山本喜之・上野昌紀（住友電工）・堀田昌宏・須田 淳（京大） ED2015-74 CPM2015-109 LQE2015-106 |
[more] | ED2015-74 CPM2015-109 LQE2015-106 pp.33-37 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]