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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2017-10-26
13:55
宮城 東北大学電気通信研究所本館6階大会議室 シリコンフィールドエミッタアレイのレーザ支援電界電子放射特性
嶋脇秀隆八戸工大)・長尾昌善産総研)・根尾陽一郎三村秀典静岡大)・高井幹夫阪大ED2017-37
p型半導体エミッタは、金属エミッタと異なり、光感受性に優れるため、バンドギャップ以上の低エネルギーレーザを用いて短パルス... [more] ED2017-37
pp.5-8
ED 2016-10-25
14:40
三重 三重大学 新産業創成研究拠点(旧VBL) シリコンフィールドエミッタの光応答性の評価(その2)
嶋脇秀隆八戸工大)・長尾昌善産総研)・根尾陽一郎三村秀典静岡大)・若家冨士男高井幹夫阪大ED2016-46
p型シリコンフィールドエミッタにバンドギャップ以上の光を照射するとエミッション電流が増大する。この特性を利用すると光パル... [more] ED2016-46
pp.13-15
ED 2015-10-23
11:25
愛知 名城大学名駅サテライト(MSAT) シリコンフィールドエミッタの光応答性の評価
嶋脇秀隆八戸工大)・長尾昌善産総研)・根尾陽一郎三村秀典静岡大)・若家冨士男高井幹夫阪大ED2015-66
 [more] ED2015-66
pp.61-64
ED 2014-10-22
09:25
北海道 北大エンレイソウ シリコンフィールドエミッタの光照射効果
嶋脇秀隆八戸工大)・長尾昌善産総研)・根尾陽一郎三村秀典静岡大)・若家冨士男高井幹夫阪大ED2014-69
微小電子源から光支援による高周波変調バンチビームを発生させることを目的として、極微ゲート孔構造Si-FEAからの電子放射... [more] ED2014-69
pp.35-38
ED 2013-10-23
09:00
北海道 北海道大学エンレイソウ シリコン冷陰極からの光支援による電子放射
嶋脇秀隆八戸工大)・根尾陽一郎三村秀典静岡大)・若家冨士男高井幹夫阪大)・吉田知也長尾昌善産総研ED2013-57
微小電子源から高周波変調されたバンチビームを発生させることを目的として、p-Si基板を用いたナノ結晶シリコン(nc-Si... [more] ED2013-57
pp.29-32
ED 2013-10-23
10:25
北海道 北海道大学エンレイソウ 赤外レーザ励起による焦電結晶からの電子放出とX線源への応用
阿保 智中浜弘介高橋理明若家冨士男高井幹夫阪大ED2013-60
焦電結晶を赤外レーザにより励起し、焦電効果により発生した高電圧による焦電結晶表面からの電子放出と対向電極からのX線発生に... [more] ED2013-60
pp.41-45
ED 2012-11-19
14:25
大阪 阪大中之島センター グラフェンエッジ冷陰極の作製と電子放出特性の評価
村上勝久筑波大)・山口尚登ラトガーズ大)・若家冨士男高井幹夫阪大)・Manish Chhowallaラトガーズ大ED2012-55
還元酸化グラフェンエッジからの電子放出特性を電界放射顕微鏡・電界イオン顕微鏡複合装置を用いて評価した。非常に薄い還元酸化... [more] ED2012-55
pp.7-10
ED 2012-11-20
09:55
大阪 阪大中之島センター nc-Si MOS冷陰極からの電子放射における光照射効果
嶋脇秀隆八戸工大)・根尾陽一郎三村秀典静岡大)・若家冨士男高井幹夫阪大ED2012-61
微小電子源から高周波変調されたバンチビームを発生させることを目的として、p-Si基板を用いたnc-Si MOS冷陰極に光... [more] ED2012-61
pp.37-40
ED 2012-11-20
10:20
大阪 阪大中之島センター 電子ビーム誘起堆積三極構造Pt冷陰極からの縞状電子放出パターンの観測
北山智久阿保 智若家冨士男高井幹夫阪大ED2012-62
低ゲート電圧で縞状電子放出パターンの強度制御を可能とするため、ゲート電極を加えた三極構造Pt冷陰極を電子ビーム誘起堆積法... [more] ED2012-62
pp.41-44
ED 2011-10-21
09:00
青森 八戸ポータルミュージアム はっち nc-Si MOS冷陰極からのレーザ支援による電子放射
嶋脇秀隆山崎勇人八戸工大)・根尾陽一郎三村秀典静岡大)・若家冨士男高井幹夫阪大ED2011-66
He-Neレーザ(出力1 mW、波長633 nm)をp-Si基板を用いたnc-Si MOS冷陰極に照射し、放射電流特性、... [more] ED2011-66
pp.33-36
ED 2011-10-21
09:50
青森 八戸ポータルミュージアム はっち ガラス基板上酸化チタンナノ構造の作製と電界電子放出特性
若家冨士男中谷卓央阿保 智高井幹夫阪大ED2011-68
酸化チタンは光起電力や光触媒などのユニークな特徴があり注目されている材料である。本稿では,印刷法とNaOH水溶液を用いた... [more] ED2011-68
pp.41-45
ED 2011-10-21
10:55
青森 八戸ポータルミュージアム はっち レーザ誘起焦電結晶からの電子放出とX線源への応用
加賀英一中浜弘介木佐俊哉阿保 智若家冨士男高井幹夫阪大ED2011-70
LiTaO<sub>3</sub>結晶とLiNbO<sub>3</sub>結晶をNd:YLFレーザによって励起したときの... [more] ED2011-70
pp.53-57
ED 2011-10-21
11:20
青森 八戸ポータルミュージアム はっち ゲート付CNT電子源を用いたX線源の開発
真鍋知弥新田翔吾沖 宏吏阿保 智若家冨士男高井幹夫阪大ED2011-71
スクリーン印刷法で作製したガラス基板上ゲート付CNT電子源を用いたX線源のパルス制御を検討している。電子放出特性改善のた... [more] ED2011-71
pp.59-63
ED 2009-10-15
15:30
福井 福井大学 産学官連携本部(旧地域共同研究センター) 3階 研修室 集束イオンビーム誘起堆積Pt冷陰極からの縞状電子放出パターンの観測
村上勝久松尾智仁若家冨士男高井幹夫阪大ED2009-120
集束イオンビーム誘起堆積Pt冷陰極の電界放射特性と電子放出パターンを電界放射顕微鏡を用いて評価した。集束イオンビーム誘起... [more] ED2009-120
pp.21-25
ED 2008-08-04
13:25
静岡 静岡大学浜松キャンパス 電子ビーム誘起堆積法を用いて作製したPtナノ結晶冷陰極からの縞状電子放出パターンの観測
村上勝久西原慎二松原直樹市川 聡若家冨士男高井幹夫阪大ED2008-110
電子ビーム誘起堆積法を用いて作製したPt冷陰極にアニール処理を施すことによって、先端に10 nmのギャップをもつ冷陰極を... [more] ED2008-110
pp.5-10
ED 2008-08-04
14:15
静岡 静岡大学浜松キャンパス シリコン微結晶面放射型冷陰極の電子放射特性
嶋脇秀隆木田 庸八戸工大)・根尾陽一郎三村秀典静岡大)・村上勝久若家富士夫高井幹夫阪大ED2008-112
極薄酸化膜で被覆されたナノ結晶シリコン(nc-Si)からなる面放射型冷陰極を製作し、電子放射特性および放射電子のエネルギ... [more] ED2008-112
pp.15-20
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