研究会 |
発表日時 |
開催地 |
タイトル・著者 |
抄録 |
資料番号 |
SDM |
2025-01-29 14:05 |
東京 |
金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス (東京都, オンライン) (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
[招待講演]HZO/Si FeFETにおけるバイポーラ・ストレス中のメモリウィンドウ劣化機構の解明:ホールトラップの生成とキャリアのデトラップ挙動の役割 ○趙 成謹・*** ***・竹中 充・高木信一(東大) SDM2024-67 |
[more] |
SDM2024-67 pp.7-10 |
CPM, LQE, OPE, EMD, R (共催) |
2024-08-29 14:55 |
青森 |
弘前大学文京町地区キャンパス 創立50周年記念会館 (青森県, オンライン) (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
[招待講演]AI応用に向けた光行列演算回路 ○唐 睿・大野修平(東大)・谷澤 健(玉川大)・池田和浩・岡野 誠(産総研)・トープラサートポン カシディット・高木信一・竹中 充(東大) R2024-15 EMD2024-9 CPM2024-25 OPE2024-65 LQE2024-12 |
[more] |
R2024-15 EMD2024-9 CPM2024-25 OPE2024-65 LQE2024-12 pp.13-14 |
SDM |
2024-01-31 15:50 |
東京 |
金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス (東京都, オンライン) (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
[招待講演]HfZrO2系強誘電体FETを用いた物理リザバーコンピューティング ○高木信一・トープラサートポン カシディット・名幸瑛心・鈴木陸央・閔 信義・竹中 充・中根了昌(東大) SDM2023-80 |
高いエネルギー効率をもつエッジAI計算への応用に向けて、強誘電体HfZrO2/Si FeFETを用いた物理リザバーコンピ... [more] |
SDM2023-80 pp.24-27 |
VLD, DC, RECONF, ICD (共催) IPSJ-SLDM (連催) [詳細] |
2023-11-15 15:05 |
熊本 |
くまもと市民会館シアーズホーム夢ホール (熊本県, オンライン) (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
強い宝くじ仮説とFeFETベースCiMのCo-design ○山内堅心・山田 歩・三澤奈央子・趙 成謹・トープラサートポン カシディット・高木信一・松井千尋・竹内 健(東大) VLD2023-40 ICD2023-48 DC2023-47 RECONF2023-43 |
強い宝くじ仮説(SLTH)は、初期化したNNは良い精度の部分ネットワークを含んでいるという仮説であり、重みを更新しなくて... [more] |
VLD2023-40 ICD2023-48 DC2023-47 RECONF2023-43 pp.60-63 |
VLD, DC, RECONF, ICD (共催) IPSJ-SLDM (連催) [詳細] |
2023-11-16 10:20 |
熊本 |
くまもと市民会館シアーズホーム夢ホール (熊本県, オンライン) (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
Hyperdimensional Computing向けFeFET CiMの設計とエラー耐性 ○松井千尋・小林英太郎・三澤奈央子・トープラサートポン カシディット・高木信一・竹内 健(東大) VLD2023-48 ICD2023-56 DC2023-55 RECONF2023-51 |
電圧センス型のFeFET Computation-in-Memory (CiM)を用いた,Hyperdimensiona... [more] |
VLD2023-48 ICD2023-56 DC2023-55 RECONF2023-51 pp.99-100 |
SDM |
2023-06-26 10:10 |
広島 |
広島大学 ナノデバイス研究所 (広島県) |
[記念講演]表面ラフネス散乱の非線形理論に基づく 極薄膜nMOSFETのチャネル材料と面方位の最適設計 ○隅田 圭・姜 旼秀・陳 家驄・トープラサートポン カシディット・竹中 充・高木信一(東大) SDM2023-27 |
FinFETの次世代チャネルとしてCMOSに採用され始めているナノシートチャネルは, チャネルの極薄膜化により短チャネル... [more] |
SDM2023-27 pp.1-4 |
ICD |
2023-04-10 13:20 |
神奈川 |
川崎市産業振興会館10階第4会議室 (神奈川県, オンライン) (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
[招待講演]音声認識に向けた新方式HZO/Si FeFETリザバーコンピューティング ○名幸瑛心・トープラサートポン カシディット・中根了昌・竹中 充・高木信一(東大) ICD2023-4 |
我々はHZO/Si強誘電体ゲートFET(FeFET)を用いたリザバーコンピューティング(RC)を検証してきた.FeFET... [more] |
ICD2023-4 p.9 |
SDM |
2023-01-30 15:25 |
東京 |
機械振興会館(B3-1) (東京都) |
[招待講演]Ge2Sb2Te3S2を用いた不揮発性相変化中赤外光位相シフタ ○宮武悠人(東大)・牧野孝太郎・富永淳二・宮田典幸・中野隆志・岡野 誠(産総研)・トープラサートポン カシディット・高木信一・竹中 充(東大) SDM2022-83 |
相変化材料に基づく光位相シフタは, シリコンフォトニクスプラットフォームにおいて中赤外領域で動作する量子光回路の有望な構... [more] |
SDM2022-83 pp.17-20 |
SDM |
2022-11-10 11:00 |
ONLINE |
オンライン開催 (オンライン) |
[招待講演]表面ラフネス散乱の非線形理論に基づく極薄膜nMOSFETチャネル材料と面方位の最適設計 ○隅田 圭・姜 旼秀・陳 家驄・トープラサートポン カシディット・竹中 充・高木信一(東大) SDM2022-65 |
将来のCMOSチャネルには極薄膜(ETB)のナノシート構造が最も有望視されている. また別の応用として, 量子コンピュー... [more] |
SDM2022-65 pp.7-12 |
SDM |
2022-01-31 15:00 |
ONLINE |
オンライン開催 (オンライン) |
[招待講演]表面ラフネス散乱の新モデルに基づく極薄膜nMOSFETの最適なチャネル材料と面方位の設計 ○隅田 圭・陳 家驄・トープラサートポン カシディット・竹中 充・高木信一(東大) SDM2021-71 |
極薄膜(ETB)ナノシートチャネルは, 優れたスケーラビリティを理由に将来のテクノロジーノードにおけるチャネル構造として... [more] |
SDM2021-71 pp.12-15 |
SDM |
2021-11-11 13:00 |
ONLINE |
オンライン開催 (オンライン) |
[招待講演]極低消費電力メモリ・ロジック・AI応用に向けたHfZrO2系FeFETへの期待 ○高木信一・トープラサートポン カシディット・羅 璇・名幸瑛心・王 澤宇・李 宗恩・田原建人・竹中 充・中根了昌(東大) SDM2021-55 |
2011年に、HfO2系絶縁膜において強誘電性が発見されて以来、HfO2系薄膜をゲート絶縁膜に用いたFeFETは、極めて... [more] |
SDM2021-55 pp.13-18 |
SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2021-08-18 10:15 |
ONLINE |
オンライン開催 (オンライン) |
[招待講演]ソースフォロワ読み出しおよびチャージシェアリングにより積和演算を行う電圧センス型FeFET CiM ○松井千尋・トープラサートポン カシディット・高木信一・竹内 健(東大) SDM2021-37 ICD2021-8 |
エネルギー効率が高く,高スループットでノイズに強いHZO FeFET Computation-in-Memory(CiM... [more] |
SDM2021-37 ICD2021-8 pp.38-41 |
SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2021-08-18 11:00 |
ONLINE |
オンライン開催 (オンライン) |
[招待講演]低電圧動作・低温プロセス・高エンデュランスの極薄膜HfO2系強誘電体の実証 ~ 微細技術ノードの混載メモリへの展開 ~ ○トープラサートポン カシディット・田原建人(東大)・彦坂幸信・中村 亘・齋藤 仁(富士通セミコンダクターメモリソリューション)・竹中 充・高木信一(東大) SDM2021-38 ICD2021-9 |
本研究は、厚さ2.8~9.5 nmをもつHf0.5Zr0.5O2の強誘電体キャパシタの作製プロセス、強誘電特性、およびメ... [more] |
SDM2021-38 ICD2021-9 pp.42-47 |
SDM |
2021-06-22 13:50 |
ONLINE |
オンライン開催 (オンライン) |
[記念講演]Si/HZO強誘電体FETの動作機構 ~ MOS(MFS)界面で起こる現象 ~ ○トープラサートポン カシディット・李 宗恩・林 早阳・田原建人・渡辺耕坪・竹中 充・高木信一(東大) SDM2021-23 |
本講演はSi/HfO2系強誘電体FETのメモリ特性を決定するMFIS界面での現象について解説する。HfO2系強誘電体とS... [more] |
SDM2021-23 pp.7-12 |
SDM |
2021-01-28 16:05 |
ONLINE |
オンライン開催 (オンライン) |
[招待講演]チャネル薄膜化と(111)面方位の組み合わせによるInAs-On-Insulator nMOSFETのサブバンド制御 ○隅田 圭・トープラサートポン カシディット・竹中 充・高木信一(東大) SDM2020-54 |
III-V nMOSFETの本質的な3つの課題である, 低半導体容量, 強い膜厚揺らぎ散乱, 多量の界面準位の問題を克服... [more] |
SDM2020-54 pp.21-24 |
ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2020-08-06 10:15 |
ONLINE |
オンライン開催 (オンライン) |
[招待講演]Si強誘電体FETにおける分極・電荷のカップリングとメモリ特性への影響 ○トープラサートポン カシディット・林 早阳・李 宗恩・竹中 充・高木信一(東大) SDM2020-2 ICD2020-2 |
強誘電体をMOSFETのゲート絶縁膜とした強誘電体FETは従来のMOSFETとは異なり,強誘電体/半導体界面における強誘... [more] |
SDM2020-2 ICD2020-2 pp.3-7 |
ICD, SDM (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2020-08-07 10:15 |
ONLINE |
オンライン開催 (オンライン) |
[招待講演]ニューロモルフィック応用に向けたHf0.5Zr0.5O2/Si FeFETを用いたリザバーコンピューティング ○名幸瑛心・トープラサートポン カシディット・中根了昌・王 澤宇・宮武悠人・竹中 充・高木信一(東大) SDM2020-7 ICD2020-7 |
[more] |
SDM2020-7 ICD2020-7 pp.31-36 |
LQE, OPE, CPM, EMD, R (共催) |
2019-08-23 09:25 |
宮城 |
東北大学 電気通信研究 本館オープンセミナールーム(M153) (宮城県) |
[招待講演]III-V族半導体薄膜を用いたハイブリッド光変調器の展望 ○竹中 充・李 強・関根尚希・高木信一(東大) R2019-28 EMD2019-26 CPM2019-27 OPE2019-55 LQE2019-33 |
我々はSi導波路とIII-V族半導体薄膜をゲート絶縁膜となるAl2O3で貼り合わせたハイブリッドMOS構造に蓄積した電子... [more] |
R2019-28 EMD2019-26 CPM2019-27 OPE2019-55 LQE2019-33 pp.43-46 |
SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2019-08-09 10:15 |
北海道 |
北海道大学 情報科学院 3F A31 (北海道) |
アモルファスZnSnO/Si積層型トンネルFETの作製と電気特性評価 ○加藤公彦(東大/産総研)・松井裕章・田畑 仁・竹中 充・高木信一(東大) SDM2019-46 ICD2019-11 |
酸化物半導体/IV族半導体積層型トンネルFETのサブスレショルド特性向上に向け,膜厚均一性の高いアモルファスZnSnOチ... [more] |
SDM2019-46 ICD2019-11 pp.63-66 |
SDM |
2018-11-08 11:20 |
東京 |
機械振興会館 (東京都) |
[招待講演]酸化物半導体/IV族半導体を用いた超低消費電力トンネルトランジスタの提案と素子設計 ○加藤公彦・松井裕章・田畑 仁・竹中 充・高木信一(東大) SDM2018-66 |
本研究では,超低消費電力な集積回路実現に向け,酸化物半導体と IV 族半導体を組み合わせた Type-II エネルギーバ... [more] |
SDM2018-66 pp.11-16 |