| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM | 2012-10-26 17:05 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | MOVPE法により作製したSi基板上GaPの界面形状 高木達也・宮原 亮・○高野 泰（静岡大）  CPM2012-101 |
有機金属気相成長法によりSi基板上にGaPを結晶成長させた。Si基板に2,4°オフ基板を使用した。成長温度を830℃とし... [more] | CPM2012-101 pp.45-48 |
| CPM | 2012-08-08 14:15 |
山形 | 山形大学工学部100周年記念会館セミナー室 | MOVPE法によるSi基板上GaPとSi表面処理の関係 高木達也・宮原 亮・堀江陽介・○高野 泰（静岡大） CPM2012-36 |
有機金属気相成長法によりSi基板上にGaPを結晶成長させた。Si基板上に作製したGaPにはアンチフェーズドメイン(APD... [more] | CPM2012-36 pp.17-20 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-17 14:55 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | MOVPE法によるSi基板上GaPの成長速度依存性 高木達也・華 俊辰・宮原 亮・○高野 泰（静岡大） ED2012-21 CPM2012-5 SDM2012-23 |
有機金属気相成長法によりSi基板上にGaPを結晶成長させた。Si基板に4°オフ基板を使用した。成長温度を770-830℃... [more] | ED2012-21 CPM2012-5 SDM2012-23 pp.19-23 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 16:05 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPのアンチフェーズドメイン ○高野 泰・高木達也・見崎 龍・宮原 亮（静岡大） ED2011-15 CPM2011-22 SDM2011-28 |
有機金属気相成長法によりSi基板上にGaPを結晶成長させた。Si基板に2°オフ基板と4°オフ基板を使用した。4°オフ基板... [more] | ED2011-15 CPM2011-22 SDM2011-28 pp.71-75 |
| SDM, CPM, ED (共催) |
2010-05-14 13:55 |
静岡 | 静岡大学（浜松キャンパス） | MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面 ○高野 泰・山田洋毅・見崎 龍・高木達也・福家俊郎（静岡大） ED2010-31 CPM2010-21 SDM2010-31 |
有機金属気相成長法でSi基板上にGaPを結晶成長させた。4°オフ基板上に700-830℃でGaPを成長させ、成長初期時の... [more] | ED2010-31 CPM2010-21 SDM2010-31 pp.75-79 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-15 10:30 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | MOVPE法によるSi基板上GaPの高温成長 ○高木達也・岡本拓也・福家俊郎・高野 泰（静岡大） ED2009-29 CPM2009-19 SDM2009-19 |
有機金属気相成長(MOVPE)法によりSi基板上にGaP成長を行っている。700℃と800℃では鏡面を得ることはできなか... [more] | ED2009-29 CPM2009-19 SDM2009-19 pp.59-64 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]