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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD, SDM
(共催)
2014-08-05
13:55
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) プローブ圧力によるトランジスタ特性変動評価と圧力抽出手法
岡垣 健長谷川拓実高篠裕行藤井理子津田敦志渋谷宏治出口善宣横田美穂小野沢和徳ルネサス エレクトロニクスSDM2014-77 ICD2014-46
 [more] SDM2014-77 ICD2014-46
pp.83-86
SDM, VLD
(共催)
2007-10-30
15:00
東京 機械振興会館 <110>チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響
高篠裕行岡垣 健内田哲也林 岳谷沢元昭佃 栄次永久克己若原祥史石川清志土屋 修井上靖朗ルネサステクノロジVLD2007-57 SDM2007-201
電子の有効ハミルトニアンから剪断歪みと量子閉じ込め現象を取り込んだモデルを提
案。曲げ実験から65nmノードのストレス... [more]
VLD2007-57 SDM2007-201
pp.33-36
SDM, VLD
(共催)
2007-10-30
15:50
東京 機械振興会館 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証
佃 栄次ルネサステクノロジ)・鎌倉良成阪大)・高篠裕行岡垣 健内田哲也林 岳谷沢元昭永久克己若原祥史石川清志土屋 修井上靖朗ルネサステクノロジ)・谷口研二阪大VLD2007-59 SDM2007-203
本研究では、フル3D プロセスシミュレーターによる応力計算と反転層のサブバンドを考慮したkp 法にもとづくバンド計算から... [more] VLD2007-59 SDM2007-203
pp.43-46
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