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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ITE-MMS, MRIS (共催) |
2009-10-09 10:25 |
福岡 | 福岡交通センター | ［招待講演］低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術 ○笹子佳孝・木下勝治・森川貴博・黒土健三・半澤 悟・峰 利之・島 明生・藤崎芳久・守谷浩志・高浦則克・鳥居和功（日立）  MR2009-26 |
次世代の不揮発性メモリとして最も有望な相変化メモリを安価なポリシリコンダイオードと組合せたメモリセルの試作・電気特性評価... [more] | MR2009-26 pp.31-35 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-17 12:00 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F2クロスポイント型相変化メモリ ○笹子佳孝・木下勝治・森川貴博・黒土健三・半澤 悟・峰 利之・島 明生・藤崎芳久・久米 均・守谷浩志・高浦則克・鳥居和功（日立） SDM2009-112 ICD2009-28 |
ポリSiダイオード駆動のクロスポイント型相変化メモリの試作・電気特性評価を行った。低接触抵抗で駆動電流が8 MA/cm2... [more] | SDM2009-112 ICD2009-28 pp.79-83 |
| SDM | 2007-06-07 13:30 |
広島 | 広島大学（学士会館） | MONOS型不揮発メモリの電子および正孔トラップ解析 ○石田 猛・山田廉一・鳥居和功（日立）・白石賢二（筑波大） SDM2007-31 |
MONOS（Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon）型不揮発性メモリーの高信頼化を目的に，M... [more] | SDM2007-31 pp.1-6 |
| SDM | 2007-06-07 13:55 |
広島 | 広島大学（学士会館） | Si3N4/Si-rich Nitride(SRN)/Si3N4積層膜の電子捕獲特性 ○峰 利之・石田 猛・濱村浩孝・鳥居和功（日立） SDM2007-32 |
MONOS型不揮発性メモリの書換え動作に伴う電荷の局在抑制を目的に，Siを過剰に含むSiリッチ窒化膜(SRN)の電子捕獲... [more] | SDM2007-32 pp.7-11 |
| SDM | 2006-06-22 13:10 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | 酸素雰囲気アニール中のHfO2/SiO2/Si(001)界面反応の高分解能RBS観察 趙 明・○中嶋 薫・鈴木基史・木村健二（京大）・植松真司（NTT）・鳥居和功・神山 聡・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）・山田啓作（早大） |
[more] | SDM2006-59 pp.99-102 |
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